涂敷显影装置及方法、计算机程序及记录有其的记录介质制造方法及图纸

技术编号:3185925 阅读:312 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的目的在于提供以下技术:在基板上形成抗蚀剂膜并对液浸曝光后的基板进行显影处理的装置中,可抑制液浸曝光残留在基板上的水滴对抗蚀剂图案的显像带来的不良影响。若附着在基板上的液滴经过一段时间,则其尺寸急剧减小,这时,着眼于在基板的抗蚀剂膜上形成变质层(水印),在液浸曝光后,在进入液滴的尺寸急剧减小的时间带之前的时间带上,进行基板的搬送控制,使得在洗净部洗净基板。具体地说,在从曝光装置中输出搬出准备信号时,优先于其他的搬送作业,接口部的基板搬送单元将搬送台上的基板搬送至洗净部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在基板的表面上涂敷抗蚀剂液并且对液浸曝光后的基板进行显影的涂敷显影装置和涂敷显影方法。
技术介绍
作为在半导体晶片(以下称为“晶片”)或者LCD(液晶显示器)用的玻璃基板等基板上形成抗蚀剂图案的方法,通过连接有涂敷、显影装置和曝光装置的系统来进行实施,其中,该涂敷、显影装置包括用于在基板上涂敷抗蚀剂液的涂敷部和对曝光后的基板进行显影的显影部等。作为曝光装置的曝光技术,具有下述方法,即,为了进一步改良利用现有光源(例如氟化氩(ArF)或者氟化氪(KrF))进行的曝光技术以提高清晰度,而在基板的表面形成使光透过的液相,并在此状态下进行曝光(以下称为“液浸曝光”)。参照图11简单说明进行该液浸曝光的曝光装置。在利用未图示的保持机构而被保持为水平姿势的晶片W的上方,配置有与晶片W的表面隔开间隙并与之相对的曝光单元1。在上述曝光单元1的中央前端部设置有透镜10,在该透镜10的外周侧分别设置有供给用于在晶片W的表面形成液层的溶液(例如纯水)用的供给口11、以及用于吸引供给晶片W的纯水并进行回收的吸引口12。这时,在从上述供给口11向晶片W的表面供给纯水的同时,利用吸引口12回收该纯水,由此,在透镜10和晶片W的表面之间形成液膜(纯水膜)。然后,由未图示的光源发出光,使该光通过该透镜10,并透过该液膜而被照射到晶片W上,由此,在抗蚀剂上转印规定的电路图案。接着,例如,如图12所示,当在透镜10和晶片W的表面之间形成有液膜的状态下,使曝光单元1横向滑移,将该曝光单元1配置在与下一个转印区域(拍摄(shot)区域)13对应的位置上,通过反复进行照射光的动作,而在晶片W的表面顺次转印规定的电路图案。其中,曝光区域13记载为比实际要大。此外,还记载有在晶片的表面上形成防水性保护膜的技术,使得当在晶片上涂敷抗蚀剂液后并且进行液浸曝光之前,能够在抑制抗蚀剂的溶解析出的同时,使液浸曝光时的水滴难以残留在晶片表面(专利文献1)。作为上述液浸曝光的课题之一,列举有在水滴残留于晶片上的状态下将其从曝光装置搬送至涂敷、显影装置侧的可能性。虽然会在曝光后对晶片W进行加热处理,但是,若晶片上有水滴,则因为存在水滴部位的温度会变成与其他部位温度不同等的原因,而会对其正下方的图像显像带来不良影响。所以,有必要洗净曝光后的晶片的表面以除去水滴。所以,虽然对在涂敷、显影装置侧设置洗净装置的方案进行研究,但是,当水滴附着在晶片上后,其尺寸会随着时间的流逝而逐渐变小,在某一时刻尺寸会迅速变小。若晶片的洗净时刻处在水滴尺寸急速变小的时间带中,则水滴会渗入保护膜内并到达抗蚀剂膜的表面,形成相对于显影液的不溶解层、即所谓的水膜,因此,会对图案的线宽的均匀性带来不良影响。另外,一般从生成微粒的观点出发,而进行如下操作,使得对于曝光前的晶片,在周边曝光部曝光晶片的周边部,在供给显影液时除去晶片周边部的抗蚀剂。但是,因为有可能在周边曝光时损伤保护膜,所以,正在研究将晶片从曝光装置送回涂敷、显影装置侧之后再进行周边曝光的方案。