一种优化OPC验证的方法技术

本发明专利技术提供了一种优化OPC验证的方法，包括：第一步骤：执行版图OPC处理，从而形成版图OPC数据；第二步骤：通过静态随机存储器标注层，使用标准验证规格格式命令，将版图划分为存储单元区域图形以及非存储单元区域图形；第三步骤：利用第一验证规范对所述存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第一验证结果；第四步骤：利用第二验证规范对所述非存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第二验证结果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，更具体地说，本专利技术涉及一种优化OPC验证的方法。
技术介绍
在光刻工艺中，由于光学临近效应(Optical Proximity Effect)，设计图形经过曝光之后在晶圆上的实际图形总会略有差异，所以引入光学修正技术(Optical Proximity Correct，OPC)来弥补由光学系统的有限分辨率造成的误差。随着芯片的技术节点进入几十纳米，OPC技术得到大量广泛的使用，为此OPC工作量也大幅增加，同时版图设计的复杂度以及线宽的逐渐变小，OPC的验证变得越来越复杂，OPC检查所需的时间也越来越久，OPC出版的效率渐渐无法满足工厂的产能需求。所以，OPC技术面临的一大挑战就是，要在尽可能满足工艺要求的情况下，减少OPC检查所需的时间，从而提高OPC出版效率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够优化OPC验证的方法。为了实现上述技术目的，根据本专利技术，提供了一种优化OPC验证的方法，包括：第一步骤：执行版图OPC处理，从而形成OPC版图数据；第二步骤：通过SRAM(静态随机存储器)标注层，使用SVRF(标准验证
规格格式)命令，将版图划分为存储单元区域图形以及非存储单元区域图形；第三步骤：利用第一验证规范对所述存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第一验证结果；第四步骤：利用第二验证规范对所述非存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第二验证结果。优选地，所述第一验证规范相对于所述第二验证规范更宽松。优选地，根据公式Spec1＝X*Y％执行第一验证规范的设定，其中，Spec1代表第一验证规范值，X代表已量产的存储单元区域图形最小尺寸，Y代表已经过硅片数据验证的OPC修正误差。优选地，所述优化OPC验证的方法还包括：第五步骤：判断所述第一验证结果和所述第二验证结果是否都通过。在第五步骤判断所述第一验证结果和所述第二验证结果都通过的情况下，执行版图出版。在第五步骤判断所述第一验证结果或所述第二验证结果都不通过的情况下，返回第一步骤。优选地，所述存储单元区域图形是SRAM区域图形。优选地，所述非存储单元区域图形是非SRAM区域图形。优选地，在第二步骤中，通过SRAM标注层将版图划分为存储单元区域图形以及非存储单元区域图形。优选地，在第一步骤之后执行第二步骤。优选地，在第二步骤之后执行第三步骤和第四步骤，在第三步骤和第四步骤完成之后执行第五步骤。本专利技术提供了一种优化OPC验证方式，在原有的OPC验证基础上，分开验证SRAM图形区域与非SRAM图形区域。在SRAM图形设计尺寸存在违反设计规则的情况下，采用原有的OPC验证方式，将导致SRAM图形区域有大量的OPC结果需要检查。但是，经硅片数据收集，这些报错点并没有工艺风险。由
此，本专利技术区分了将SRAM区域与非SRAM区域，并针对SRAM区域与非SRAM区域来根据不同的设计规则，设定不同的验证规范，分开对SRAM区域与非SRAM区域进行OPC验证，从而减少OPC检查的报错数目，提高OPC的出版效率。附图说明结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本专利技术有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的优化OPC验证的方法的流程图。需要说明的是，附图用于说明本专利技术，而非限制本专利技术。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。具体实施方式为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述。在SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存储器)图形设计尺寸存在违反设计规则的情况下，采用原有的OPC验证方式，将导致SRAM图形区域有大量的OPC结果需要检查。但是，经硅片数据收集，这些报错点并没有工艺风险。