钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置，通过使钛的硅化物结构一致，能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中，在能够抽真空的处理容器（１４）内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在上述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分（６）和绝缘膜（２）的被处理体（Ｗ）的表面上形成钛膜（８），其中，将上述还原气体的供给量相对于上述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为６７％以下。由此，使钛的硅化物结构一致，改善表面形态等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及从表面露出有硅部分和绝缘膜的半导体晶片等的表面 上形成钛膜的成膜方法和成膜装置。
技术介绍
一般地，为了制造半导体集成电路，对半导体晶片反复实施成膜、 蚀刻、氧扩散、退火等各种热处理，作为进行这种处理的装置的一个 例子，例如使用在专利文献1等中公开的等离子体处理装置。而且， 与半导体集成电路的进一步高集成化和高微细化的要求相对应，在埋 入半导体元件的绝缘膜、为了实现多层化的电路结构之间的绝缘的层 间绝缘膜等上形成的孔，例如接触孔、通路孔的直径也越来越微细化， 随之，为了达到埋入该孔中的配线的良好的导通的埋入技术变得重要。在进行上述埋入处理的情况下， 一般使用铝、钨或者它们的合金， 在该埋入之前，以减少与从孔下端部露出的例如硅基板的接触电阻等为目的，形成钛(Ti)膜，使得在该Ti膜与硅基板的界面部分产生硅 化物化，作为硅化钛形成TiSi2，使得接触电阻减少(专利文献2、 3 等)。这里，说明伴随上述硅化物化的Ti膜的成膜方法。图IO是表示作 为Ti膜的成膜对象的半导体晶片的一部分的放大截面图。作为被处理 体的半导体晶片W例如由硅基板构成，在其上表面形成例如由Si02 构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钛膜的成膜方法，其向能够抽真空的处理容器内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在所述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分和绝缘膜的被处理体的表面上形成钛膜，该钛膜的成膜方法的特征在于：　所述还原气体的供给量相对 于所述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为６７％以下。

【技术特征摘要】
JP 2007-12-8 2007-3177821. 一种钛膜的成膜方法，其向能够抽真空的处理容器内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体，并且在所述处理容器内产生等离子体，在从表面露出有硅部分和绝缘膜的被处理体的表面上形成钛膜，该钛膜的成膜方法的特征在于所述还原气体的供给量相对于所述还原气体和非活性气体的合计流量的比率设定为67％以下。2. 如权利要求1所述的钛膜的成膜方法，其特征在于 通过在所述硅部分上形成所述钛膜，所述硅部分被硅化物化，形成硅化钛。3. 如权利要求1或2所述的钛膜的成膜方法，其特征在于所述还原气体的供给量的比率的下限是3.5%。4. 如权利要求1或2中任一项所述的钛膜的成膜方法，其特征在于所述钛膜的成膜时的温度在525 60(TC的范围内。5. 如权利要求1或2中任一项所述的钛膜的成膜方法，其特征在于首先供给所述还原气体和非活性气体并进行等离子体化，之后在 等离子体中供给所述原料气体。6. 如权利要求1或2中任一项所述的钛膜的成膜方法，其特征在于同时供给所述还原气体、非活性气体和原料气体，之后进行等离 子体化。7. 如...

【专利技术属性】
技术研发人员：成嶋健索，熊谷晃，若林哲，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]