【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对处理系统中的过程的监视,尤其涉及使用具有一体的传输设备的监视设备来监视一个过程。
技术介绍
半导体工业中,集成电路(IC)的制造一般使用等离子体来在等离子体反应室中建立和辅助从基片移除材料或者在基片上淀积材料所需的表面化学。一般,通过加热电子以使之具有足以维持与所供应的处理气体的离子化碰撞的充分能量,从而在真空条件下在等离子体反应器中形成等离子体。另外,被加热的电子具有足以维持离解碰撞(dissociative collision)的足够能量,因此,选择预定条件(例如室压、气体流速等)的特定气体集合,来产生适合在该室内执行的特定处理(例如从基片上移除材料的蚀刻处理,或者在基片上添加材料的淀积处理)的大量带电荷核素和化学活性核素。例如在蚀刻过程中,在判断等离子体处理系统的状态、确定正生产的设备质量时,监视等离子体处理系统可能是非常重要的。可以使用另外的处理数据来避免对系统状态和正在生产的产品的状态得出错误的结论。例如,等离子体处理系统的连续使用可能会导致等离子体处理性能的逐渐下降,最终导致系统完全失灵。另外的与处理相关的数据以及与设备相关的数据会改善对材料处理系统的管理以及所生产的产品的质量。
技术实现思路
本专利技术提供了一种设备和方法,用于监视处理系统中的处理,尤其是具有一体的传输设备的处理监视设备,以及使用具有一体的传输设备的处理监视设备监视处理系统中的处理的方法。本专利技术提供了一种设备和方法,用于监视材料处理系统中的等离子体处理,尤其是具有一体的传输设备的等离子体监视设备,以及使用具有一体的传输设备的等离子体建设设备监视材料处理系统 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种材料处理系统,包括处理设备,其中该处理设备包括至少一个处理室;耦接到所述处理设备的多个RF响应电气传感器,RF响应电气传感器被配置为对所述处理设备生成电气数据,并发射所述电气数据;以及传感器接口组件(SIA),其被配置为从至少一个RF响应电气传感器接收所述电气数据。2.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,所述电气数据包括电压、电流、幅度、频率、谐波、频谱、场强、功率、密度和相位数据中的至少一种。3.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,至少一个RF响应电气传感器包括用于生成磁数据的传感器;以及耦接到所述传感器、用于发射所述磁数据的RF响应发射器。4.如权利要求3所述的材料处理系统,其中,所述磁数据包括场强数据、场均匀性数据和极化数据中的至少一种。5.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,至少一个RF响应电气传感器包括用于生成电气数据的电气传感器;以及耦接到所述电气传感器,用于发射所述电气数据的RF响应发射器。6.如权利要求5所述的材料处理系统,其中,所述探针包括电压探针、电流探针、电压/电流(V/I)探针、场探针、功率传感器、频谱分析仪、波形分析仪和朗缪尔探针中的至少一个。7.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,至少一个RF响应电气传感器耦接到一个处理室部件。8.如权利要求7所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器包括被配置为对所述处理室部件生成电气数据的电气传感器;以及耦接到所述电气传感器,用于发射所述处理室部件的电气数据的RF响应发射器。9.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,还包括一个上组件,其中,至少一个RF响应电气传感器耦接到所述上组件的至少一个部件。10.如权利要求9所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器包括被配置为对所述上组件的所述至少一个部件生成电气数据的电气传感器;以及耦接到所述电气传感器,用于发射所述上组件的所述至少一个部件的电气数据的RF响应发射器。11.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,还包括基片保持器,其中,至少一个RF响应电气传感器耦接到该基片保持器。12.如权利要求11所述的材料处理系统,其中,所述基片保持器包括卡盘、静电吸盘(ESC)、屏蔽、聚焦环、折流板和电极中的至少一个。13.如权利要求11所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器包括被配置为对所述基片保持器生成电气数据的电气传感器;以及耦接到所述电气传感器、用于发射所述基片保持器的电气数据的RF响应发射器。14.如权利要求11所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器包括被配置为对所述基片保持器上的晶片生成电气数据的电气传感器;以及耦接到所述电气传感器、用于发射所述晶片的电气数据的RF响应发射器。15.如权利要求1所述的材料处理系统,还包括一个环,其中,至少一个RF响应电气传感器耦接到该环。16.如权利要求15所述的材料处理系统,其中,所述环包括聚焦环、屏蔽环、淀积环、电极环以及绝缘体环中的至少一种。17.如权利要求15所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器包括被配置为对所述环生成电气数据的电气传感器;以及耦接到所述电气传感器、用于发射所述环的电气数据的RF响应发射器。18.如权利要求1所述的材料处理系统,还包括一个板,其中,至少一个RF响应电气传感器耦接到该板。19.如权利要求18所述的材料处理系统,其中,所述板包括排泄板、折流板、电极板以及绝缘体板中的至少一种。20.如权利要求18所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器包括被配置为对所述板生成电气数据的电气传感器;以及耦接到所述电气传感器、用于发射所述板的电气数据的RF响应发射器。