执行基于模型的光学邻近校正的方法技术

通过提供具有相互作用距离的感兴趣区域（ＲＯＩ）和在ＲＯＩ之内定位出至少一个多边形的用于基于模型的光学邻近校正的方法和程序存储设备。在多边形的至少一条侧边上，在ＲＯＩ内生成表示一组顶点的样本点的切割线，或多个切割线。确定角位置，切割线和多边形的侧边之间的交点的相反侧上切割线的第一部分和第二部分，接着通过基于这样的角位置、切割线的第一部分和第二部分将原有的ＲＯＩ扩展超出其相互作用距离而生成新的ＲＯＩ。以这种方式，在各种不同的方向可以生成各种新的ＲＯＩ，最终进行光学邻近的校正。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般性地涉及光刻
，尤其涉及基于模型的光学邻近校正(OPC)方法，该方法将感兴趣区域(ROI)扩展到其相互作用距离(IDinteraction distance)之外，以针对多边形全卷积减少在ROI之内对多边形的卷积顶点进行定位和求和所需要的时间。
技术介绍
在制备半导体器件中，光刻技术处理一般需要在半导体晶圆上复制所希望的电路图案。所希望的电路图案在模板上表示为不透明的和透明的区域，被称为光掩模，然后通过曝光系统的光学成像被投射到光致抗蚀剂涂覆过的晶圆上。对半导体制作中的光刻技术进行分析和校正的一个很有价值的工具是空间象模拟器(aerial image simulator)。这些空间象模拟器计算由光学投影系统所产生的图象，使得空间象的建模在半导体制造业中是至关重要的组成部份。然而，因为目前的光刻工具使用部分相干照明，使得这样的模型对于几乎所有的基本图案在计算方面强度很大。由掩模所产生的空间象，即在光学投影系统像平面的光强对于能够很好地控制显影的光致抗蚀结构以复制出所希望的掩模设计是一个至关重要的量。在OPC软件中，图象强度(image intensity)通常通过具有描述处理的物理特性的特定核函数(kernel function)的双线性变换来计算。这可以通过与Hopkin积分对应的光学核或包含抗蚀作用(resist effect)的合成核(composite kernel)来实现。例如，对于近范围效应，双线性变换通过相干源求和(SOCS)方法能够最优地化简为简单的线性卷积求和，而对于中等范围的效应或其它非光学效应，双线性变换可以简化为掩模图案和强度核(intensity kernel)之间的线性卷积。对于非常远范围的效应，仍然能够通过粗糙的栅格进一步将问题简化为掩模的表示，其中每个像素是在该栅格正方形内特征的平均图案密度。能够非常迅速地进行粗糙栅格和非相干核(incoherent kernel)之间的卷积，例如，通过快速傅氏变换(FFT)来增加速度，因为FFT能够同时对所有的像素生成卷积，或者通过更新和更迅速的、获得相同效果的方法。然而，由于对各个多边形进行寻址的需求，近范围和中等范围是会耗费时间的至关重要的部分。近范围和中等范围效应的普通计算实践通常包含通过某些实际的假定来核进行空间截取，以提供对存储在大小有限和可接受的表中的基本构建模块扇形的卷积的表查找。上述现有技术的卷积技术通常利用基于扇形的算法或者基于边缘的算法对多边形特征进行实施。这些基于扇形的算法(可以利用各种角度的扇形进行计算)允许预先计算出的扇形上的卷积作为基图象，并存储在表或者矩阵中。例如，基于扇形的OPC引擎的实际卷积运算可以包含将多边形分解成90度角(如图1所示)或者45度角(如图2A-B所示)的扇形的集合。例如，在图1中针对方格ROI10中的各种计算点″X0″描述了各种90度扇形的查找表值。在ROI内的任何点″X0″处，表值沿直轮廓线20的任何一个是常数。然而，对于任何在ROI10之外的点″X0″30，轮廓线20水平或者垂直地延伸到ROI之外，并且这样的点″X0″30的卷积值是在沿如图所示的点″X0*″30′处的同一直轮廓线在ROI的边界上得到的。进一步参照图1，每个位于ROI之内的点或顶点的所有卷积贡献都被预先计算出来并存储在矩阵中。即表查找包括了针对位于ROI之内的每个点的计算。对于其它所有在ROI之外、不对该多边形产生贡献的点，例如，那些在ROI的左下边界之外的点，这样的点的卷积值等于0。