用于检查测试图形库的覆盖率的方法和光学邻近修正方法技术

本发明专利技术提供一种用于检查测试图形库的覆盖率的方法和光学邻近修正方法。所述用于检查测试图形库的覆盖率的方法包括：创建预定大小的栅格；对组成所述栅格的一个或多个网格进行预定义；计算经预定义的所述栅格内的所有测试图形；在所述所有测试图形中筛选出不违反设计规则的测试图形；以及将筛选出的测试图形与原有测试图形库进行比对，确定所述原有测试图形库的覆盖率。本发明专利技术所提供的用于检查测试图形库的覆盖率的方法可以得到测试图形库的几何覆盖能力，为光学邻近修正后续的精准修正提供基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种用于检查测试图形库的覆盖率的方法和光学邻近修正(Optical Proximity Correction,OPC)方法。
技术介绍
随着集成电路的复杂度越来越高，特征尺寸也变的越来越小。当集成电路的特征尺寸接近光刻机曝光的系统极限，即特征尺寸接近或小于光刻光源时，硅片上制造出的版图会出现明显的畸变，该现象称为光学邻近效应。为了应对光学邻近效应，提出了分辨率增强技术。其中，光学邻近修正(即OPC)已成为最重要的技术。OPC主要是对半导体某一特定层形成修正图案进行修正，即将欲曝光在晶片的半导体基底上的原始图案，利用计算机和套装软件运算加以计算修正，得到与原始图案不同的结果图形，再将此结果图形输入计算机存档。根据OPC所得到的结果图形制作于光罩上，光束透过此光罩投影在半导体基底上的图案可与原始图案几乎相同。然而，随着设计版图越来越复杂，测试图形的设计也变得繁琐，如何高效设计能够完全覆盖设计版图的测试图形库成为问题。设计包括大量测试图形的库将浪费开发者大量的时间，而设计的测试图形库覆盖不全将导致新的下线(tape-out)问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供一种用于检查测试图形库的覆盖率的方法，所述方法包括：创建预定大小的栅格；对组成所述栅格的一个或多个网格进行预定义；计算经预定义的所述栅格内的所有测试图形；在所述所有测试图形中筛选出不违反设计规则的测试图形；以及将筛选出的测试图形与原有测试图形库进行比对，确定所述原有
测试图形库的覆盖率。在本专利技术的一个实施例中，所述栅格包括N╳N网格阵列，其中N为正整数。在本专利技术的一个实施例中，所述栅格包括5╳5网格阵列。在本专利技术的一个实施例中，所述预定义进一步包括：将所述一个或多个网格预定义为0或1，其中0表示所述网格处为空，1表示所述网格处存在图形。在本专利技术的一个实施例中，所述预定义包括对所述栅格的最中央网格单元进行预定义。在本专利技术的一个实施例中，所述所有测试图形的计算基于计算机编程方法。在本专利技术的一个实施例中，所述计算机编程方法包括MATLAB的蒙特卡洛算法。在本专利技术的一个实施例中，所述比对包括运行图案匹配。在本专利技术的一个实施例中，所述图案匹配允许模糊匹配。本专利技术还提供一种用于光学邻近修正的方法，所述方法包括在进行上述任一项用于检查测试图形库的覆盖率的方法的步骤后，将所述筛选出的测试图形中未包括在所述原有测试图形库中的测试图形添加到所述原有测试图形库中，以形成新的测试图形库用于光学邻近修正。本专利技术所提供的用于检查测试图形库的覆盖率的方法可以得到测试图形库的几何覆盖能力，为光学邻近修正后续的精准修正提供基础。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1示出了根据本专利技术实施例的用于检查测试图形库的覆盖率的方法的流程图；图2示出了根据本专利技术实施例创建的栅格的示例；以及图3a和图3b示出了根据本专利技术实施例计算出的测试图形的示例。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。OPC已经成为集成电路制造工艺中关键尺寸控制和良率提升不可缺少的途径。通过修改设计图形来预补偿制程偏差以提高图像的还原能力和解析度。然而，随着设计版图越来越复杂，测试图形的设计也变得繁琐，复杂的几何新设计为OPC过程制造了很多问题。许多人学习如何集中设计测试图形。但是如何综合并且有效设计以完全覆盖设计版图的几何图案是一个问题。太多的副本测试图形将浪费开发者的时间，而缺乏副本测试图形将导致新的下线问题。现有的商业标准方式是基于某区域的有限几何匹配信息使用图
