等离子体处理容器内部件和有该部件的等离子体处理装置制造方法及图纸

在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器内配置的等离子体处理容器内部件，作为前处理，利用使用等离子体放电的阳极氧化处理在该处理容器内部件的基材（１０１）的表面形成氧化处理层（１１１）后，在该氧化处理层（１１１）之上，形成热喷涂层（１２１）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体处理容器内部件和具有该等离子体处理容器内部件的等离子体处理装置，特别是，涉及配置在利用等离子体蚀刻处理在半导体晶片等的被处理物上进行微细加工的等离子体蚀刻装置的等离子体处理容器内的等离子体处理容器内部件和具有该等离子体处理容器内部件的等离子体处理装置。
技术介绍
以前，在半导体晶片等被处理物上进行蚀刻处理等的微细加工，利用在干燥、低温和高速条件下的等离子体蚀刻装置进行。图5为表示等离子体蚀刻装置内部结构的截面图。在图5中，在等离子体蚀刻装置的等离子体处理容器1中有处理室2，在其顶部具有由导电性材料制成的上部电极3。在处理室2中，由导电性材料制成的下部电极4与上部电极3对向配置，在下部电极4的上面，通过静电夹头5，吸着夹持作为被处理物的半导体晶片6。在容器1的外周边上配置永久磁铁7，其磁场相对于作为被处理物的半导体晶片6成水平。上部电极3有多个气体输出孔8，以CF4或NF3这样的氟化物，BCl3或SnCl4等氯化物，例如HBr的溴化物为首的处理气体，通过气体输出孔8，供给处理室2。另外，下部电极4，通过图中没有示出的驱动机构支承在可在箭头A方向升降的升降轴9上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理容器内部件，配置在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器中，其特征为，具有：通过使用了等离子体放电的阳极氧化处理而在所述等离子体处理容器内部件的基材的表面形成的氧化处理层；和在所述氧化处 理层上形成的热喷涂层。

【技术特征摘要】
JP 2001-5-25 157510/20011.一种等离子体处理容器内部件，配置在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器中，其特征为，具有通过使用了等离子体放电的阳极氧化处理而在所述等离子体处理容器内部件的基材的表面形成的氧化处理层；和在所述氧化处理层上形成的热喷涂层。2.如权利要求1所述的等离子体处理容器内部件，其特征为，所述热喷涂层由Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：长山将之，中山博之，三桥康至，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]