半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，在被处理体上配设的被蚀刻膜（７４）上，形成具有规定开口图案的蚀刻掩模（７５ｂ）。然后，在第一处理室内，通过蚀刻掩模（７５ｂ）的开口图案，对被蚀刻膜（７４）实施蚀刻处理，在被蚀刻膜上形成槽或孔（７８ａ）。然后，将蚀刻处理后的被处理体在真空气氛下，从第一处理室搬送至第二处理室。然后，在第二处理室内，对作为被蚀刻膜（７４）的露出部的槽或孔（７８ａ）的侧面部实施硅烷化处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，特别是涉及对形成半导体器件的配线槽或连接孔方法的改进。例如为了要用单波形花纹法(single Damascene)或双重波形花纹法(dual damascene)形成多层配线结构，利用这样的配线槽或连接孔。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，为了形成多层配线结构，大多采用双重波形花纹法(例如参照日本专利特开2002-83869号公报)。图20是按工序的顺序表示用双重波形花纹法形成配线结构的现有工艺的截面图。首先，在基板上例如从下面开始依次形成配线层500、层间绝缘膜501、防止反射膜502，在该多层膜结构的表面上形成第一抗蚀剂膜503(图20(a))。然后利用照相平版印刷技术使第一抗蚀剂膜503形成规定的图案(图20(b))。在该图案化的工序中，第一抗蚀剂膜503以规定的图案曝光，通过显影，有选择地除去该曝光部。接着，通过将该第一抗蚀剂膜503作为掩模的蚀刻处理，对防止反射膜502和层间绝缘膜501进行蚀刻。由此，从多层膜结构的表面形成通往配线层500的接触孔504(图20(c))。然后例如用灰化处理将不需要的第一抗蚀剂膜503剥离除去(图20(d))，代之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在配设在被处理体上的被蚀刻膜上形成具有规定开口图案的蚀刻掩模的工序；在第一处理室内，通过所述蚀刻掩模的所述开口图案，对所述被蚀刻膜实施蚀刻处理，由此在所述被蚀刻膜上形成槽或孔的工序 ；在真空气氛下，将所述蚀刻处理后的所述被处理体从所述第一处理室搬送至第二处理室的工序；和在所述第二处理室内，对作为所述被蚀刻膜的露出部的所述槽或孔的侧面部实施硅烷化处理的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-7-2 196698/2004;JP 2004-12-10 358609/20041.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括在配设在被处理体上的被蚀刻膜上形成具有规定开口图案的蚀刻掩模的工序；在第一处理室内，通过所述蚀刻掩模的所述开口图案，对所述被蚀刻膜实施蚀刻处理，由此在所述被蚀刻膜上形成槽或孔的工序；在真空气氛下，将所述蚀刻处理后的所述被处理体从所述第一处理室搬送至第二处理室的工序；和在所述第二处理室内，对作为所述被蚀刻膜的露出部的所述槽或孔的侧面部实施硅烷化处理的工序。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述硅烷化处理之前，将水蒸气供给至所述第二处理室内，使水分吸附在所述槽或孔的侧面部的工序。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在将所述被处理体搬送至所述第二处理室之前，从所述被处理体上除去所述蚀刻掩模的工序。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅烷化处理包括将含有在分子内具有硅氮烷键(Si-N键)的化合物的硅烷化剂，供给至所述第二处理室内的工序。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述化合物包括TMDS(1，1，3，3-四甲基二硅氮烷或TMSDMA(二甲基氨基三甲基硅烷)。6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括在配设在被处理体上的被蚀刻膜上形成具有规定开口图案的蚀刻掩模的工序；在处理室内，通过所述蚀刻掩模的所述开口图案，对所述被蚀刻膜实施蚀刻处理，由此在所述被蚀刻膜上形成槽或孔的工序；和在所述处理室内，对作为所述被蚀刻膜的露出部的所述槽或孔的侧面部实施硅烷化处理的工序。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括在所述硅烷化处理之前，将水蒸气供给至所述处理室内，使水分吸附在所述槽或孔的侧面部的工序。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括在将水蒸气供给至所述处理室内之前，从所述被处理体上除去所述蚀刻掩模的工序。9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅烷化处理包括将含有在分子内具有硅氮烷键(Si-N键)的化合物的硅烷化剂，供给至所述处理室内的工序。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述化合物包括TMDS(1，1，3，3-四甲基二硅氮烷)或TMSDMA(二甲基氨基三甲基硅烷)。11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括在配设在被处理体上的被蚀刻膜上形成具有规定开口图案的蚀刻掩模的工序；通过所述蚀刻掩模的所述开口图案，对所述被蚀刻膜实施蚀刻处理，由此在所述被蚀刻膜上形成槽或孔的工序；在所述蚀刻处理后，通过对所述蚀刻掩模实施灰化处理，从所述被处理体上除去所述蚀刻掩模的工序；和在所述灰化处理后，对作为所述被蚀刻膜的露出部的所述槽或孔的侧面部实施硅烷化处理的工序。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述蚀刻处理、所述灰化处理和所述硅烷化处理在一个处理系统内连续进行，而不使所述被处理体暴露在大气中。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述蚀刻处理和所述灰化处理在一个处理室内进行。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述蚀刻处理、所述灰化处理和所述硅烷化处理在一个处理室内进行。15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括在所述灰化处理后且在所述硅烷化处理之前，对所述被处理体实施洗净处理的工序。16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述洗净处理包括为了除去所述蚀刻掩模的残渣而...

【专利技术属性】
技术研发人员：志村悟，久保田和宏，浅子龙一，高山星一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]