有机电致发光元件、导电层叠体和显示装置制造方法及图纸

技术编号:3232118 阅读:197 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种有机电致发光元件、导电层叠体和显示装置,所述有机电致发光元件由阴极(50)、阳极(20)、以及在上述阴极(50)和阳极(20)之间存在的发光层(40)构成,阳极(20)的至少与发光层(40)接触的部分含有从镧、铈、钕、钐、铕中选择的至少一种以上的元素,和从铬、钨、钽、铌、银、钯、铜、镍、钴、钼、铂、硅中选择的至少一种以上的元素。通过该元件,可以有效地从阳极将空穴注入到发光层中,实现有机EL元件的驱动电压的进一步低电压化,以及基于低电压驱动的长寿命化。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机电致发光(EL)元件、导电层叠体、导电层叠体的制 造方法、有机电致发光元件用电极基板和显示装置。
技术介绍
有机EL元件是由阳极、阴极、在两者之间保持的发光层构成。在发 光层中包括通过由阳极提供的空穴和从阴极提供的电子的复合而发光的 发光介质层。通常,为了促进由阳极提供的空穴的注入,空穴注入层或空 穴输送层被设置在阳极和发光介质层之间'。另外,为了促进由阴极提供的 电子的注入,电子注入层或电子输送层被设置在阴极和发光介质层之间。为了将电荷有效地注入到发光层中,阳极和阴极比较重要,对其构成 材料的研究非常盛行。关于空穴注入电极(阳极),通常所使用的ITO (掺杂了锡的氧化铟) 的功函数为4.6 5.0eV,以TPD (三苯基二胺)为代表的多种空穴输送材 料的电离电势较大,为5.6eV。为此,当从ITO向TPD中注入空穴时,存 在0.4 1.0eV的能量垒。因此,为了促进从阳极向空穴注入层的空穴注入, 提高阳极表面的功函数的方法是有效的。作为提高ITO的功函数的方法,提出了使ITO表面富含氧的方法。例 如,在特开平8 — 167479号公报中,公开了在室温下制膜ITO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电层叠体,具有电绝缘性的透明基材、在上述透明基材上形成的透明导电膜,其中 上述透明导电膜包含至少含有铈(Ce)的氧化物, 在采用X射线光电子分光法对上述透明导电膜表面的位于铈3d轨道的电子的结合能进行测定而得到的曲线图中, 当将上述结合能为877eV~922eV之间的总峰面积设为SA,将上述结合能为914eV~920eV之间的总峰面积设为SB时,作为上述SA和上述SB的面积比的SB/SA的值满足下述式(1); SB/SA<0.13 (1)。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-19 2003-422191;JP 2004-3-23 2004-0840161. 一种导电层叠体,具有电绝缘性的透明基材、在上述透明基材上形成的透明导电膜,其中上述透明导电膜包含至少含有铈(Ce)的氧化物,在采用X射线光电子分光法对上述透明导电膜表面的位于铈3d轨道的电子的结合能进行测定而得到的曲线图中,当将上述结合能为877eV~922eV之间的总峰面积设为SA,将上述结合能为914eV~920eV之间的总峰面积设为SB时,作为上述SA和上述SB的面积比的SB/SA的值满足下述式(1);SB/SA<0. 13(1)。2. 如权利要求l所述导电层叠体,其中,上述透明导电膜含有从由铟(In)、锡(...

【专利技术属性】
技术研发人员:笘井重和井上一吉渋谷忠夫酒井俊男松原雅人
申请(专利权)人:出光兴产株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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