薄膜形成装置的洗净方法制造方法及图纸

热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到３００℃的加热工序、和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到３００℃的反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，详细地说，涉及通过在被处理体、例如半导体晶片上形成薄膜后，去除附着在装置内部的附着物的。
技术介绍
在半导体装置制造工序中，通过CVD(Chemical Vapor Deposition)等处理，进行在被处理体、例如半导体晶片上形成氧化硅膜、氮化硅膜等薄膜的薄膜形成处理。在进行这样的薄膜形成处理时，使用例如如图15所示的热处理装置51，按如下方法在半导体晶片上形成薄膜。首先，用加热器53将由内管52a和外管52b构成的双层管结构的反应管52加热到规定的温度。另外，将收放有数片半导体晶片54的晶片螺柱55装入反应管52(内管52a)内。然后，从排气口56将反应管52内的气体排出，使反应管52减压到规定的压力。反应管52被减压至规定压力时，从气体导入管57将处理气体供给内管52a内。将处理气体供给内管52a内时，处理气体引起热反应，因热反应所生成的反应生成物堆积在半导体晶片54的表面上，在半导体晶片54的表面上形成薄膜。另外，通过薄膜形成处理所产生的废气从连接在排气口56上的排气管58排列热处理装置51的外部。另外，在排气管58上设有未图示的收集器、洗涤器等，利用收集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜形成装置的洗净方法，将处理气体供给薄膜形成装置的反应室内而在被处理体上形成薄膜之后，去除附着在装置内部的附着物，其特征在于，包括以下工序：将上述反应室内加热到规定温度的加热工序；将含有氟气和可促进该氟气活化的添加气体 的清洗气体供给通过上述加热工序已加热到规定温度的反应室内，通过将该清洗气体加热到规定温度，使清洗气体中所含的氟气活化，利用该被活化后的氟气去除上述附着物而洗净薄膜形成装置内部的洗净工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：西村和晃，东条行雄，P斯波尔，多胡研治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]