氧化硅膜的成膜方法以及成膜装置制造方法及图纸

一种成膜方法，在能够选择性地供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体的处理区域之内，利用ＣＶＤ在具有金属表面的被处理基板之上形成氧化硅膜。该成膜方法交互具有第一至第四工艺。在第一工艺中，向处理区域供给含硅气体，而停止向处理区域供给氧化性气体以及还原性气体。在第二工艺中，停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体。在第三工艺中，同时向处理区域供给氧化性气体以及还原性气体，而停止向处理区域供给含硅气体。在第四工艺中，停止向处理区域供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于通过CVD在具有金属表面的被处理基板上形成氧化硅膜的方法以及装置，特别涉及在半导体处理中所使用的成膜技术。这里所说的半导体处理是指，为了在晶片、液晶显示器LCD(LiquidCrystal Display)或者平面显示器FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板等被处理基板上，通过以规定图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，而在该被处理基板上制造半导体设备、或者包括与半导体设备连接的布线、电极等部件而实施的各种处理。
技术介绍
在构成半导体集成电路的半导体设备的制造工艺中，在被处理基板(例如半导体晶片)上施以成膜、氧化、扩散、改质、退火、蚀刻等各种处理。在上述各种处理过程中，例如为了进行成膜处理，已知的有一次处理多枚晶片的批量式的立式热处理装置(例如，参照日本专利特开平9-246257号公报以及日本专利特开2002-9009号公报)。图6表示的是现有的立式成膜装置(CVD装置)的结构简图。如图6所示，在立式处理容器2的处理区域内，作为被处理基板的半导体晶片W，通过晶片舱4被保持为在水平方向相互隔开间隔而堆积的状态。晶片W通过包围处理容器2的加热器6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在可以选择性地供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体的处理区域内，利用ＣＶＤ在具有金属表面的被处理基板上形成氧化硅膜的方法，其特征在于，该方法交互具有：向所述处理区域供给所述含硅气体，而停止向所述处理区域供给所述氧化性气体以及所 述还原性气体的第一工艺；停止向所述处理区域供给所述含硅气体、所述氧化性气体以及所述还原性气体的第二工艺；向所述处理区域同时供给所述氧化性气体以及所述还原性气体，而停止向所述处理区域供给所述含硅气体的第三工艺；以及停止 向所述处理区域供给所述含硅气体、所述氧化性气体以及所述还原性气体的第四工艺。

【技术特征摘要】
JP 2004-7-15 2004-209048;JP 2005-6-21 2005-1812821.一种在可以选择性地供给含硅气体、氧化性气体以及还原性气体的处理区域内，利用CVD在具有金属表面的被处理基板上形成氧化硅膜的方法，其特征在于，该方法交互具有向所述处理区域供给所述含硅气体，而停止向所述处理区域供给所述氧化性气体以及所述还原性气体的第一工艺；停止向所述处理区域供给所述含硅气体、所述氧化性气体以及所述还原性气体的第二工艺；向所述处理区域同时供给所述氧化性气体以及所述还原性气体，而停止向所述处理区域供给所述含硅气体的第三工艺；以及停止向所述处理区域供给所述含硅气体、所述氧化性气体以及所述还原性气体的第四工艺。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还具有在所述第二以及第三工艺之间，向所述处理区域供给所述还原性气体，而停止向所述处理区域供给所述含硅气体以及所述氧化性气体的工艺。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还具有在所述第三以及第四工艺之间，向所述处理区域供给所述还原性气体，而停止向所述处理区域供给所述含硅气体以及所述氧化性气体的工艺。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第二以及第四工艺分别具有各自的对所述处理区域进行排气的期间。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述第二以及第四工艺分别具有各自的对所述处理区域供给清除气体的期间。6.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述第一至第四工艺过程中，继续进行所述处理区域内的排气。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于在所述第三工艺中，所述还原性气体的流量大于所述氧化性气体的流量。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于在所述第三工艺中，所述氧化性气体的流量与所述还原性气体的流量比为1/10～1/500。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述金属表面是由选自钨、铝、镍、钴、铜、铁以及这些金属的硅化物中的材料所制成的层的表面。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于为了形成删电极构造的侧壁而在所述被处理基板上堆积所述氧化硅膜。11.如权利要求1所述的方法，其特征在于在所述第一以及第三工艺中，将所述处理区域的压力分别设定为13.3Pa(0.1Torr)～66500Pa(500Torr)的范围内。12.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述含硅气体是选自二氯硅烷(DCS)、甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、六氯乙硅烷(Si2Cl6)(HCD)、六甲基二硅氨烷(HMDS)、四氯硅烷(SiHCl3)(TCS)、乙硅烷基胺(DSA)、丙硅烷基胺(TSA)、双叔丁基氨基硅烷(BTBAS)、三甲基硅烷trimethyl silane((CH3)3SiH)、三甲基叠氮硅烷trimethyl silylazide((CH3)3SiN3)、(SiF4)、(SiCl...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷部一秀，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]