接着，通过对ROI内每个产生贡献的预先计算出来并存储的扇形进行求和，计算多边形与核的卷积。然而，在这样做的过程中，需要每个这样的产生贡献的预先计算和存储的扇形都在ROI表查找中找到，并且接着得到其卷积贡献以用于多边形的卷积的求和。这个任务不仅耗费时间和漫长，而且也需要充足的存储器和存储设备容量。在传统的基于扇形的OPC计算的另一个例子中，图2A和2B举例说明的是横向偏斜的45度扇形的查找表值。在上面区域里每个都具有45度的斜率，且在轮廓线上具有常数值。因此，当点″X0″30在ROI10之上时，会在位于ROI边界并且沿同样横向偏斜的轮廓线上的点″X0*″30′处取值。类似地，在ROI之内的任何点″X0″处，该表值沿任何一个横向偏斜的45度扇形为常数。然后在每个45度扇形的顶点，即点处的卷积被计算出来并存储在矩阵中，以便接着进行多边形卷积求和。然而，这种方法也是耗时和漫长的，因为为了进行所有多边形顶点的卷积求和运算，每个预先计算和存储的多边形扇形顶点都必须取出。45度扇形的另一个不利因素是任何相对于偏斜的ROI10’的顶点位于半径之外的点，如图2B的箭头所描述的那样，都在预先计算的矩阵之外，因此不会对多边形的卷积有任何贡献。同样地，传统的实施方法是将在表的所有四边侧将偏斜ROI10’扩展距离((1-1/sqrt(2))x相互作用距离(ID))，以通过此量值提供新的ROI15。然而，在这样做的过程中，该表查找现在必须被扩充到所有4个扩展的边侧，使得在这些扩展的4边侧内的每个点或顶点的卷积贡献必须现在被计算出来并存储于表查找中。由于现在必须针对所有顶点的卷积求和找出这些额外的预先计算、存储的顶点，这样既增加了时间又增加了存储器的需求。其它普通的光学邻近校正的多边形卷积技术包含多边形钉扎(pining)和多边形裁切(cropping)过程。多边形裁切过程一般涉及生成表示原有多边形的顶点的多个多边形，由此这些新顶点驻留在ROI之内或ROI的边界上。被称作相交方法(intersection method)的过程就是这样的裁切技术。相交方法一般涉及利用算法C＝A∪B生成原有多边形的多个裁切多边形，其中形状A是多边形，形状B是ROI，并且交集C是多个新的更小多边形。一旦裁切完成，则为该多边形的总卷积求和而找出每个顶点和进行求和。在这样做的过程中，由于也必须找出每个顶点，并且为该多边形的所有顶点的卷积求而检索出其卷积贡献，这种方法也是耗时、漫长的，并且需要足够的存储器容量。多边形钉扎过程一般涉及找出位于ROI之外的顶点，然后将这样的顶点钉扎到ROI之内或ROI的边界上。在基于模型的OPC中钉扎过程一般比裁切过程更有效，然而，如果这样的过程对所有ROI的样本点重复地进行卷积运算，它们仍然需要大量的开销。因此，
期望提供一种用于OPC引擎、进行多边形顶点的卷积求和的更加快速和容易的方法。因此，本专利技术通过提供一种用于基于模型的光学邻近校正的改进方法克服了现有技术中的上述问题和不足，该方法通过定义超出其相互作用距离ID的新ROI以减少为多边形的所有卷积求而在ROI内找出多边形的卷积顶点并进行求和所需的时间。
技术实现思路
鉴于现有技术中的问题和不足，本专利技术的目的是提供一种改进的方法以及执行这样方法的程序存储设备，以定义超出其中的相互作用距离(ID)的新ROI，以减少为该多边形的全部卷积求和运算而找出ROI内的多边形顶点并进行卷积求和所需的时间。本专利技术的另一个目的是提供一种改善的方法和程序存储设备，以定义容易和迅速地对ROI内的多边形的顶点进行卷积求和的新ROI。本专利技术的另一个目的在于提供一种改善的方法和程序存储设备，以使基于模型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种进行基于模型的光学邻近校正的方法，包括：　　　　提供具有相互作用距离的感兴趣区域（ＲＯＩ）；　　　　在所述ＲＯＩ内定位出至少一个有限几何形；　　　　在所述至少一个有限几何形的至少一个侧边上生成至少一条切割线；以及　　　　基于所述至少一个有限几何形的所述至少一个侧边上的至少一条切割线的位置将ＲＯＩ扩展超出其相互作用距离，以进行光学邻近的校正。