21.如权利要求5所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到电气传感器和RF响应发射器中的至少一个的定时器。22.如权利要求5所述的材料处理系统,其中,所述RF响应发射器包括被配置为发射响应信号的天线,以及耦接到该天线的发射器,其中,该发射器被配置为使用所述电气数据对所述响应信号进行调制和/或编码。23.如权利要求5所述的材料处理系统,其中,所述RF响应电气传感器还包括耦接到所述电气传感器和所述RF响应发射器中的至少一个的电源。24.如权利要求23所述的材料处理系统,其中,所述电源包括被配置为将从工艺相关信号发射的能量转换为DC信号的RF到DC转换器、被配置为将与工艺无关的信号转换为DC信号的RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种。25.如权利要求24所述的材料处理系统,其中,所述电源将所述DC信号提供给所述电气传感器。26.如权利要求24所述的材料处理系统,其中,所述电源将所述DC信号提供给所述RF响应发射器。27.如权利要求5所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到所述电气传感器和所述RF响应发射器中的至少一个的控制器。28.如权利要求27所述的材料处理系统,其中,所述控制器包括微处理器、微控制器、定时器、数字信号处理器(DSP)、存储器、接收器、A/D转换器和D/A转换器中的至少一个。29.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,至少一个RF响应电气传感器包括用于生成电气数据的电气传感器;耦接到所述电气传感器、用于发射所述电气数据的RF响应发射器;以及耦接到所述电气传感器和所述RF响应发射器中的至少一个的接收器。30.如权利要求29所述的材料处理系统,其中,所述RF响应发射器包括天线和反向散射调制器。31.如权利要求29所述的材料处理系统,其中,所述RF响应发射器包括被配置为发射响应信号的天线以及耦接到所述天线的发射器,其中,所述发射器被配置为使用所述电气数据对所述响应信号进行调制和/或编码。32.如权利要求31所述的材料处理系统,其中,所述RF响应发射器还包括RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种。33.如权利要求29所述的材料处理系统,其中,所述RF响应电气传感器还包括至少一个电源,电源使用RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种产生DC信号。34.如权利要求29所述的材料处理系统,其中,所述接收器包括天线和处理器,该天线被配置为接收输入信号,该处理器被配置为使用所述输入信号生成操作数据,并使用该操作数据控制所述RF响应发射器、所述接收器和所述电气传感器中的至少一个。35.如权利要求34所述的材料处理系统,其中,所述接收器还包括被配置为将从与处理相关的信号发射的能量转换为DC信号的RF到DC转换器、被配置为将与处理无关的信号转换为DC信号的RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种。36.如权利要求29所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到所述接收器、所述电气传感器和所述RF响应发射器中的至少一个的控制器。37.如权利要求36所述的材料处理系统,其中,所述控制器包括微处理器、微控制器、定时器、数字信号处理器(DSP)、存储器、A/D转换器和D/A转换器中的至少一种。38.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,至少一个RF响应电气传感器包括用于生成电气数据的电气传感器;以及耦接到所述电气传感器,用于发射所述电气数据的RF响应收发器。39.如权利要求38所述的材料处理系统,其中,所述RF响应收发器包括被配置为发射响应信号的天线、耦接到该天线并被配置为使用所述电气数据对所述响应信号进行调制和/或编码的发射器、第二天线、接收器和处理器,该第二天线被配置为接收输入信号,该接收器被配置为使用所述输入信号生成操作数据,该处理器被配置为使用所述操作数据控制所述RF响应收发器。40.如权利要求38所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到所述电气传感器和所述RF响应收发器中的至少一个的控制器。41.如权利要求40所述的材料处理系统,其中,所述控制器包括微处理器、微控制器、定时器、数字信号处理器(DSP)、定时器、存储器、A/D转换器和D/A转换器中的至少一种。42.如权利要求38所述的材料处理系统,其中,所述至少一个RF响应电气传感器还包括耦接到所述电气传感器和所述RF响应收发器中的至少一个的至少一个电源,电源包括RF到DC转换器、DC到DC转换器和电池中的至少一种。43.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,所述SIA包括被配置为从至少一个RF响应电气传感器接收包含电气数据的响应信号的接收器;以及被配置为向所述至少一个RF响应电气传感器发射输入信号的发射器,其中,所述输入信号使所述至少一个RF响应电气传感器向所述接收器发送所述响应信号。44.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,所述材料处理系统还包括耦接到所述SIA的控制器,该控制器被配置为分析所述电气数据,其中,该控制器比较所述电气数据与目标电性能数据,并使用比较结果改变处理。45.如权利要求1所述的材料处理系统,其中,所述材料处理系统还包括耦接到所述SIA的控制器,该控制器被配置为分析所述电气数据,其中,该控制器比较所述电气数据与历史电气数据,并使用比较结果预测故障...
【专利技术属性】
技术研发人员:詹姆斯·E·克莱考特卡,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:
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