浸润式光刻之方法与系统技术方案

一种浸润式光刻系统１００与方法，其中浸润之媒介１１２与近接端１１０之透镜接合，此近接端１１０之透镜聚焦图案化光束于光敏材料１１６上，且保护膜３００覆盖在光敏材料１１６上，而此保护膜３００与浸润之媒介１１２接合。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种浸润式光刻(Immersion Lithography)，且特别是有关于一种工作部件之保护，以使工作部件不受浸润式光刻系统之浸润媒介(immersion medium)的损害或渗透。
技术介绍
传统之光刻系统具有光源、前透镜、不透光之图案化光罩、后透镜或近接透镜、以及将为此光刻系统所图案化之光敏材料或辐射敏感材料，例如光阻或者其他光敏材料。前透镜接收入射光，并发射一直射光束，此直射光束透过图案化之开口而穿过不透光的图案化光罩，进而产生图案化之光束。成像模组或成像系统具有后透镜或近接透镜，可将图案化之光束聚焦在工作部件之表面上，此工作部件可例如为供半导体基材之半导体处理的光阻。半导体基材之型式为基础半导体晶圆或其他具有一层或多层已图案化之半导体元素或特征的基础构件。先利用此光刻系统将特征之图案形成于光阻中。利用此光刻系统图案化光阻，以定义欲蚀刻到基材之表层中的微型与次微型半导体特征的图案。光刻是形成具有微型与次微型尺寸特征之图案化光阻的较佳工艺。半导体工艺工业持续发展更小尺寸之半导体特征。紫外线(ultraviolet)波长之光源的新发展、以及具有抗反射/抗折本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浸润式光刻（ＩｍｍｅｒｓｉｏｎＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）系统，至少包括：一光源；以及一成像模组，该成像模组发射一图案至一光敏材料上，该光敏材料为上方之一保护膜所覆盖且浸在一浸润媒介中，其中该保护膜不会妨碍该成像 模组与该光源透过该浸润媒介发射该图案于该光敏材料上。

【技术特征摘要】
US 2003-12-30 10/748,0761.一种浸润式光刻(Immersion Lithography)系统，至少包括一光源；以及一成像模组，该成像模组发射一图案至一光敏材料上，该光敏材料为上方之一保护膜所覆盖且浸在一浸润媒介中，其中该保护膜不会妨碍该成像模组与该光源透过该浸润媒介发射该图案于该光敏材料上。2.根据权利要求1所述的浸润式光刻系统，其中该保护膜不能为该光敏材料所排出之气体所渗透。3.根据权利要求1所述的浸润式光刻系统，其中该保护膜与该浸润媒介具有几乎一致之折射率。4.根据权利要求1所述的浸润式光刻系统，其中该保护膜具有不规则之厚度。5.根据权利要求1所述的浸润式光刻系统，其中该保护膜具有一平坦表面。6.根据权利要求1所述的浸润式光刻系统，其中该保护膜与该光敏材料不反应，且该保护膜与该光敏材料起良性之物理与化学交互作用。7.根据权利要求1所述的浸润式光刻系统，其中该保护膜为光敏感的。8.根据权利要求1所述的浸润式光刻系统，其中该保护膜与乙缩醛(acetal)基或甲基丙烯酸酯(methacrylate)基之高分子聚合物或混合物材料相容。9.根据权利要求1所述的浸润式光刻系统，其中该保护膜具有一预设厚度，且于发射该图案之步骤期间，该浸润媒介对该保护膜之溶解不会影响到该保护膜密封位于该保护膜下方的该光敏材料。10.根据权利要求1所述的浸润式光刻系统，其中该保护膜具有一厚度小于1000。11.一种图案化光敏材料之方法，至少包括形成一光敏材料于一基材上；形成一保护膜于该光敏材料上，以将该光敏材料实质密封于该保护膜下；以及提供该保护膜所密封之该光敏材料至一浸润式光刻系统中，以在该光敏材料上产生一图案，其中该保护膜封住该光敏材料，以避免该浸润式光刻系统所使用的一浸润媒介侵犯该光敏材料。12.根据权利要求11所述的图案化光敏材料之方法，其中提供该光敏材料之步骤更至少包括直射一电磁光束穿过一图案化光罩至该浸润媒介；以及透过该浸润媒介聚焦该电磁光束于该光敏材料上。13.根据权利要求11所述的图案化光敏材料之方法，在聚焦该电磁光束之步骤前，更至少包括平坦化该保护膜。14.根据权利要求11所述的图案化光敏材料之方法，更至少包括移除该保护膜，以暴露出该光敏材料之至少一部分。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：林佳惠，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]