另一方面,就化学增幅型的抗蚀剂而言,为了使在曝光时发生的酸的扩散程度在晶片间保持一致,优选使从曝光晶片的时刻开始到开始加热处理为止的时间(PED时间)一致。为此,在使用组装有热板和兼用作晶片专用支臂的冷却板的加热部时,例如,通过将晶片载置在冷却板上来调整该待机时间,而能够实现PED时间的恒定化(专利文献2)。但是,在冷却板上进行PED时间的调整的方法,存在加热部的台数增多、以及成本提高的缺点。相对于此,若通过设置待机部,在该待机部上对晶片进行PED时间的调整,并在此之后将晶片从该待机部搬送至加热部,那么,在晶片搬送臂的作业中,因为从将晶片搬入洗净部或者周边曝光部开始到将其搬出为止的时间不规则,所以在待机部的时间的调整幅度变大。尤其是,因为通过设置洗净部而增加一个放置晶片的模块,若要确保高生产量,则有必要仔细研究晶片搬送臂的控制程序,若晶片间的从待机部搬出的时刻相差过大,则晶片搬送臂的控制就变得极其困难(如果不顾及生产量则不会引起这样的问题)。专利文献1日本特开2005-175079号公报(权利要求1、0036)专利文献2日本特开2004-193597号公报(段落0071~0074以及图4)
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供以下技术在基板上形成抗蚀剂膜并对液浸曝光后的基板进行显影处理的装置中,能够抑制液浸曝光残留在基板上的水滴对抗蚀剂图案的显像所带来的不良影响。另外,本专利技术的另一目的在于提供以下技术对完成液浸曝光的基板进行周边曝光,同时,控制从结束曝光到开始加热处理的时间,使其在基板间保持一致,这时,能够易于进行基板的搬送控制。本专利技术涉及一种涂敷、显影装置,在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜,并在加热部中对在曝光装置中被液浸曝光后的基板进行加热处理,之后,在显影处理部中进行显影处理,其特征在于,包括洗净液浸曝光后的基板表面的洗净部;向该洗净部交接液浸曝光后的基板的第一基板搬送单元;和控制部,在从液浸曝光的完成时刻开始的经过时间与液浸曝光时残留在基板上的液滴尺寸之间的关系中,在进入液滴尺寸急剧变小的时间带之前的时间带中,进行利用所述基板搬送单元进行的基板搬送控制,使得在洗净部洗净基板。作为本专利技术具体实施方式,基板搬送单元构成为将曝光前的基板交接至搬入台,其中,该搬入台用于将基板搬入曝光装置,从用于将基板从曝光装置搬出的搬出台接收曝光后的基板,并向上述洗净部搬送,上述控制部,例如在接到来自曝光装置的基板的搬出准备信号时,控制上述基板搬送单元,使得优先于其他的搬送作业,将上述搬出台上的基板搬入洗净部。另外,在构成为还包括用于使已在上述洗净部洗净的基板待机的待机部;在进行在上述加热部中的加热处理之前,对搬出该待机部的基板进行周边部的曝光的周边曝光部;以及从上述待机部取出基板,并将其搬送至上述周边曝光部,而且在周边曝光后向上述加热部搬送基板的第二基板搬送单元的情况下,优选上述控制部进行如下控制为了使从洗净部中的基板洗净开始时刻开始、到将该基板搬送至周边曝光部为止的时间为预先定好的设定时间,使基板在上述待机部待机,同时,控制第二基板搬送单元,使得优先于其他的搬送作业,将完成周边曝光的基板搬送到加热部。另外,在本专利技术中能够采用具有保护膜形成部的结构,保护膜形成部在抗蚀剂膜上涂敷药液,形成用于在液浸曝光时保护基板表面的防水性的保护膜。