蚀刻方法和记录用于控制该方法的程序的计算机记录媒体技术

本发明专利技术所要解决的问题是使掩膜层的各图案宽度一致，且将由掩膜层作掩膜的被蚀刻层蚀刻为预定的图案宽度。在第一工序中，设定处理条件使图案形成后的掩膜层（２１２）的侧壁堆积反应生成物，变宽各图案宽度，且使初始状态（ａ）中图案宽度不同的属于第一区域（ｒｅｇ１１）的掩膜层（２１２－２）的图案宽度与属于第二区域（ｒｅｇ１２）的掩膜层（２１２－２）的图案宽度在第一工序终止时刻（ｂ）一致。第二工序中，不仅沿纵方向蚀刻反射防止膜（２１０），还并行实施变窄掩膜层（２１２）的图案宽度的修整处理。在第二工序终止时刻（ｃ）中，掩膜层和反射防止膜的图案宽度在晶片整个区域中调整为均匀，而与图案密度无关。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及蚀刻方法和记录用于控制该方法的程序的计算机记录媒体。
技术介绍
通常，为制造半导体设备，对在半导体晶片(下面，称为“晶片”)上层积的薄膜进行形成希望的细微图案的蚀刻处理。该蚀刻处理中，为形成细微图案电路，采用光刻法技术。具体的，首先在为蚀刻对象的被蚀刻层上均匀涂敷光致抗蚀剂材料，干燥后，对该光致抗蚀剂膜实施照射预定波长的光的曝光处理，而复写细微电路图案。例如，在光致抗蚀剂材料是正型的情况下，通过显像处理去除光致抗蚀剂膜中照射了光的部分，而形成图案形成后的掩膜层。接着，通过将该掩膜层用作掩膜而实施等离子体蚀刻处理等，而将被蚀刻层削减为希望的图案。现有技术中，曝光处理中，若在光致抗蚀剂膜和基底膜的界面之间漫反射照射到光致抗蚀剂膜的光，则有光达到了光致抗蚀剂膜中本来不应感光的区域，而不能得到希望的图案的可能。尤其，最近，随着电路图案的细微化的发展，曝光处理中所使用的光源也从KrF激元激光器(248nm)短波长化到ArF激元激光器(193nm)，该现象成为了很大的问题。因此，通常为在光致抗蚀剂膜的下面配置了吸收曝光的光的反射防止膜(Bottom Anti-Reflectin本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，其特征在于，包括：第一工序，通过在预先图案形成后的掩膜层的侧壁堆积等离子体反应生成物，而变宽所述掩膜层的图案宽度；第二工序，将变宽图案宽度的所述掩膜层作为掩膜，来蚀刻被蚀刻层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：栉引理人，泽田石真之，清水昭贵，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]