等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质技术

本发明专利技术提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室（１０）内支承晶片用的下部电极１６上从第一高频电源（８８）施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源（９０）施加相对低频率的第二高频电，在与下部电极（１６）相对配置的上部电极（３４）上，从可变直流电源（５０）施加直流电压，向腔室（１０）内提供不含ＣＦ类气体的处理气体，进行等离子体化，使用含有硅的掩膜，对被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜进行等离子体蚀刻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对半导体基板等的被处理基板实施等离子体蚀刻处理的等离子体蚀刻方法，以及计算机可读取的存储介质。
技术介绍
例如在半导体器件的制造工序中，为了在形成在作为被处理基板的半导体晶片上的规定的层上，形成规定的图案，大多采用把抗蚀剂膜作为掩膜，用等离子体进行蚀刻的等离子体蚀刻处理。 作为进行这样的等离子体蚀刻用的等离子体蚀刻装置，使用各种各样的装置，但其中以电容耦合型平行平板等离子体处理装置为主。 电容耦合型平行平板等离子体处理装置在腔室内配置一对平行平板电极(上部和下部电极)，把处理气体导入腔室内，并且向电极的一方上施加高频电，在电极之间形成高频电场，利用此高频电场形成处理气体的等离子体，对半导体晶片的规定的层实施等离子体蚀刻。 具体地说，有一种等离子体蚀刻装置，其在上部电极上施加形成等离子体用的高频电，形成等离子体，在下部电极上施加引入离子用的高频电，由此形成适当的等离子体状态，这样，就可以以高选择比进行再现性高的蚀刻处理(例如专利文献1)。 使用这样的电容耦合型平行平板等离子体处理装置，在以无机类材料膜作为掩膜，对有机类材料膜进行蚀刻时，作为用于以高蚀刻速率而且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：是使用等离子体蚀刻装置的、被处理基板的等离子体蚀刻方法，所述等离子体蚀刻装置包括，收容被处理基板并可以进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极 ；对所述第二电极施加相对高频率的第一高频电力的第一高频电施加单元；对所述第二电极施加相对低频率的第二高频电力的第二施加高频电单元；对所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体 供给单元，在使用含有硅的掩膜蚀刻被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜...

【技术特征摘要】
JP 2005-12-28 2005-3786081.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于是使用等离子体蚀刻装置的、被处理基板的等离子体蚀刻方法，所述等离子体蚀刻装置包括，收容被处理基板并可以进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；对所述第二电极施加相对高频率的第一高频电力的第一高频电施加单元；对所述第二电极施加相对低频率的第二高频电力的第二施加高频电单元；对所述第一电极施加直流电压的直流电源；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，在使用含有硅的掩膜蚀刻被处理基板上的有机膜或非结晶碳膜时，把所述第一高频电力和第二高频电力施加在所述第二电极上，使从所述处理气体供给单元吐出的、不含CF类气体的处理气体等离子体化，并且把直流电压施加在所述第一电极上，由此，进行所述被处理基板的等离子体蚀刻。2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤学，五十岚义树，昆泰光，本田昌伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]