基板台及其制造方法以及等离子体处理装置制造方法及图纸

等离子体处理装置的基座（１０）、即基板台的静电吸盘（１２）通过陶瓷喷涂形成。陶瓷喷涂层（１２Ａ）被甲基丙烯酸树脂（１２Ｄ）进行封孔。通过使以甲基丙烯酸甲酯为主要成分的树脂原料液涂覆含浸在陶瓷喷涂层中并使其硬化，陶瓷喷涂层的陶瓷粒子之间的气孔被甲基丙烯酸树脂充填。由于甲基丙烯酸树脂原料液不在硬化时产生气孔，所以可以进行完全的封孔处理。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在等离子体处理装置的腔室内搭载半导体晶片等的基板的基板台的改良，具体地说就是有关通过陶瓷喷涂法在基板台上形成静电吸盘的技术，以及该静电吸盘的封孔技术。
技术介绍
等离子体处理装置是在被配置于腔室内且被称为基座的基板台上搭载半导体晶片等的基板，由在这个状态下被导入腔室内的处理气体生成等离子体，通过这个等离子体在基板上进行成膜等的处理。如图8(a)所示，被用于等离子体处理装置的基座具备本体1、配置在该本体1上的静电吸盘2、以及围着该静电吸盘2而被配置在本体1的外周缘部上的聚焦环3。基座通过静电吸盘2而吸持固定晶片W。使腔室内达到所规定的真空度，通过经由匹配器4A连接到本体1上的高频电源4施加所规定的高频电。在与上部电极(未被图示)之间产生的处理气体的等离子体被聚焦环集中到晶片W上。在本体1的内部形成制冷剂通道1A，本体1被在制冷剂通道1A内循环的制冷剂所冷却，从而在等离子体处理中升温的晶片W被冷却而保持在一定的处理温度上。在本体1内部形成热传导性气体(例如，He气)的气体通道1B，气体通道1B在本体1上面的多个部位开口。在静电吸盘2上形成与气体通道1B相对应的贯通孔2A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板台，其特征在于，具备：　　　　台本体；和　　　　形成在所述台本体上、由在内部包含电极层的陶瓷喷涂层构成的静电吸盘层；　　　　所述陶瓷喷涂层被甲基丙烯酸树脂进行封孔。

【技术特征摘要】
JP 2001-5-25 156489/20011.一种基板台，其特征在于，具备台本体；和形成在所述台本体上、由在内部包含电极层的陶瓷喷涂层构成的静电吸盘层；所述陶瓷喷涂层被甲基丙烯酸树脂进行封孔。2.如权利要求1所述的基板台，其特征在于，所述甲基丙烯酸树脂是通过使以甲基丙烯酸甲酯为主要成分的树脂原料液硬化而形成的。3.如权利要求1所述的基板台，其特征在于，所述陶瓷喷涂层由氧化铝、氮化铝，氮化硅以及氧化钛中的至少一种构成。4.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备权利要求1所述的基板台。5.一种基板台的制造方法，其特征在于，具备准备基板台本体的工序；形成静电吸盘层的工序，该工序是在所述台本体上形成由将电极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：武藤慎司，田口千博，冈山信幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]