本发明提出一种用于多层铜互连CMP的工艺控制方法，涉及化学机械抛光技术领域。该方法主要通过调整抛光液流量后，在压力1.68psi

本发明提出了一种用于CMP过程中介质与铜速率选择比的控制方法，涉及化学机械抛光领域。一种用于CMP过程中介质与铜速率选择比的控制方法，包括以下步骤：采用pH值调节剂将抛光液的pH值调节至9.0

本发明提出了多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法，涉及化学机械抛光领域。多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法，包括以下步骤：制备含有FA/O型螯合剂的抛光液；再将抛光液加入抛光机中对图形片进行抛光，得到成品；其中...

本发明提供一种新型抛光液及其制备方法和应用，涉及抛光液技术领域。一种新型抛光液，按质量份数计，包括：硅溶胶3

本发明提出了一种CMP中防止划伤的抛光工艺，涉及化学机械抛光技术领域。一种CMP中防止划伤的抛光工艺，包括如下步骤：将抛光液稀释到20

本发明提出了一种在GLSI制备中用转速调整铜和介质速率选择比的方法，涉及化学机械抛光领域。一种在GLSI制备中用转速调整铜和介质速率选择比的方法，包括如下步骤：将抛光液加入抛光机中，在抛光头转速为55

本发明提出了一种利用分段抛光降低图形表面缺陷的工艺，涉及化学机械抛光技术领域。一种利用分段抛光降低图形表面缺陷的工艺，包括：将待抛光材料固定在抛头上，进流抛光液，调整抛头和抛盘的转速；对抛头施加压力，使待抛光材料的抛光面与抛盘接触，调整...