由此，本专利技术通过SRAM标注层，区分了SRAM区域与非SRAM区域，并针对SRAM区域与非SRAM区域来根据不同的设计规则，设定不同的验证规范，分开对SRAM区域与非SRAM区域进行OPC验证，从而减少OPC检查的报错数目，提高OPC的出版效率。图1示意性地示出了根据本专利技术优选实施例的优化OPC验证的方法的流程图。具体地说，如图1所示，根据本专利技术优选实施例的优化OPC验证的方法包括：第一步骤S1：执行版图OPC处理，从而形成版图OPC数据；随后执行第二步骤S2。第二步骤S2：通过SRAM(静态随机存储器)标注层，使用SVRF(标准验证规格格式)命令，将版图划分为存储单元区域图形以及非存储单元区域图形；具体地，例如，所述存储单元区域图形是SRAM区域图形。具体地，例如，所述非存储单元区域图形是非SRAM区域图形。随后执行第三步骤S3和第四步骤S4。具体地，优选地，在第二步骤S2中，通过SRAM标注层将版图划分为存储单元区域图形以及非存储单元区域图形。第三步骤S3：利用第一验证规范对所述存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第一验证结果；第四步骤S4：利用第二验证规范对所述非存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第二验证结果；优选地，所述第一验证规范相对于所述第二验证规范更宽松。优选地，根据公式Spec1＝X*Y％执行第一验证规范的设定，其中，Spec1代表第一验证规范值，X代表已量产的存储单元区域图形最小尺寸，Y代表已经过硅片数据验证的OPC修正误差。在第三步骤S3和第四步骤S4之后执行第五步骤S5。第五步骤S5：判断所述第一验证结果和所述第二验证结果是否都通过；如果第五步骤S5判断所述第一验证结果和所述第二验证结果都通过，则执行版图出版(第六步骤S6)。如果第五步骤S5判断所述第一验证结果或所述第二验证结果都不通过，则返回第一步骤S1。一些关键层次(比如多晶硅层，金属层)的SRAM图形设计尺寸存在违反设计规则的情况，因此在OPC验证中，这些SRAM图形就成为OPC验证报错的来源，尽管OPC处理过程本身并不存在问题。为了避免这些误报点的产生，本专利技术设计了一种优化OPC验证的方式：将SRAM图形区域与非SRAM图形区域分别验证的方法，减少误报问题，从而降低OPC检查的报错数目，减少OPC检查所需的时间。此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。可以理解的是，虽然本专利技术已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本专利技术。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的
技术实现思路
对本专利技术技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种优化OPC验证的方法，其特征在于包括：第一步骤：执行版图OPC处理，从而形成OPC版图数据；第二步骤：通过静态随机存储器标注层，使用标准验证规格格式命令，将版图划分为存储单元区域图形以及非存储单元区域图形；第三步骤：利用第一验证规范对所述存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第一验证结果；第四步骤：利用第二验证规范对所述非存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第二验证结果。

【技术特征摘要】
1.一种优化OPC验证的方法，其特征在于包括：第一步骤：执行版图OPC处理，从而形成OPC版图数据；第二步骤：通过静态随机存储器标注层，使用标准验证规格格式命令，将版图划分为存储单元区域图形以及非存储单元区域图形；第三步骤：利用第一验证规范对所述存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第一验证结果；第四步骤：利用第二验证规范对所述非存储单元区域图形的版图数据进行验证，以得到第二验证结果。2.根据权利要求1所述的优化OPC验证的方法，其特征在于，所述第一验证规范相对于所述第二验证规范更宽松。3.根据权利要求1或2所述的优化OPC验证的方法，其特征在于，根据公式Spec1＝X*Y％执行第一验证规范的设定，其中，Spec1代表第一验证规范值，X代表已量产的存储单元区域图形最小尺寸，Y代表已经过硅片数据验证的OPC修正误差。4.根据权利要求1或2所述的优化OPC验证的方法，其特征在于还包括：第五步骤：判断所述第一验证结果和所述第二验...

【专利技术属性】
技术研发人员：储志浩，何大权，魏芳，朱骏，吕煜坤，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31