【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体处理用的立式等离子体处理装置，例如涉及在半导体晶片等被处理基板上形成含有硅的绝缘膜等的薄膜的立式等离子体成膜装置。所谓半导体处理是指通过在晶片或LCD(液晶显示器Liquid Crystal Display)这样的FPD(平板显示器Flat Panel Display)用的玻璃基板等被处理基板上，以规定的图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，为了在该被处理基板上制造半导体器件或包括与半导体器件连接的配线、电极等的结构物而实施的各种处理。
技术介绍
在构成半导体集成电路的半导体器件的制造中，在被处理基板、例如半导体(例如硅)晶片上实施成膜、蚀刻、氧化、扩散、改性、退火、自然氧化膜的除去等各种处理。US 2003/0224618 A1公开了立式(所谓间歇式)热处理装置的这种半导体处理方法。在这种方法中，首先将半导体晶片从晶盒移载到立式的晶舟上，分多层支撑。晶盒能够收容例如25块晶片，晶舟能够放置30～150块晶片。其次，将晶舟从处理容器的下方装入其内部的同时，气密地封闭处理容器。其次，在控制处理气体的流量、处理压力、处理温度等各种处理条件的状态下...
【技术保护点】
一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，其特征在于，包括： 具有收容隔着间隔堆起的多个被处理基板的处理区域的处理容器； 在所述处理区域内支撑所述被处理基板的支撑部件； 排出所述处理区域内的气体的排气系统； 一体地附设在所述处理容器上并由具有绝缘性内面的壳体形成的气密的附属室，其中，所述附属室横跨与所述多个被处理基板对应的上下方向的长度而具有等离子体发生区域； 用于在所述等离子体发生区域形成高频电场，并附设在所述处理容器上的电场形成机构； 配设在所述处理区域与所述等离子体发生区域之间并具有绝缘性表面的分隔板，其中，所述分隔板具有横跨与所述多...
【技术特征摘要】
JP 2006-3-24 2006-083579;JP 2006-3-28 2006-0892101.一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，其特征在于，包括具有收容隔着间隔堆起的多个被处理基板的处理区域的处理容器；在所述处理区域内支撑所述被处理基板的支撑部件；排出所述处理区域内的气体的排气系统；一体地附设在所述处理容器上并由具有绝缘性内面的壳体形成的气密的附属室，其中，所述附属室横跨与所述多个被处理基板对应的上下方向的长度而具有等离子体发生区域；用于在所述等离子体发生区域形成高频电场，并附设在所述处理容器上的电场形成机构；配设在所述处理区域与所述等离子体发生区域之间并具有绝缘性表面的分隔板，其中，所述分隔板具有横跨与所述多个被处理基板对应的上下方向的长度而形成的气体流路；和将处理气体供给所述附属室内的处理气体供给系统，其中，所述处理气体在通过所述等离子体发生区域时被激发，通过所述气体流路而被供给所述处理区域。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述处理容器、所述附属室的壳体和所述分隔板由相同的绝缘性材料制成，并且利用焊接互相连接。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述气体流路具有横跨所述多个被处理基板在上下方向隔着间隔配列的多个气体扩散孔，使得形成与所述多个被处理基板平行的气体流。4.如权利要求3所述的装置，其特征在于所述多个气体扩散孔的各孔位于所述多个被处理基板的相邻两个基板之间。5.如权利要求3所述的装置，其特征在于所述多个气体扩散孔沿着多个垂直列进行配列。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述气体流路具有上下方向长的槽。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于所述处理气体供给系统具有为了供给所述处理气体可装卸地与所述附属室连接的喷嘴。8.如权利要求7所述的装置，其特征在于所述喷嘴具有在所述附属室内沿上下方向延伸，同时，横跨与所述多个被处理基板对应的上下方向的长度隔着间隔形成的多个气体喷射孔。9.如权利要求7所述的装置，其特征在于所述附属室从所述处理容器向侧方突出设置，所述处理容器在下部具有法兰，辅助插通管气密地连接在所述附属室与所述法兰之间，所述喷嘴从所述法兰的下方，通过所述辅助插通管而插入所述附属室内。10.如权利要求9所述的装置，其特征在于所述法兰、所述附属室的壳体和所述辅助插通管由相同的绝缘性材料制成，并且利用焊接互相连接。11.一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，其特征在于，包括具有收容隔着间隔堆起的多个被处理基板的处理区域的处理容器；在所述处理区域内支撑所述被处理基板的支撑部件；...
【专利技术属性】
技术研发人员：松浦广行，高桥俊树，佐藤润，相川胜芳，石井胜利，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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