一种等离子体处理装置及其处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术的等离子体处理装置具有：带电介质壁的处理室；和设在所述处理室内，具有载置被处理体的载置面的载置台。经所述电介质壁，在所述处理室内激起感应等离子体。设有可装卸自由地覆盖所述载置台的至少载置面的电介质部件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法，更具体地说，涉及可以高效率地进行等离子体处理装置的初始化的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
在半导体装置的制造中，至今要求达到高密度和高集成化。为此，设计规则很严格，例如，栅极布线图形等的线宽度要更小，而作为下层半导体装置和上层布线层的连接部分的接触孔的纵横比要更高。为了制造按严格的设计规则设计的半导体装置，制造工序的管理很重要。例如，在蚀刻工序中，必需可靠地进行微细的图形和具有高的纵横比的接触孔的蚀刻。为此，管理蚀刻速率，可靠地形成所希望的图形不可缺少。但是，在进行蚀刻的等离子体处理装置中，特别是在使用电感耦合等离子体(以下称为ICP)进行蚀刻的等离子体处理装置中，在由石英等制成的腔室中不加电位。由于这样，蚀刻的材料作为异物，容易附着在腔室的内壁等上。附着在腔室内壁等上的异物，对蚀刻时的等离子体状态有影响。可以改变蚀刻速率。另外，为了适应随着半导体装置的进步的多种要求，可以进行各种过程。举一个例子来说，在将钨等材料埋入接触孔中以前，必需蚀刻掉在接触孔底部表面上，氧化变质产生的氧化膜(例如SiO2)然而，在将通常蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，具有：带电介质壁的处理室；设在所述处理室内，具有载置被处理体的载置面的载置台；可装卸自由地覆盖所述载置台的至少载置面的电介质部件；其特征为，经所述电介质壁，在所述处理室内，激起感应等离子体。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-1 167329/2001;JP 2001-12-20 388134/2001;1.一种等离子体处理装置，具有带电介质壁的处理室；设在所述处理室内，具有载置被处理体的载置面的载置台；可装卸自由地覆盖所述载置台的至少载置面的电介质部件；其特征为，经所述电介质壁，在所述处理室内，激起感应等离子体。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征为，所述电介质部件具有载置被处理体的载置面，在该载置面周围，形成引导被处理体的导向环。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征为，所述导向环的表面按照位于比所述被处理体的处理面低的位置的方式而形成。4.如权利要求1-3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征为，所述电介质部件是可覆盖在所述载置台的上部的凹形。5.如权利要求1-4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征为，所述电介质部件由可相互分离的载置面部和导向环部构成。6.如权利要求1-5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征为，所述电介质部件由石英构成。7.一种等离子体处理装置，具有具有电介质壁和与电介质壁连接的、由氟类弹性材料构成的平型密封垫片的处理室；和设在所述处理室内，载置被处理体的载置台，其特征为，通过所述电介质壁，在所述处理室内，激起感应等离子体，所述平型密封垫片是在两个面上形成至少一列环形突起。8.如权利要求7所述的等离子体处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田太郎，饭塚八城，山本薰，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]