【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有金属栅极的场效应晶体管(FET)和互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,其中金属栅极包括至少一部分通过电镀淀积的材料。本专利技术还涉及在含有至少部分镀覆的金属栅极叠层的FET器件中制造金属栅极的镀覆方法。
技术介绍
先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件越来越多的利用金属栅极材料代替更传统的掺杂的多晶硅(poly-Si),以便避免“多晶硅损耗”和“硼渗透”效应。用作栅极材料的特定金属的选择受到许多因素的影响,例如,所希望的功函数和电阻率、栅极要接触的栅极电介质的类型(高k或其它)、栅极金属预计要承受的热负荷(thermal budget)以及避免损坏(damage-free)的栅极金属淀积工艺的存在。虽然在某些类型的CMOS中例如钨(W)等中等带隙(mid-gap)金属对于n型场效应晶体管(n-FET)和p型场效应晶体管(p-FET)都是可接受的,但是在已知为“双金属/双功函数”CMOS的方法中,往往希望使用适合p-FET的栅极金属(高功函数)和适合n-FET的栅极金属(低功函数)。通常,CMOS器件的金属栅极由纯金属或合金、金属或金属合金硅化物或者含有金属的导电氧化物或硅化物的一层或多层构成,这些层中的至少一层与器件的栅极电介质接触。双层金属栅极包括,例如,薄底部“覆层”或“功函数设置”层(与下面的栅极电介质接触)以及提供良好的导电性的厚上部“填充层”。在p-FET的条件下,钌(Ru)或者单独作为金属栅极,或者在与W的厚填充层的组合中作为薄覆层。金属栅极CMOS的制造方法常常利用置换栅极工艺流程,其中栅极金属材料填充通过去掉“假 ...
【技术保护点】
一种制造场效应晶体管的金属栅极的方法,所述金属栅极包括镀覆材料,所述方法包括:选择具有上表面和在所述上表面下面延伸的凹陷区的衬底,所述凹陷区限定所述金属栅极所需的位置和尺寸;在所述衬底上保形淀积导电籽层;在所述导电籽 层上电镀填充栅极金属,填充并过填充所述凹陷区;以及去掉所述填充栅极金属和所述导电籽层的至少一部分,暴露出所述衬底的所述上表面的至少一部分。
【技术特征摘要】
US 2003-10-29 10/694,7931.一种制造场效应晶体管的金属栅极的方法,所述金属栅极包括镀覆材料,所述方法包括选择具有上表面和在所述上表面下面延伸的凹陷区的衬底,所述凹陷区限定所述金属栅极所需的位置和尺寸;在所述衬底上保形淀积导电籽层;在所述导电籽层上电镀填充栅极金属,填充并过填充所述凹陷区;以及去掉所述填充栅极金属和所述导电籽层的至少一部分,暴露出所述衬底的所述上表面的至少一部分。2.根据权利要求1的方法,其中通过抛光或减法构图实现去掉所述填充栅极金属和所述导电籽层的至少一部分,以暴露出所述衬底的所述上表面的至少一部分。3.根据权利要求1的方法,其中凹陷区小于1微米宽并小于1微米深。4.根据权利要求1的方法,还包括在淀积所述导电籽层之前,在所述衬底上淀积导电覆层。5.根据权利要求4的方法,其中凹陷区从大约20nm到大约500nm宽,从大约20nm到大约300nm深,导电籽层优选从大约1nm到大约30nm厚,导电覆层优选从大约0.05nm到大约15nm厚。6.根据权利要求4的方法,其中以贯穿掩模电镀工艺电镀填充栅极金属,其中在用填充栅极金属电镀之前在不需要镀覆的区域的至少一部分上涂覆遮挡掩模。7.根据权利要求1的方法,其中导电籽层包括金属、金属合金、金属硅化物、金属合金硅化物、含有金属的导电氧化物或者含有金属的导电硅化物,其中金属从由Al、Co、Cr、Fe、In、Ir、Hf、Mg、Mo、Mn、Ni、Pd、Pt、La、Os、Nb、Rh、Re、Ru、Sn、Ta、Ti、V、W、Y和Zr构成的组中选择。8.根据权利要求7的方法,其中导电籽层用由C、B、O、N、Si、Ge、P、As和Sb构成的组中选择的至少一种非金属元素掺杂。9.根据权利要求4的方法,其中导电覆层包括金属、金属合金、金属硅化物、金属合金硅化物、含有金属的导电氧化物或者含有金属的导电硅化物,其中金属从由Al、Co、Cr、Fe、In、Ir、Hf、Mg、Mo、Mn、Ni、Pd、Pt、La、Os、Nb、Rh、Re、Ru、Sn、Ta、Ti、V、W、Y和Zr构成的组中选择。10.根据权利要求9的方法,其中导电覆层用由C、B、O、N、Si、Ge、P、As和Sb构成的组中选择的至少一种非金属元素掺杂。11.根据权利要求1的方法,其中填充栅极金属包括金属或金属合金,其中金属从由Al、Co、Cr、Fe、In、Ir、Hf、Mg、Mo、Mn、Ni、Pd、Pt、La、Os、Nb、Rh、Re、Ru、Sn、Ta、Ti、V、W、Y和Zr构成的组中选择。12.根据权利要求11的方法,其中填充栅极金属用由C、B、O、N、Si、Ge、P、As和Sb构成的组中选择的至少一种非金属元素掺杂。13.根据权利要求4的方法,其中导电覆层包括金属或金属合金,其中金属从由W和Mo构成的组中选择,填充栅极金属包括金属或金属合金,其中金属从由Ir、Pt、Ru和Rh构成的组中选择。14.根据权利要求4的方法,其中导电覆层包括金属或金属合金,其中金属从由Ir、Pd、Pt、Re、Rh和Ru构成的组中选择,填充栅极金属包括金属或金属合金,其中金属从由Ir、Pt、Ru和Rh构成的组中选择。15.根据权利要求4的方法,其中导电覆层包括金属、金属合金或金属氮化物,其中金属从由Ti、Ta和W构成的组中选择,填充栅极金属包括金属或金属合金,其中金属从由Ir、Pt、Ru和Rh构成的组中选择。16.根据权利要求1的方法,其中填充栅极金属包括金属或金属合金,其中金属为Ru。17.根据权利要求16的方法,其中导电籽层包括金属、金属合金或金属氮化物,其中金属从由Ta和Ru构成的组中选择。18.一种制造n-FET和p-FET金属栅极的方法,其中所述栅极的至少一个包括镀覆材料,所述方法包括选择具有上表面和在所述上表面下面延伸的至少两个凹陷区的衬底,所述凹陷区限定至少一个n-FET栅极和至少一个p-FET栅极处;在所述衬底上覆层淀积具有n-FET功函数的籽层;用抗蚀剂掩蔽该至少一个n-FET栅极;在该...
【专利技术属性】
技术研发人员:凯瑟琳L斯恩格,小西里尔卡巴拉尔,伊曼纽尔I库珀,哈里卡利亚得里格亚尼,帕纳约蒂斯安德里卡科斯,菲利普M维里肯,
申请(专利权)人:国际商业机器公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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