【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体器件制造中的，尤其是涉及通过由光刻胶构成的掩模层对有机类防反射膜蚀刻的。
技术介绍
近年来，在半导体器件的制造领域，为了防止在通过逐次曝光装置等曝光之际，在光刻胶膜内发生多重干涉引起的驻波等，多用防反射膜(ARC(Anti-Reflecting Coating)膜)。作为这样的防反射膜之一，使用有机类高分子的有机类防反射膜一直以来被使用。图8是示出用上述有机类防反射膜的半导体器件的制造工序的一例。如图8(a)所示，在半导体晶片(硅基板)201上，形成由氧化硅膜等构成的绝缘层202、多晶硅等构成的导体层203，在该导体层203上，通过旋转涂膜等方法形成有机类防反射膜204，和由光刻胶构成的掩模层205。而且，首先，通过由逐次曝光装置的曝光工序以及由显像装置的显像工序，对由光刻胶构成的掩模层205进行曝光、显像，如图8(b)所示，形成预定图案掩模层205。其后，通过使用由Cl2气和O2构成的蚀刻气体的等离子体蚀刻，通过掩模层205对有机类防反射膜204进行蚀刻，如图8(c)所示，对有机类防反射膜204按照预定图案进行图案形成。然后，通过掩模层...
【技术保护点】
一种干蚀刻方法，通过形成预定图案的掩模层，对有机类防反射膜进行蚀刻，其特征在于， 通过使用含有ＣＦ↓［４］气和Ｏ↓［２］气的蚀刻气体的等离子体蚀刻，对所述有机类防反射膜进行蚀刻。
【技术特征摘要】
JP 2001-7-10 210034/20011.一种干蚀刻方法，通过形成预定图案的掩模层，对有机类防反射膜进行蚀刻，其特征在于，通过使用含有CF4气和O2气的蚀刻气体的等离子体蚀刻，对所述有机类防反射膜进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述预定的图案具有邻接的图案彼此之间接近并紧密地配置的部分和邻接的图案彼此隔开并稀疏地配置的部分。3.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩模层由光刻胶构成。4.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩模层由ArF光刻胶构成。5.根据权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，对所述掩模层以及所述有机类防反射膜横方向蚀刻，并进行线宽的微调。6.一种干蚀刻方法，通过形成具有邻接的图案彼此之间接近并紧密地配置的部分和邻接的图案彼此之间隔开并稀疏地配置的部分的预定图案的掩模层，对有机类防反射膜进行蚀刻，其特征在于，通过使用含有N2气和O2气的蚀刻气体的等离子体蚀刻，对所述有机类防反射膜进行蚀刻。7.根据权利要求6所述的干蚀刻方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：清水昭贵，鹤田敬，榎本隆，冈广实，高明辉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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