准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法技术

一种准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法，采用两次干法刻蚀，第一干法刻蚀，同时在用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管的有源区第一区域，与用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管体区电极的有源区第二区域形成某一深度的凹槽，第二区域的凹槽深度满足体区电极的需求；接着保护第二区域的凹槽，对第一区域的凹槽进一步进行第二干法刻蚀以加大该凹槽深度，满足场效应晶体管源漏重掺杂区所需的掺杂多晶硅填入量。上述制作方法，兼容了场效应晶体管与体区电极的制作，减少了工艺步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种准绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管器件的制作方法。
技术介绍
准SOI场效应晶体管，结合了场效应晶体管与SOI两者的优势，采用氧化层隔绝场效应晶体管的源漏区与半导体衬底，实现了两者之间绝缘，避免了源漏区的载流子与半导体衬底内的载流子复合；此外，场效应晶体管的沟道仍由半导体衬底充当，起到了方便场效应晶体管的热量通过半导体衬底散发出去的作用。基于上述好处，近年来，准SOI场效应晶体管越来越多使用在集成电路中。在使用过程中，为对准SOI场效应晶体管的体区施压，或将体区的信号引出，需在体区制作电极。本专利技术提供一种准SOI场效应晶体管与体区电极制作工艺兼容的准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法。
技术实现思路
本专利技术实现的目的是使得准SOI场效应晶体管与体区电极制作工艺兼容。为实现上述目的，本专利技术提供一种准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有若干有源区，所述有源区包括：用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管的第一区域，与用于形成所述准绝缘体上硅场效应晶体管的体区电极的第二区域，所述第一区域与第二区域采用浅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有若干有源区，所述有源区包括：用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管的第一区域，与用于形成所述准绝缘体上硅场效应晶体管的体区电极的第二区域，所述第一区域与第二区域采用浅沟槽隔离结构隔开；在所述第一区域上形成栅极结构，在所述栅极结构两侧的第一区域内形成轻掺杂区以及在所述栅极结构侧壁形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，对所述第一区域与第二区域进行第一干法刻蚀，保留所述侧墙下的轻掺杂区并至少去除其它区域的轻掺杂区以形成凹槽；在所述凹槽内、浅沟槽隔离结构表面、侧墙以及栅极结构顶表面形成硬掩膜层，遮盖所述第二区域的硬掩膜层，...

【技术特征摘要】
1.一种准绝缘体上硅场效应晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有若干有源区，所述有源区包括：用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管的第一区域，与用于形成所述准绝缘体上硅场效应晶体管的体区电极的第二区域，所述第一区域与第二区域采用浅沟槽隔离结构隔开；在所述第一区域上形成栅极结构，在所述栅极结构两侧的第一区域内形成轻掺杂区以及在所述栅极结构侧壁形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，对所述第一区域与第二区域进行第一干法刻蚀，保留所述侧墙下的轻掺杂区并至少去除其它区域的轻掺杂区以形成凹槽；在所述凹槽内、浅沟槽隔离结构表面、侧墙以及栅极结构顶表面形成硬掩膜层，遮盖所述第二区域的硬掩膜层，回蚀所述第一区域的硬掩膜层以仅保留侧墙上的硬掩膜层以及侧墙下的轻掺杂区侧壁上的硬掩膜层；以所述第二区域上的硬掩膜层以及第一区域保留的硬掩膜层为掩膜，对所述第一区域进行第二干法刻蚀，以加大第一区域凹槽的深度；在所述第一区域的凹槽表面形成氧化层；去除所述第一区域与第二区域的硬掩膜层，在所述第一区域与第二区域上沉积多晶硅，回蚀所述多晶硅，第一区域保留的多晶硅用于形成准绝缘体上硅场效应晶体管的源漏重掺杂区，第二区域保留的多晶硅至少部分用于形成所述准绝缘体上硅场效应晶体管的体区电极；去除浅沟槽隔离结构顶部的部分多晶硅，至少使得第一区域与第二区域所保留的的多晶硅绝缘；分别对所述第一区域的多晶硅与第二区域的至少部分多晶硅进行离子注入重掺杂以对应形成场效应晶体管的源漏重掺杂区与体区电极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述有源区为P型，对所述第二区域的多晶硅进行离子注入重掺杂时注入的离子为P型，对所述第一区域的多晶硅进行离子注入重掺杂时注入的离子为N型；或所述有源区为N型，对所述第二区域的多晶硅进行离子注入重掺杂时注入的离子为N
\t型，对所述第一区域的多晶硅进行离子注入重掺杂时注入的离子为P型。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述栅极结构侧壁的侧墙包括第一侧墙与第二侧墙，其中，所述轻掺杂区...

【专利技术属性】
技术研发人员：康劲，卜伟海，王文博，吴汉明，张兴，黄如，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31