【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种，其包括以下步骤：提供基底；形成图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出基底的表面；在基底上形成层间介电层；移除层间介电层的一部分以露出经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成开口；以及对开口填充导电材料而形成接触窗。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体元件的制造方法，且特别是涉及一种。
技术介绍
非挥发性存储器元件由于具有可多次数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的非挥发性存储器元件，包括多个选择晶体管以及多个存储单元。存储单元一般是被设计成具有堆叠式栅极(Stacked-Gate)结构，其中包括穿隧介电层、浮置栅极(Floating Gate)、栅间介电层以及控制栅极(Control Gate)。选择晶体管一般来说具有选择栅极与栅介电层。为了将这些选择晶体管电连接至位线，通常在选择晶体管之间形成开口并在开口中填入导电材料而形成接触窗，由此使选择...
【技术保护点】
一种接触窗的形成方法，包括：提供一基底；形成图案化的一非结晶碳层或旋涂式涂布材料层，其中该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层的两侧露出该基底的表面；在该基底上形成一层间介电层；移除该层间介电层的一部分以露出经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层；移除经图案化的该非结晶碳层或旋涂式涂布材料层而形成一开口；以及对该开口填充一导电材料而形成一接触窗。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谢荣源，陈仕锡，韩敬仁，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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