光学邻近修正方法技术

本发明专利技术公开了一种光学邻近修正方法，通过在对待校正图形执行第一光学邻近修正获得第一校正图形后，采用从制程所对应的工艺窗口模型中所选择的具有最大间距值的模型和具有最小线宽值的模型对第一校正图形进行校验，确定易偏离点，并对该易偏离点进行目标修正后，执行第二光学邻近修正获得第二校正图形，并采用上述工艺窗口模型对该第二校正图形进行检验，在光学邻近修正期间穿插对第一校正图形的修改，从而保障了易偏离点能够及时的发现和修正，减轻了后续光学邻近修正进行冗余运算的数据量，缩短了掩膜数据的运算时间，因无需额外重新确定光学邻近修正的目标图形进行循环修正，从而缩短了光学邻近修正的周期，进而提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，通过在对待校正图形执行第一光学邻近修正获得第一校正图形后，采用从制程所对应的工艺窗口模型中所选择的具有最大间距值的模型和具有最小线宽值的模型对第一校正图形进行校验，确定易偏离点，并对该易偏离点进行目标修正后，执行第二光学邻近修正获得第二校正图形，并采用上述工艺窗口模型对该第二校正图形进行检验，在光学邻近修正期间穿插对第一校正图形的修改，从而保障了易偏离点能够及时的发现和修正，减轻了后续光学邻近修正进行冗余运算的数据量，缩短了掩膜数据的运算时间，因无需额外重新确定光学邻近修正的目标图形进行循环修正，从而缩短了光学邻近修正的周期，进而提高了生产效率。【专利说明】
本专利技术设及半导体制造
，尤其设及一种。
技术介绍
掩膜版（mask)是集成电路制造的光刻工艺中的一个必须的装置。掩膜版主要包 括透明的玻璃基片，W及覆盖在玻璃基片上的由非透明材料（一般为铭）构成的待曝光图 形。在光刻时，掩膜版被放置在福射光源和聚焦镜头之间，福射光源发出的光线穿过掩膜 版、通过透镜后照射在表面旋涂有光刻胶的晶圆上，使得晶圆表面上的光刻胶被选择性曝 光，从而将掩膜版上的图形映射至光刻胶层上。 当福射光源发出的光线穿过掩膜版时，受到待曝光图形（如锻铭图形）边缘的影 响而发生折射和散射，随着器件特征尺寸（CD，化itical Dimension)的不断减小，使得照射 至光刻胶层上的图形发生明显的变形和失真，在半导体制造工艺中，为了克服运种由于特 征尺寸的缩小而带来的一系列光学邻近效应的ptical Proximity Effect,简称0P巧，业界 通常采用光学邻近修正的ptical Proximity Correction,简称0PC)来对预期发生变形和 失真的曝光图形进行微小的修真，如在预期发生失真的图形部分中使用键头形状的延伸线 等。 目前，常规条件的模型（normal condition model)通常用来被做光学邻近修 正，即用来测量边缘位置误差巧dge Placement化ror,简称EP巧，而工艺窗口（Process Window,简称PW)条件的模型（PW condition model)通常被用来做光学邻近修正后的校验 (Post 0PC verification),-些在常规条件的模型下的目标点在工艺窗口条件的模型下 成为易偏离点（weak point),该易偏离点即易于发生形变和失真的区域，运些点需要调整 修正目标，然后再次进行光学邻近修正之后重新再进行光学邻近修正后的校验，如此循环 进行光学邻近修正W及修正之后的校验，直到所有的弱点都被清除，运些弱点清除的过程 会造成光学邻近修正过程的循环时间较长，从而影响生产的效率，且生产成本较高。 阳0化]因此，如何缩短光学邻近修正的循环时间，从而提高生产效率成为本领域技术人 员致力研究的方向。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术公开一种，W缩短光学邻近修正 的周期，从而提高生产效率。 为了实现上述目的，本专利技术记载了一种，包括如下步骤： 提供一待校正图形； 对所述待校正图形执行第一光学邻近修正，获得第一校正图形； 采用选择的校验模型对所述第一校正图形进行校验工艺，W于该第一校正图形上 确定易偏离点，并对该易偏离点进行目标修正； 对目标修正过的第一校正图形执行第二光学邻近修正，获得第二校正图形； 对所述第二校正图形进行检验工艺。 上述的，其中，所述方法还包括： 从所述待校正图形对应的工艺窗口模型中选择至少一个模型W作为所述校验模 型； 其中，利用所述工艺窗口模型对所述第二校正图形进行检验工艺。 