【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有等离子体处理装置用石英部件的等离子体处理装置,特别是涉及不会形成成为由于曝露于等离子体之中而产生微粒(particle)的原因的破碎层的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有等离子体处理装置用石英部件的等离子体处理装置。
技术介绍
作为在处理容器内产生等离子体、并在被处理体上进行规定处理的等离子体处理装置的一个例子,有一种等离子体处理装置,其结构是,在处理容器内相对向地配置上部电极和下部电极,在此相对的电极之间导入处理气体,在上部电极和下部电极上施加高频电力,产生等离子体,从而对被处理体进行处理。在如上所述的等离子体处理装置中,为了提高对被处理体的处理效率,在上部电极和下部电极的周边上配置了绝缘材料,将等离子体封闭在被处理体的上方。此绝缘材料一般使用石英。然而,在处理容器内使用该石英材料时,无法避免被蚀刻掉的物质堆积在表面上,若要剥离此堆积的物质,就存在污染被处理体表面的危险。因此,要通过使用磨料在表面上进行表面加工等,使得石英部件形成用于吸 ...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置用石英部件的加工方法,该加工方法是安装于由在处理室内激发的等离子体对被处理体进行规定处理的等离子体处理装置中、并具有露出到所述处理室内的露出面的石英部件的表面加工方法,其特征在于: 所述石英部件的露出面,利用第一粒径的磨料进行表面加工后,用酸进行湿法腐蚀处理。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2001-9-25 292251/2001;JP 2001-10-30 332462/20011.一种等离子体处理装置用石英部件的加工方法,该加工方法是安装于由在处理室内激发的等离子体对被处理体进行规定处理的等离子体处理装置中、并具有露出到所述处理室内的露出面的石英部件的表面加工方法,其特征在于所述石英部件的露出面,利用第一粒径的磨料进行表面加工后,用酸进行湿法腐蚀处理。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置用石英部件的加工方法,其特征在于所述石英部件的露出面,在利用所述第一粒径的磨料进行表面加工前,利用粒径比所述第一粒径大的第二粒径的磨料进行表面加工。3.一种等离子体处理装置用石英部件的加工方法,该加工方法是安装于由在处理室内激发的等离子体对被处理体进行规定处理的等离子体处理装置中、并具有露出到所述处理室内的露出面的石英部件的表面加工方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:杉山智一,三枝秀仁,冈山信幸,饭室俊一,今福光祐,长山将之,三桥康至,中山博之,黄亚辉,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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