下载成膜方法、成膜装置及存储介质以及半导体装置的技术资料

文档序号:3232183

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本发明提供一种可以获得良好的泄漏特性、线膨胀系数或机械强度的加氟碳膜的技术。利用使C↓[5]F↓[8]气体和氢气活化而得的活性种来形成加氟碳膜。由于在加氟碳膜中氟与氢一起排出而减少,因此聚合得到促进。这样就会减少加氟碳膜中的碳的未结合键,泄...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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