接触窗的形成方法技术

本发明专利技术公开一种接触窗的形成方法，其包括以下步骤：提供基底；形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出基底的表面；在基底上形成层间介电层；移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口；以及对开口填充导电材料而形成接触窗。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种，其包括以下步骤：提供基底；形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出基底的表面；在基底上形成层间介电层；移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口；以及对开口填充导电材料而形成接触窗。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，且特别是涉及一种。
技术介绍
非挥发性存储器元件由于具有可多次数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的非挥发性存储器元件，包括多个选择晶体管以及多个存储单元。存储单元一般是被设计成具有堆叠式栅极(Stacked-Gate)结构，其中包括穿隧介电层、浮置栅极(Floating Gate)、栅间介电层以及控制栅极(Control Gate)。选择晶体管一般来说具有选择栅极与栅介电层。为了将这些选择晶体管电连接至位线，通常在选择晶体管之间形成开口并在开口中填入导电材料而形成接触窗，由此使选择晶体管的选择栅极与位线电连接。然而，为了提高存储器元件的储存容量，一般是增加单位体积的存储器中的存储单元的数量。不过，存储单元的数量增加使得存储器中各构件更密集。对于反及栅型存储器而言，选择栅极彼此间的距离越来越小。当在选择栅极之间形成接触窗时，由于需要形成高宽比很大的接触窗开口，若使用现有的，则会得到具有底切(under cut)或侧蚀(side etch) /弓形(Bowing)轮廓的接触窗开口，而使得接触窗的长轴方向与欲电连接的基底表面并非垂直。此种底切(under cut)或侧蚀(side etch) /弓形(Bowing)轮廓将导致后续制作工艺中将钨填入接触窗开口后，在接触窗开口中有些部分没有填满钨，在其中产生细缝(seam)，如此将提高接触窗的电阻值，造成不利的影响。此外，随着元件密度缩小，侧蚀(side etch)/瓶状(Bowling)轮廓的接触窗会造成相邻的选择栅极或位线接触窗彼此之间的短路。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种，利用此方法所得到的接触窗的长轴方向几乎与基底表面垂直，且不具有底切或侧蚀/弓形轮廓，因此不容易造成存储器中随着尺寸变小所引起的选择栅极彼此之间以及位线接触窗彼此之间的短路。本专利技术提出一种包括以下步骤:提供基底；形成图案化的非结晶碳层(a-c)或旋涂式涂布材料层(S0HM+UL)，其中非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出基底的表面；在基底上形成层间介电层；移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口 ；以及对开口填充导电材料而形成接触窗。在本专利技术的一实施例中，还包括在基底上形成至少一层抗反射层。在本专利技术的一实施例中，在形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层之后，在基底上形成层间介电层之前，还包括在基底上形成衬层。在本专利技术的一实施例中，移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的方法包括化学机械研磨法。在本专利技术的一实施例中,旋涂式涂布材料层包括涂布硬掩模(SOHM, spin on hardmask)层以及底层(UL, under la / er)。在本专利技术的一实施例中，层间介电层的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在本专利技术的一实施例中，抗反射层的材质包括氮氧化硅。在本专利技术的一实施例中，导电材料的材质为鹤金属。在本专利技术的一实施例中，衬层的材质包括原子层形成氧化层或氮化硅层。本专利技术提出一种存储器的，包括:提供基底，基底上已形成有多个存储器的选择栅极；在这些选择栅极之间，形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；在基底上形成层间介电层；移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口 ；以及对开口填充导电材料而于这些选择栅极之间形成接触窗。在本专利技术的一实施例中，还包括在基底上形成至少一层抗反射层。在本专利技术的一实施例中，在这些选择栅极之间，形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层之后，在基底上形成层间介电层之前，更包括在基底上形成衬层。在本专利技术的一实施例中，移除层间介电层的一部分至露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的方法包括化学机械研磨法。在本专利技术的一实施例中，在这些选择栅极之间，形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层包括:在基底上形成非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；以及图案化非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，使经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层位于这些选择栅极之间。在本专利技术的一实施例中，该旋涂式涂布材料层包括涂布硬掩模(S0HM层，spin onhard mask)以及底层(UL，Under layer,)。在本专利技术的一实施例中，层间介电层的材质包括自旋涂布氧化硅(S0D)、硼磷氧化硅(BPSG)。在本专利技术的一实施例中，抗反射层的材质包括氮氧化硅。在本专利技术的一实施例中，导电材料的材质为钨金属。在本专利技术的一实施例中，衬层的材质包括原子层形成氧化层或氮化硅层。本专利技术的所制造出的接触窗，其长轴方向几乎与基底表面垂直，且不具有底切以及侧蚀的现象，因此改善存储器中随着尺寸变小所引起的选择栅极彼此之间以及位线接触窗彼此之间的短路。基于上述，本专利技术的不仅适用于存储器中接触窗的形成，也适用于一般半导体制作工艺中接触窗的形成，而且所形成的接触窗，其长轴方向几乎与基底表面垂直，且不具有底切或侧蚀/弓形轮廓，因此不容易造成存储器中随着尺寸变小所引起的选择栅极彼此之间以及位线接触窗彼此之间的短路。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1A至图1D是根据本专利技术的一实施例所绘示的存储器的的剖面示意图；图2A至图2D是根据本专利技术的另一实施例所绘示的接触窗的制造方法的剖面流程图。主要元件符号说明100 > 200:某底110:存储器120:选择晶体管122:栅介电层124:选择栅极130:存储单元132:穿隧介电层134:浮置栅极136:栅间介电层138:控制栅极`140:非结晶碳层或旋涂式涂布材料层150:抗反射层151:多层抗反射层152:底层抗反射层160:衬层170:层间介电层180:开口190:接触窗【具体实施方式】本专利技术提供一种，以下以存储器制作工艺为例，进行说明。图1A至图1D是根据本专利技术的一实施例所绘示的存储器的的剖面示意图。请参照图1A，首先提供基底100，基底100上已形成有存储器110，举例而言，存储器110例如为「反或」(NOR)型以及「反及」(NAND)型存储器。存储器110包括多个选择晶体管120以及多个存储单元130。选择晶体管120包括栅介电层122以及选择栅极124。存储单元130包括穿隧介电层132、浮置栅极134、栅间介电层136以及控制栅极138。接着，在基底100上形成非结晶碳层或旋涂式涂布材料层140。非结晶碳层的形成方法可以采用例如化学气相沉积法等公知的方法。旋涂式涂布材料层的形成方法可以采用例如旋涂法。旋涂式涂布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接触窗的形成方法，包括：提供一基底；形成图案化的一非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出该基底的表面；在该基底上形成一层间介电层；移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成一开口；以及对该开口填充一导电材料而形成一接触窗。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谢荣源，陈仕锡，韩敬仁，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：