上述的，其中，所述工艺窗口模型包括多个模型，所述选择的校 验模型包括具有最大间距值的模型和具有最小线宽值的模型。 上述的，其中，所述易偏离点包括断线位置和碰线位置。 上述的，其中，采用所述具有最大间距值的模型对所述第一校 正图形进行仿真，确定所述碰线位置；采用所述具有最小线宽值的模型对所述第一校正图 形进行仿真，确定所述断线位置。 上述的，其中，通过增加所述断线位置的线宽值W对所述断线 位置进行目标修正；通过增加所述碰线位置的间距值W对所述碰线位置进行目标修正。 上述的，其中，所述第一光学邻近修正和所述第二光学邻近修 正均采用最佳条件模型。 上述的，其中，所述第一次光学邻近修正和所述第二次光学邻 近修正的迭代次数均为4-8次。 上述的，其中，所述第一次光学邻近修正和所述第二次光学邻 近修正的迭代次数相同。 上述的，其中，所述应用于形成金属层的工 艺中。 上述专利技术具有如下优点或者有益效果：综上所述，本专利技术提供的，通过在对待校正图形执行第一光学 邻近修正获得第一校正图形后，采用从制程所对应的工艺窗口模型中所选择的具有最大间 距值的模型和具有最小线宽值的模型对第一校正图形进行校验，确定易偏离点，并对该易 偏离点进行目标修正后，执行第二光学邻近修正获得第二校正图形，并采用上述工艺窗口 模型对该第二校正图形进行检验，在光学邻近修正期间穿插对第一校正图形的修改，从而 保障了易偏离点能够及时的发现和修正，减轻了后续光学邻近修正进行冗余运算的数据 量，缩短了掩膜数据的运算时间，因无需额外重新确定光学邻近修正的目标图形进行循环 修正，从而缩短了光学邻近修正的周期，进而提高了生产效率。 阳0%] 具体【附图说明】 通过阅读参照W下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、外 形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可W按照比 例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。 图1是本专利技术的流程示意图； 图2a-2c是本专利技术实施例中对校验确定的断线位置进行目标修正W及继续修正 的仿真示意图； 图3a-3c是本专利技术实施例中对校验确定的碰线位置进行目标修正W及继续修正 的仿真示意图。【具体实施方式】 下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限 定。 图1是本专利技术的流程示意图，如图1所示： 本实施例设及一种，应用于半导体制造过程中45皿技术节点 的工艺中，例如应用在形成金属层（metal layer)的工艺中，包括如下步骤： 阳034] 步骤S1，将设计的掩膜数据输入图形数据系统（I吨ut Graphic Data System,简 称Input GD巧，生成光学邻近修正的目标图形，即待校正图形。 步骤S2,用常规条件的模型（normal condition model)对该待校正图形执行第一 光学邻近修正，获得第一校正图形，即初始校正图形；优选的，采用光刻条件为最佳曝光能 量、焦距为最佳焦距的最佳条件的模型（nominal condition model)对上述待校正图形执 行Μ次迭代次数的第一光学邻近修正，其中4《Μ《8 (例如，正整数值的Μ为4, 5, 6或者 8) 〇 步骤S3,在确定的金属层制程工艺中，具有对应的工艺窗口，即可W得到待校正 图形对应的工艺窗口模型（Process window condition models)，从中选择至少一个模 型（selected models)作为校验模型，用于校验（verify)上述第一校正图形，W在该第一 校正图形上确定易偏离点（weak 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一待校正图形；对所述待校正图形执行第一光学邻近修正，获得第一校正图形；采用选择的校验模型对所述第一校正图形进行校验工艺，以于该第一校正图形上确定易偏离点，并对该易偏离点进行目标修正；对目标修正过的第一校正图形执行第二光学邻近修正，获得第二校正图形；对所述第二校正图形进行检验工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴荣，张迎春，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31