干蚀刻方法技术

一种干蚀刻方法，能够把被加工层加工成微细图案且周缘部有棱角的形状，用这种干蚀刻方法沿相当于蚀刻图案的轮廓的第一掩膜层（２０）的周缘部形成向磁性薄膜层（被加工层）（１８）的对面侧突出的突部（２１）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于加工例如半导体、信息记录媒体等的干蚀刻方法及信息记录媒体。
技术介绍
以往，作为半导体、信息记录媒体等的微细加工技术已知的方法是干蚀刻方法，这种干蚀刻方法包含在被加工层上形成规定图案的掩膜层的掩膜层加工工序和用干蚀刻方法除去被加工层的露出部分并加工成所述图案形状的被加工层加工工序。虽然干蚀刻中有各种各样的方法，但是现在广泛使用的方法是其中的反应性离子蚀刻法，其原因是这种方法能够通过适当地选择反应性气体的种类和掩膜材料增大被加工层的蚀刻速率与掩膜的蚀刻速率的选择比，这样，就可以减薄掩膜层，从而能够实现微细图案的加工。反应性离子蚀刻法是一种主要在半导体制造领域中发展起来的技术，而在具有磁性层的信息记录媒体的制造等其他领域中也可以利用这种技术(例如，参照特开平12-322710号公报)。但是，即便使用干蚀刻方法能把被加工层加工成微细图案的形状，如图21(A)所示，也很难把被加工层100加工成相当于图案的轮廓的周缘部100A有棱角的形状，实际上，被加工层的周缘部被加工成了带圆角的形状，在所希望的加工形状与实际的加工形状之间产生了一定的偏差。更详细地说，在干蚀刻中，除去被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干蚀刻方法，包括将被加工层上的掩膜层加工成规定的图案形状的掩膜层加工工序；以及用干蚀刻除去所述被加工层的露出部分并加工成所述图案形状的被加工层加工工序；其特征在于，　所述掩膜层加工工序沿着相当于所述图案的轮廓的所述掩膜层的周缘部 ，形成向所述被加工层的对面侧突出的突部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-6-30 188467/20031.一种干蚀刻方法，包括将被加工层上的掩膜层加工成规定的图案形状的掩膜层加工工序；以及用干蚀刻除去所述被加工层的露出部分并加工成所述图案形状的被加工层加工工序；其特征在于，所述掩膜层加工工序沿着相当于所述图案的轮廓的所述掩膜层的周缘部，形成向所述被加工层的对面侧突出的突部。2.如权利要求1所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述掩膜层加工工序包含第二掩膜层加工工序和第一掩膜层加工工序；该第二掩膜层加工工序是把所述掩膜层作为第一掩膜层，在该第一掩膜层上形成第二掩膜层并加工成所述图案的形状；该第一掩膜层加工工序是用离子束蚀刻除去所述第一掩膜层的露出部分，同时使由该离子束蚀刻被除去而飞散的粒子再次附着在所述第二掩膜层的侧面，由此在所述第一掩膜层的周缘部形成所述突部。3.如权利要求2所述的干蚀刻方法，其特征在于，所述第一掩膜层加工工序通过设定所述离子束蚀刻的束电压的调节和气体种类的选择中的至少一个蚀刻条件来控制所述突部的形状。4.如权利要求2或3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大川秀一，服部一博，高井充，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]