案匹配方法将测试图形分组以区分图形ID，但是该方法仅能得到没有重复图形的图形ID的库，而无法得知错失(miss)了多少图形ID。本专利技术提供一种用于检查测试图形库的覆盖率的方法。图1示出了根据本专利技术实施例的用于检查测试图形库的覆盖率的方法100的流程图。如图1所示，方法100包括以下步骤：步骤101：创建预定大小的栅格；步骤102：对组成栅格的一个或多个网格进行预定义；步骤103：计算经预定义的栅格内的所有测试图形；步骤104：在所有测试图形中筛选出不违反设计规则的测试图形；步骤105：将筛选出的测试图形与原有测试图形库进行比对，确定原有测试图形库的覆盖率。其中，在步骤101中，所创建的栅格可以是N╳N网格阵列，其中N为正整数。其中，每个网格单元的大小可以为设计规则规定的最小尺寸。图2示出了根据本专利技术实施例创建的栅格200的示例。在图2中，N取正整数5，即所创建的栅格200为5╳5网格阵列。在步骤102中，可以对栅格200中包括的一个或多个网格进行预定义。其中，预定义可以进一步包括：将栅格200中包括的一个或多个网格预定义为0或1，其中0表示网格处为空，1表示网格处存在图形。进一步地，预定义可以包括对栅格200的最中央网格单元进行预定义。例如，将栅格200的最中央网格单元201预定义为0或1，即设定栅格200的最中央网格单元201为空或者存在图形。在步骤103中，可以采用计算机编程方法来穷举经预定义的栅格内的所有测试图形，例如采用MATLAB中的蒙特卡洛(Monto Carlo)算法来计算栅格200最中央网格单元201为0或1时的所有测试图形。图3a和图3b示出了根据本专利技术实施例计算出的测试图形的示例。其中，图3a示出了当栅格200的最中央网格单元201为1时所计算出的测试图形的示例；图3b示出了当栅格200的最中央网格单元201为0时所计算出的测试图形的示例。本领域普通技术人员可以理解看，图3a和图3b所示出的仅是测试图形的示例，为了简明，并未示出所有测试图形。此外，本领域普通技术人员也可以理解，在步骤101中，可以创建任意尺寸大小的栅
格，只要计算条件允许，且尽量以较少的计算量完成计算。在步骤104中，可以对计算出的所有测试图形进行设计规则检查(Design Rule Check,DRC)，从而筛选出不违反设计本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于检查测试图形库的覆盖率的方法，其特征在于，所述方法包括：创建预定大小的栅格；对组成所述栅格的一个或多个网格进行预定义；计算经预定义的所述栅格内的所有测试图形；在所述所有测试图形中筛选出不违反设计规则的测试图形；以及将筛选出的测试图形与原有测试图形库进行比对，确定所述原有测试图形库的覆盖率。

【技术特征摘要】
1.一种用于检查测试图形库的覆盖率的方法，其特征在于，所述方法包括：创建预定大小的栅格；对组成所述栅格的一个或多个网格进行预定义；计算经预定义的所述栅格内的所有测试图形；在所述所有测试图形中筛选出不违反设计规则的测试图形；以及将筛选出的测试图形与原有测试图形库进行比对，确定所述原有测试图形库的覆盖率。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅格包括N╳N网格阵列，其中N为正整数。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅格包括5╳5网格阵列。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预定义进一步包括：将所述一个或多个网格预定义为0或1，其中0表示所述网格处为空，1表示所述网格处存在图形。5.如权利要求4所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨青，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31