【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在被处理基板上涂布涂布液而形成涂布膜的。
技术介绍
例如，在半导体器件的制造工序中，用光刻技术，在半导体晶片上形成规定的电路图形。在此一光刻工序中，在晶片上形成抗蚀剂膜，按照规定的图形曝光该抗蚀剂膜，通过对曝光处理过的晶片进行显像处理，形成电路图形。这里，作为在晶片上形成抗蚀剂膜的方法，广泛用着把规定量的抗蚀剂液供给到以大致水平姿势保持的晶片的中心部后，通过使晶片高速旋转而使抗蚀剂液扩展到整个晶片的所谓旋转涂层法。作为这种旋转涂层法进行成膜的装置，例如，在特开2001-189266号公报中，公开了包括有围着晶片的周围配置的、通过从底部强制地进行排气而强制地排出晶片周围的气氛的处理杯，和在此一处理杯的内侧配置成围着晶片的外周、控制在晶片附近产生的气流的气流控制板的涂布处理装置。但是，在此一涂布处理装置中，因为排气流路的气氛采集口位于晶片的端面附近，故晶片周缘部处的抗蚀剂液的干燥因流入排气流路的气流而加快。借此，因为从晶片的中心向周缘流动的抗蚀剂液容易在晶片的周缘处堆积，故抗蚀剂膜的厚度是晶片的周缘部比中央部加厚。近年来，随着电路图形的细微化与高集成...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种涂布处理装置，在被处理基板上形成涂布膜，该涂布处理装置具有以大致水平姿势保持被处理基板的保持机构；把规定的涂布液供给到由所述保持机构所保持的被处理基板的表面的涂布液供给机构；使由所述保持机构所保持的被处理基板旋转的旋转机构；和接近于所述被处理基板地配置成围着所述被处理基板，其竖直断面形状从内侧向外侧向上增加厚度的气流控制部件。2.一种涂布处理装置，在被处理基板上形成涂布膜，该涂布处理装置具有以大致水平姿势保持被处理基板的保持机构；把规定的涂布液供给到由所述保持机构所保持的被处理基板的表面的涂布液供给机构；使由所述保持机构所保持的被处理基板旋转的旋转机构；和收容所述保持机构，能够从底部排出所述被处理基板周围的气氛的处理容器，所述处理容器包括具有围着所述被处理基板的外侧的外周壁部的第一杯；和由断面大致三角形且上凸的上环部与断面大致三角形且下凸的下环部所构成的具有断面大致四边形的形状，接近于所述被处理基板的端面围着所述被处理基板的外周地配置于所述第一杯的内侧的气流控制部件，在所述气流控制部件与所述第一杯的外周壁部之间实质上形成用来排出所述被处理基板周围的气氛的排气流路，所述上环部的顶点与所述外周壁部的上端之间成为所述排气流路的气氛采集口。3.根据权利要求2所述的涂布处理装置，其特征在于，所述气流控制部件的上环部的内侧的底角为24度以上34度以下。4.根据权利要求2所述的涂布处理装置，其特征在于，所述气流控制部件的上环部的高度为10mm以上18mm以下。5.根据权利要求2所述的涂布处理装置，其特征在于，所述气流控制部件的下环部的内侧的底角为25度以上35度以下。6.根据权利要求2所述的涂布处理装置，其特征在于，所述上环部与所述下环部为一体。7.根据权利要求2所述的涂布处理装置，其特征在于，所述第一杯的外周壁部，具有筒状的竖直壁部和连接设置于所述竖直壁部的上端向内侧上方倾倒的倾斜壁部。8.根据权利要求7所述的涂布处理装置，其特征在于，所述倾斜壁部与所述上环部的外侧斜面大致平行。9.根据权利要求8所述的涂布处理装置，其特征在于，在构成所述第一杯的外周壁部的所述倾斜壁部的上端部内侧，设置有用来抑制流入所述排气流路的气流的逆流的突起部。10.根据权利要求2所述的涂布处理装置，其特征在于，所述处理容器还具备具有从所述被处理基板的下侧斜着向下向外扩展的倾斜壁部的第二杯，实质上在向下排出从所述被处理基板挣脱的涂布液的排液流路在所述气流控制部件与所述第二杯的倾斜壁部之间形成，所述气流控制部件与所述被处理基板之间的间隙部成为所述排液流路中的排液采集口。11.根据权利要求10所述的涂布处理装置，其特征在于，所述第二杯还具有从所述倾斜壁部的下端向下延伸的筒状的竖直壁部，所述排气流路与所述排液流路在形成于所述第一杯的外周壁部与所述第二杯的竖直壁部之间的间隙部处合流，从所述处理容器的底部进行排气和排液。12.根据权利要求10所述的涂布处理装...
【专利技术属性】
技术研发人员：志手英男，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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