半导体制造装置和进行该半导体制造装置的异常检测、异常原因的确定或异常预测的方法制造方法及图纸

为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体制造装置，对该半导体制造装置的构成部件(例如热处理装置的压力调整用阀门或加热器)进行异常检测、异常原因的确定或异常预测的方法，和记录有用于实施该方法的计算机程序的存储介质。
技术介绍
作为制造半导体集成电路等半导体装置的半导体制造装置，例如有对半导体晶片实施成膜的热处理装置、等离子体蚀刻装置、进行抗蚀剂涂敷和显影的液体处理装置等。最近，随着图案线宽的微细化、薄膜化，即使在装置内产生的微小异常，也会极大地影响成品率。因此，准确迅速地查出装置的异常是必要的。下面以分批(Batch)式的热处理装置为例，对半导体制造装置的异常进行说明。在立式的减压CVD(Chemical vapor deposition化学气相沉积)装置中，将基板保持为棚状的保持具被装载到反应管内，向反应管内供应处理气体，同时通过排气管真空排气，利用反应管周围的加热器均匀加热反应管内部，进行成膜处理。如果反应管的气密性变差，则由于外部气体进入反应管内，不能达到预定的压力控制，给成膜处理带来产生不良影响。因此，有必要迅速检测出该异常，进行维护。作为气密性变差的原因，有设置于反应管内的盖体上的树脂密封部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置，为了制造半导体装置而对基板进行处理，其特征在于，具有：边界数据存储部，存储有在二轴坐标系上确定正常区域与异常区域的边界的边界数据，所述二轴坐标系的第一轴和第二轴上分别分配有以选自表示所述半导体制造装置的状态的多个 装置状态参数的第一监视对象参数和与所述第一监视对象参数保持某种相关关系而变化的第二监视参数；第一监视模块和第二监视模块，分别监视所述第一监视对象参数和所述第二监视对象参数的值；判断模块，判断分别通过所述第一模块和第二监视模块 获得的所述第一监视对象参数的值和所述第二监视对象参数的值的组在所述二轴坐标系上的位置包含在所述正...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-12-28 381364/2004;JP 2005-2-7 031111/2005;1.一种半导体制造装置，为了制造半导体装置而对基板进行处理，其特征在于，具有边界数据存储部，存储有在二轴坐标系上确定正常区域与异常区域的边界的边界数据，所述二轴坐标系的第一轴和第二轴上分别分配有以选自表示所述半导体制造装置的状态的多个装置状态参数的第一监视对象参数和与所述第一监视对象参数保持某种相关关系而变化的第二监视参数；第一监视模块和第二监视模块，分别监视所述第一监视对象参数和所述第二监视对象参数的值；判断模块，判断分别通过所述第一模块和第二监视模块获得的所述第一监视对象参数的值和所述第二监视对象参数的值的组在所述二轴坐标系上的位置包含在所述正常区域与所述异常区域的哪一个中；和异常报知模块，在所述判断模块判断所述位置包含在所述异常区域中时，通知在所述半导体制造装置发生异常。2.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于，还具有相关数据生成模块，基于与在所述半导体制造装置处于正常状态时取得的所述第一监视对象参数的值和与所述第二监视对象参数的值的多个对应的组，生成在所述二轴坐标系上表示所述第一和第二监视对象参数的相关关系的相关数据；和边界数据生成模块，基于通过所述相关数据生成模块生成的相关数据，生成在所述二轴坐标系上确定所述正常区域与所述异常区域的所述边界的边界数据。3.如权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于还具有存储所述装置状态参数的履历的装置数据存储部，所述相关数据生成模块，基于存储在所述装置数据存储部中的与所述第一和第二监视对象参数对应的所述装置状态参数，生成所述相关数据。4.如权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于具有显示所述相关数据的显示模块。5.如权利要求4所述的半导体制造装置，其特征在于所述显示模块构成为将所述相关数据和所述边界数据显示在同一个二轴坐标系中。6.如权利要求2所述的半导体制造装置，其特征在于所述边界数据生成模块具有选择用于定义所述边界的近似式的模块；和基于所述相关数据与被选择的所述近似式求出近似式的系数的模块。7.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于所述半导体制造装置是成膜装置，其具有反应容器、与所述反应容器连接的排气线路、设置在所述排气线路上并用于调整所述反应容器内的压力的压力调整阀，所述第一监视对象参数是所述压力调整阀的开度，所述第二监视对象参数是通过在所述反应容器内进行的成膜处理而形成的薄膜的累积膜厚。8.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于还具有反应容器、由为了加热所述容器内而设置在所述反应容器周围的电阻发热体构成的加热器、和检测所述加热器的温度的温度检测部，所述第一监视对象参数是由所述温度检测部检测出的温度，第二监视对象参数是向所述加热器供给的电力。9.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于所述半导体制造装置具有反应容器、由为了加热所述反应容器内而设置在所述反应容器周围的电阻发热体构成的加热器、和检测所述反应容器内的温度的温度检测部，该半导体制造装置是构成为至少基于所述温度检测部的温度检测值，控制向所述加热器供给的电力的成膜装置，所述第一监视对象参数是向所述加热器供给的电力，第二监视对象参数是通过在所述反应容器内进行的成膜处理而形成的薄膜的累积膜厚。10.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于所述半导体制造装置具有反应容器，是构成为在所述反应容器内对基板实施成膜处理的成膜装置，所述半导体处理装置还包括批量大小选择模块，该批量大小选择模块选择作为在所述反应容器内通过一次处理而处理的基板的处理枚数的批量大小，所述边界数据储存部存储有与批量大小分别对应的多个边界数据，所述判断模块构成为，基于与所选择的批量大小对应的边界数据进行判断。11.一种检测半导体制造装置的异常的方法，其特征在于，包括取得选自表示所述半导体制造装置的状态的多个装置状态参数的第一监视对象参数的值、和与所述第一监视对象参数保持某种相关关系而变化的第二监视参数的值的步骤；将取得的所述第一和第二监视对象参数的数值用于所述第一和第二监视对象参数分别分配在第一轴和第二轴上的二轴坐标系中确定正常区域与异常区域的边界的边界数据，判断取得的所述第一和第二监视对象参数的值在所述二轴坐标系上的位置包含在所述正常区域和所述异常区域的哪一个中的步骤；和当所述判断模块判断为所述位置包含在所述异常区域中时，通知所述半导制造装置发生异常的步骤。12.一种存储有计算机程序的存储介质，其特征在于与所述半导体制造装置连接的计算机在运行所述计算机程序时，所述计算机控制所述半导体制造装置，实施权利要求11所述的方法。13.一种半导体制造装置，为了制造半导体装置而对基板进行处理，其特征在于，具备多个监视模块，对选自表示所述半导体制造装置的状态的多个装置状态参数的多个监视对象参数分别进行监视；异常检测模块，基于所述多个监视对象参数中的至少一个值，检测所述半导体制造装置的异常；异常判别数据存储部，存储多个异常判别数据，其中，所述各异常判别数据是，将在所述半导体制造装置中产生...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本浩一，小幡穣，小山典昭，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]