掩模图案布置方法技术

本发明专利技术提供一种掩模图案布置方法，此方法包括具有第一掩模图案的第一掩模，具有第二掩模图案的第二掩模，第一掩模图案和第一掩模的相对位置不同于第二掩模图案和第二掩模的相对位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种多个掩模图案与透镜组的相对位置都不同，以减轻面板透镜不均现象的。
技术介绍
在进行曝光工艺时，扫描式曝光机台(scan exposure apparatus)的光源产生器会产生i-line、KrF激光或ArF激光等曝光光线，并依次通过掩模及投影透镜(projection lens)而投射于半导体芯片或玻璃等基板表面的光致抗蚀剂层时，用以将掩模上的电路图案转移至基板的预定部份面积上(此又称为一个scan)，当作蚀刻屏蔽或者是离子注入屏蔽。接着扫描式曝光机台的基板平台(plate stage)或掩模平台(mask stage)再快速移动到下一定位并进行上述相同的曝光步骤，以步进地将掩模上的图案转移至整个基板表面的光致抗蚀剂层中。近年来，随着LCD和PDP等平面显示器的尺寸不断增加，这也使得掩模的尺寸也演变成越来越大。因此，现行曝光机台的透镜组通常由多个透镜所组成，并以1比1的等比例方式，将掩模图案转移到玻璃基板上。然而每个透镜本身特性的细微差距、透镜与透镜之间的重迭部分，或者透镜组长期使用所造成的精度误差，都可能影响通过各透镜的曝光光线的均匀性。请参阅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模图案布置方法，该方法提供一具有一第一掩模图案的第一掩模以及一具有一第二掩模图案的第二掩模，且该第一掩模图案和该第一掩模的相对位置不同于该第二掩模图案和该第二掩模的相对位置。

【技术特征摘要】
1.一种掩模图案布置方法，该方法提供一具有一第一掩模图案的第一掩模以及一具有一第二掩模图案的第二掩模，且该第一掩模图案和该第一掩模的相对位置不同于该第二掩模图案和该第二掩模的相对位置。2.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模应用于一薄膜晶体管显示面板的曝光工艺。3.如权利要求2所述的方法，其中该曝光工艺利用一布置有一多透镜的透镜组的曝光机台加以实施。4.如权利要求3所述的方法，其中该曝光机台包含一扫描式曝光机台。5.如权利要求2所述的方法，其中该第一掩模图案为一形成栅极电极的掩模图案，而该第二掩模图案为一形成源极/漏极的掩模图案。6.如权利要求5所述的方法，其中该曝光工艺为还包括一第三掩模图案、一第四掩模图案和一第五掩模图案的曝光工艺。7.如权利要求6所述的方法，其中该第三掩模图案为一形成半导体层的掩模图案，该第四掩模为一形成接触孔的掩模图案，该第五掩模为一形成像素电极的掩模图案。8.如权利要求7所述的方法，其中该掩模图案依照该曝光工艺的排列顺序依次为该第一掩模图案、该第三掩模图案、该第二掩模图案、该第四掩模图案和该第五掩模图案。9.如权利要求6所述的方法，其中该第三掩模图案、该第四掩模图案和该第五掩模图案分别位于一第三掩模、一第四掩模和一第五掩模上。10.如权利要求9所述的方法，其中该第三、四和五掩模图案与对应的该第三、四和五掩模的相对位置，择其一与该第一和二掩模图案与对应的该第一和二掩模的相对位置不同。11.如权利要求9所述的方法，其中该第三、四和五掩模图案与对应的该第三、四和五掩模的相对位置，择其二与该第一和二掩模图案与对应的该第一和二掩模的相对位置不同。12.如权利要求9所述的方法，其中该第一、二、三、四和五掩模图案与对应的该第一、二、三、四和五掩模的相对位置都不同。13.如权利要求2所述的方法，用于改善该薄膜晶体管显示面板在该曝光工艺中发生透镜不均的现象。14.一种改善面板透镜不均的方法，该方法应用于一布置有一多透镜的透镜组的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁雅闵，何建国，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]