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一种基本上无缺陷的、具有改进的粘合性的低介电常数介电膜，其通过以下步骤形成：（ａ）将包含至少一个可聚合基团的硅烷偶联剂涂敷到基板的表面，以提供在所述基板上的所述硅烷偶联剂的基本上均匀的涂层；（ｂ）在约９０℃或更高的温度下，加热包含所述硅烷偶...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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