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干蚀刻方法技术
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文档序号:3207279
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使用CF↓[4]+O↓[2]气体作为蚀刻气体,通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层105,利用等离子体蚀刻,对有机类防反射膜104进行蚀刻,据此,与以往相比,可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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