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本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在使用含硅的掩膜对被处理基板上的有机膜或非晶态碳膜进行蚀刻时，能够以高蚀刻速率和高蚀刻选择比进行蚀刻。在腔室（１０）内支承晶片用的下部电极１６上从第一高频电源（８８）施加相对高频率的第一高频电，从第二高频电源...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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