【技术特征摘要】
US 2003-10-27 10/694,2991.一种进行基于模型的光学邻近校正的方法，包括提供具有相互作用距离的感兴趣区域(ROI)；在所述ROI内定位出至少一个有限几何形；在所述至少一个有限几何形的至少一个侧边上生成至少一条切割线；以及基于所述至少一个有限几何形的所述至少一个侧边上的至少一条切割线的位置将ROI扩展超出其相互作用距离，以进行光学邻近的校正。2.如权利要求1所述的方法，其中所述有限几何形包括多边形。3.如权利要求2所述的方法，其中所述多边形从包括规则、不规则、凸形、凹形、规则凸形、规则凹形、不规则凸形和不规则凹形的组中选择。4.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一条切割线包括表示所述ROI内的一组顶点的多个样本点。5.如权利要求4所述的方法，其中所述侧边的所述位置上的所述至少一条切割线包括在所述切割线和所述侧边之间的交点的第一侧的第一数目的多个样本点，和在所述交点的第二侧的第二数目的样本点。6.如权利要求5所述的方法，其中所述切割线的所述多个样本点的所述第一数目和第二数目相同。7.如权利要求5所述的方法，其中所述切割线的所述多个样本点的所述第一数目和第二数目不相同。8.如权利要求1所述的方法，其中基于所述至少一条切割线的位置将所述ROI扩展超出其相互作用距离的步骤包括确定所述至少一条切割线是否从包括水平切割线、垂直切割线和45度切割线的组中选择。9.如权利要求8所述的方法，其中所述切割线包括所述水平切割线，该方法包含将所述ROI沿一维方向在所述ROI的相反水平侧水平扩展的步骤。10.如权利要求8所述的方法，其中所述切割线包括所述垂直切割线，该方法包含将所述ROI沿一维方向在所述ROI的相反垂直侧垂直扩展的步骤。11.如权利要求8所述的方法，其中所述切割线包括所述45度切割线，该方法包含将所述ROI沿二维方向在所述ROI的所有水平侧和垂直侧扩展的步骤。12.如权利要求1所述的方法，进一步包含，对所述至少一个有限几何形的所述至少一条侧边上的多条切割线重复所述步骤，并且基于所述多条切割线的多个位置将所述ROI扩展超出其相互作用距离。13.如权利要求1所述的方法，进一步包含，在单个卷积贡献搜索步骤中同时检索出所述至少一条切割线上多个样本点的预先计算的卷积贡献，以对所述ROI内的卷积求和，从而进行光学邻近的校正的步骤。14.一种进行基于模型的光学邻近校正的方法，包括提供具有相互作用距离的第一感兴趣区域(ROI)；在所述第一ROI内定位出至少一个多边形；在所述至少一个多边形的至少一条侧边上定位出至少一条切割线，所述至少一条切割线包括代表所述第一ROI内的一组顶点的多个样本点；确定所述至少一个多边形的所述至少一条侧边上所述至少一条切割线的角位置；确定在所述至少一条切割线和所述至少一条侧边之间的交点的相反侧上所述至少一条切割线的第一部分和第二部分；以及通过基于所述至少一条切割线的角位置，和所述交点的所述相反侧上的所述至少一条切割线的所述第一部分和第二部分将所述第一ROI扩展超出其相互作用距离，提供第二ROI，所述第二ROI用于光学邻近的校正。15.如权利要求14所述的方法，进一步包含在所述第一ROI内定位出所述至少一个多边形的所述至少一条侧边上的多个切割线，并且通过基于所述多条切割线将第一ROI多次扩展超出其相互作用距离来提供第二ROI，以生成多个新的感兴趣区域。16.如权利要求14所述的方法，其中在所述交点的所述第一侧的所述至少一条切割线的所述第一部分对应于所述多个样本点中的第一数目的样本点，而所述交点的所述第二侧的所述至少一条切割线的所述第二部分对应于所述多个样本点中的第二数目的样本点。17.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：格里格M加勒廷，伊曼纽尔葛弗曼，黎家辉，马克A拉维恩，玛哈拉杰穆克赫吉，多弗拉姆，艾伦E罗森布鲁斯，施洛姆夏拉夫曼，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]