接触窗的形成方法技术

一种接触窗的形成方法，首先提供衬底，衬底上已形成至少二个导体元件，且二个导体元件之间有间隙。然后，在衬底上形成第一介电层以覆盖导体元件与间隙，其中所形成的第一介电层中具有隙缝，且隙缝是形成于间隙内。接着，移除间隙内的部分第一介电层以形成一开口，以扩大隙缝的宽度。随后，在第一介电层上形成第二介电层，且填满开口。之后，移除间隙内的部分第二介电层与部分第一介电层，直至暴露出部分衬底表面，以于相对应开口的位置形成一个接触窗开口。然后，于接触窗开口中填入导体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件的形成方法，尤其涉及一种。
技术介绍
在集成电路元件的发展过程中，藉由缩小元件的尺寸可达到高速操作和低耗电量的目的。然而，由于目前缩小元件尺寸的技术遭受到工艺技术瓶颈、成本昂贵等因素的限制，所以需发展其他不同于缩小元件的技术，以改善元件的驱动电流。因此，有人提出在晶体管的沟道区利用应力(stress)控制的方式，来克服元件缩小化的极限。此方法为藉由使用应力改变硅(Si)晶格的间距，以增加电子和空穴的迁移率(mobility)，进而提高元件的效能。目前一种利用应力控制方式增加元件效能的方法，是利用作为接触窗蚀刻终止层(contact etch stop layer)的氮化硅层来产生应力，提高元件的驱动电流(drive current)，以达到增加元件效能的目的。然而，上述方法于工艺中仍然存在有一些问题无法解决，而影响到元件的效能。图1A至图1E为现有的接触窗形成方法的流程剖面示意图。首先，请参照图1A，于衬底100上形成多个金属氧化物半导体晶体管102，且相邻的二金属氧化物半导体晶体管102之间有一间隙104。然后，请参照图1B，在衬底100上方形成一层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触窗的形成方法，包括：提供一衬底，该衬底上已形成有至少二导体元件，且该二导体元件之间具有一间隙；于该衬底上方形成一第一介电层，覆盖该二导体元件，且填入该间隙中，其中形成于该间隙内的该第一介电层中具有一隙缝；移除 该间隙内的部分该第一介电层以形成一开口，以扩大该隙缝的宽度；于该第一介电层上形成一第二介电层，且填满该开口；移除该间隙内的部分该第二介电层与部分该第一介电层，直至暴露出部分该衬底表面，以于相对应该开口的位置形成一接触窗开口； 以及于该接触窗开口中填入一导体层。

【技术特征摘要】
1.一种接触窗的形成方法，包括提供一衬底，该衬底上已形成有至少二导体元件，且该二导体元件之间具有一间隙；于该衬底上方形成一第一介电层，覆盖该二导体元件，且填入该间隙中，其中形成于该间隙内的该第一介电层中具有一隙缝；移除该间隙内的部分该第一介电层以形成一开口，以扩大该隙缝的宽度；于该第一介电层上形成一第二介电层，且填满该开口；移除该间隙内的部分该第二介电层与部分该第一介电层，直至暴露出部分该衬底表面，以于相对应该开口的位置形成一接触窗开口；以及于该接触窗开口中填入一导体层。2.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该第一介电层的材质包括氮化硅。3.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该第一介电层的厚度介于100至2000埃之间。4.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该第一介电层的厚度介于500至1500埃之间。5.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该第一介电层的厚度为1000埃。6.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中移除该间隙内的部分该第一介电层以形成一开口的方法包括于该第一介电层上形成一光致抗蚀剂层；对该光致抗蚀剂层进行一光刻工艺，形成一图案化的光致抗蚀剂层，以暴露出该第一介电层中的该隙缝；以该图案化的光致抗蚀剂层为蚀刻掩模，蚀刻部分该第一介电层以形成该开口；以及移除该图案化的光致抗蚀剂层。7.如权利要求6所述的接触窗的形成方法，其中在该光致抗蚀剂层形成之前，还包括于该第一介电层上形成一底部抗反射层。8.如权利要求1所述的接触窗的形成方法，其中该第二介电层的材质包括氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃或未掺杂硅玻璃/磷硅玻璃。9.一种接触窗的形成方法，包括提供一衬底，该衬底上已形成有至少二金属氧化物半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建伦，陈能国，蔡腾群，黄建中，许绍达，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]