本专利技术另一方面涉及一种涂敷、显影方法,在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜,对于在曝光装置中被液浸曝光后的基板,在加热部中进行加热处理,之后,在显影处理部进行显影处理,其特征在于,包括利用第一基板搬送单元将液浸曝光后的基板搬送至洗净部的工序;在该洗净部洗净基板表面的工序;和在从液浸曝光完成时刻开始的经过时间与液浸曝光时残留在基板上的液滴尺寸之间的关系中,在进入液滴尺寸急剧减小的时间带之前的时间带中,进行基板的搬送控制,使得在洗净部洗净基板的工序。在本专利技术中,也可以包括如下工序将在上述洗净部洗净的基板搬送至待机部的工序;为了使从上述洗净部中的基板的洗净开始时刻开始、到将该基板搬送至周边曝光部为止的时间为预先定好的设定时间,而使基板在上述待机部待机的工序;利用上述第二基板搬送单元将基板搬出本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种涂敷、显影装置,在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜,并在加热部中对在曝光装置中被液浸曝光后的基板进行加热处理,之后,在显影处理部中进行显影处理,其特征在于,包括:洗净液浸曝光后的基板表面的洗净部;向该洗净部交接液浸曝光后的基板的第一基板搬送单元;和控制部,在从液浸曝光的完成时刻开始的经过时间与液浸曝光时残留在基板上的液滴尺寸之间的关系中,在进入液滴尺寸急剧变小的时间带之前的时间带中,进行利用所述基板搬送单元进行的基板搬送控制,使得在洗净部洗净基板。

【技术特征摘要】
JP 2005-12-8 2005-3552851.一种涂敷、显影装置,在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜,并在加热部中对在曝光装置中被液浸曝光后的基板进行加热处理,之后,在显影处理部中进行显影处理,其特征在于,包括洗净液浸曝光后的基板表面的洗净部;向该洗净部交接液浸曝光后的基板的第一基板搬送单元;和控制部,在从液浸曝光的完成时刻开始的经过时间与液浸曝光时残留在基板上的液滴尺寸之间的关系中,在进入液滴尺寸急剧变小的时间带之前的时间带中,进行利用所述基板搬送单元进行的基板搬送控制,使得在洗净部洗净基板。2.根据权利要求1所述的涂敷、显影装置,其特征在于所述基板搬送单元构成为,将曝光前的基板交接给用于将基板搬入曝光装置的搬入台,从用于将基板从曝光装置搬出的搬出台接收曝光后的基板,并向所述洗净部对其进行搬送,所述控制部在从曝光装置接到基板搬出准备信号时,控制所述基板搬送单元,使得优先于其他搬送作业,将所述搬出台上的基板搬入洗净部。3.根据权利要求1或2所述的涂敷、显影装置,其特征在于,还包括用于使已由所述洗净部洗净的基板待机的待机部;对于从该待机部搬出的基板,在所述加热部中进行加热处理之前,进行周边部的曝光的周边曝光部;和用于从所述待机部取出基板并将其搬送至所述周边曝光部,而且在周边曝光后向所述加热部进行搬送而设置的第二基板搬送单元,其中,所述控制部进行如下控制为了使从洗净部中的基板洗净开始时刻开始、到将该基板搬送至周边曝光部为止的时间为预先定好的设定时间,使基板在所述待机部待机,同时,控制第二基板搬送单元,使得优先于其他的搬送作业,将完成周边曝光的基板搬送到加热部。4.根据权利要求1或2所述的涂敷、显影装置,其特征在于,包括在抗蚀剂膜上涂敷药液,形成用于在液浸曝光时保护基板的表面的防水性保护膜的保护膜形成部。5.一种涂敷、显影方法,在基板上涂敷抗蚀剂液以形成抗蚀剂膜,对于在曝光装置中被液浸曝光后的基板,在加热部中进行加热处理,之后,在显影处理部进行显影处理,其特征在于,包括利用第一基板...

【专利技术属性】
技术研发人员:石田省贵山本太郎
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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