用于光学邻近修正修复的方法技术

本发明专利技术提供一种用于光学邻近修正修复的方法，所述方法包括：选择包含问题图案的特定图案；对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域；以及在所述特定区域内实施光学邻近修正修复。本发明专利技术所提供的用于光学邻近修正修复的方法基于图案匹配使得光学邻近修正修复可以在错误标记指定的较小区域内高效执行，不对其他区域造成不期望的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种用于光学邻近修正修复(Optical Proximity Correction repair,OPC repair)的方法。
技术介绍
随着集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。其中，光学邻近修正(即OPC)已成为最重要的技术。通常实施OPC以确保最终轮廓在垂直和水平方向上均具有足够的关键尺寸(Critical Dimension,CD)，同时需要满足空间限制。OPC修复流程可以包括例如边缘移动，然而有些情形不适用边缘移动。例如轮廓的水平尺寸受到光罩规则检查(Mask Rule Check,MRC)的限制，同时它的垂直尺寸又受到设计规则检查(Design Rule Check,DRC)的限制。在此情况下，添加辅助图形可能是一种解决方法。然而，有时进行边缘移动和/或轮廓再成形(reshape)是必需的，现有的OPC修复流程对其无法进行处理。实质上，任何通过简单的边缘移动无法解决的坏点(weak point)都将对修复流程提出严峻的挑战。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种用于光学邻近修正修复的方法，所述方法包括：选择包含问题图案的特定图案；对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域；以及在所述特定区域内实施光学邻近修正修复。在本专利技术的一个实施例中，所述问题图案包括关键尺寸不符合期望尺寸的图案。在本专利技术的一个实施例中，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内的合适位置处添加不会在光刻胶上形成图形的辅助图形。在本专利技术的一个实施例中，所述辅助图形包括散射条(scattering bar,SB)。在本专利技术的一个实施例中，所述散射条的参数基于所述问题图案和工艺状况来确定。在本专利技术的一个实施例中，所述方法还包括对所述散射条的参数进行优化。在本专利技术的一个实施例中，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内使问题图案重新进行目标定位(retarget)。在本专利技术的一个实施例中，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内使问题图案进行边缘移动。在本专利技术的一个实施例中，所述方法是针对连接孔层的光学邻近修正修复。在本专利技术的一个实施例中，所述连接孔为接触孔(contact，CT)。本专利技术所提供的用于光学邻近修正修复的方法基于图案匹配使得光学邻近修正修复可以在错误标记指定的较小区域内高效执行，不对其他区域造成不期望的影响。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1示出了接触孔的关键尺寸出现异常的示例；图2示出了根据本专利技术一个实施例的用于光学邻近修正修复的方法的流程图；图3示出了采用图2的方法进行光学邻近修正修复的示例；图4示出了采用图2的方法后图1的接触孔的关键尺寸恢复正常的示意图；以及图5示出了采用图2的方法进行光学邻近修正修复的另一示例。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。OPC已经成为集成电路制造工艺中关键尺寸控制和良率提升不可缺少的途径。例如，对接触孔等连通孔的OPC程序(recipe)通常被调整用于确保最终的轮廓在垂直和水平方向上具有足够的关键尺寸，同时它们又需要满足空间限制。即使是调整较好的程序也可能使某些轮廓不符合规格。通常可以应用修复流程来解决剩余的坏点。修复流程通常实施边缘移动来重新对接触孔进行目标定位。然而，有时简单的边缘移动并不适用于某些情形。图1示出了接触孔的关键尺寸出现异常的示例。如图1所示，箭头所指的接触孔沿水平方向的关键尺寸偏小(例如图1中示出为61.75纳米(nm))，不符合规格。然而，该问题接触孔的水平尺寸受到MRC
的限制，同时垂直尺寸受到DRC的限制，因此不适用于通过简单的边缘移动来处理。这里，MRC对两个接触孔边缘之间的最小距离有限制，DRC对接触孔在AA区域上的最大延伸有限制。此时，可以通过添加辅助图形来解决关键尺寸的问题。然而，对于一些情况，接触孔移动和再成形是必需的。在此情况下，现有的修复流程无法进行处理。图2示出了根据本专利技术一个实施例的用于光学邻近修正修复的方法200的流程图。如图2所示，方法200包括以下步骤：步骤201：选择包含问题图案的特定图案。具体地，可以选择包含问题图案的小片区域，以形成特定图案。其中，问题图案例如可以包括关键尺寸不符合期望尺寸的图案。例如，如图1所示箭头指向的接触孔由于其相对孤立的环境而导致其水平方向的关键尺寸偏小。步骤202：对整个芯片进行扫描以定位与该特定图案相匹配的特定区域。具体地，可以采用图案匹配的方法在整个芯片中定位出与步骤201中形成的特定图案相匹配的图案区域，以形成即将在其上进行光学邻近修正修复的特定区域。步骤203：在该特定区域内实施光学邻近修正修复。其中，在特定区域内实施光学邻近修正修复可以包括在特定区域内的合适位置处添加不会在光刻胶上形成图形的辅助图形。对于图1示出的孤立接触孔图形，可以在其周围添加亚分辨率辅助图形，使其具有密集图形的特性，从而改善其光强分布，提高成像质量。具体地，可以在该特定区域内的合适位置处添加散射条。散射条的参数可以基于问题图案和工艺状况来确定。可选地，还可以对散射条的参数进行优化。例如，散射条的关键参数可以包括宽度和散射条的边界到主图形边界的距离。这两个参数的变化对散射条效果的影响很大。通过模拟，可以在特定工艺条件下对这两个参数进行优化。散射条技术不仅能进行邻近效应校正、提高工艺焦深，而且还能降低掩膜误差因子、减小光学透镜色差的影响。散射条技术将孤立图形和半密集图形变为密集图形，使其与密集图形的工艺窗口相匹配，从而使整个图形更容易加工。图3示出了采用图2的方法进行光学邻近修正修复的示例。在图
3中以接触孔为例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于光学邻近修正修复的方法，其特征在于，所述方法包括：选择包含问题图案的特定图案；对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域；以及在所述特定区域内实施光学邻近修正修复。

【技术特征摘要】
1.一种用于光学邻近修正修复的方法，其特征在于，所述方法包括：选择包含问题图案的特定图案；对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域；以及在所述特定区域内实施光学邻近修正修复。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述问题图案包括关键尺寸不符合期望尺寸的图案。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述特定区域内实施光学邻近修正修复包括在所述特定区域内的合适位置处添加不会在光刻胶上形成图形的辅助图形。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述辅助图形包括散射条。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述散射...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31