一种干蚀刻装置，其利用等离子体进行薄膜蚀刻。此干蚀刻装置由真空腔、上电极板、下电极板、等离子体真空放电区、电源以及气体出口所组成。其中，上电极板安装于真空腔内，且具有至少一气体入口，此气体入口用以导入工艺气体。下电极板亦安装于真空腔内，而等离子体真空放电区介于上电极板与下电极板之间。电源电连接上电极板与下电极板，用以提供等离子体真空放电区所需的电位差。气体出口连接真空腔与真空系统，用以维持真空腔内的等离子体状态。而上述的气体入口更具有一树脂层，用以保护气体入口免于被蚀刻影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种干蚀刻装置，特别是涉及一种气孔装置，其安装于干蚀刻装置中。
技术介绍
所谓的干蚀刻(Dry Etching)，就是以等离子体(Plasma)来进行薄膜蚀刻的一种技术。由于干蚀刻主要是利用粒子轰击的物理现象进行蚀刻，因此干蚀刻于垂直方向的蚀刻率远大于横向上的。故于薄膜工艺中常常会藉助干蚀刻工艺来进行各向异性蚀刻。一般的干蚀刻装置主要由真空腔、上电极板、下电极板、等离子体真空放电区、电源以及气体出口所组成。其中，上电极板安装于真空腔内，且具有气体入口于其上，此气体入口用以导入工艺气体。传统上，上电极板由铝或者其它金属材料所制成，因此于上电极板的气体入口附近一般会镀上一层阳极膜来避免尖端放电的现象。下电极板亦安装于真空腔内，且等离子体真空放电区介于上电极板与下电极板之间。电源电连接上电极板与下电极板，用以提供等离子体真空放电区所需的电位差。气体出口连接真空腔与真空系统，用以维持真空腔内的等离子体状态。利用等离子体真空放电区内的高压电场互相作用所产生的等离子体来蚀刻。然而，于等离子体真空放电区内的等离子体也同样地会蚀刻上电极板与下电极板，特别是上电极板的气体入口因气孔为直角在生成阳极模时其致密性较低故附近更容易被蚀刻。若上电极板上镀的阳极膜被蚀刻耗尽，而使上电极板的铝或其它金属材料外露，将使气体入口附近产生尖端放电的问题。此外，由于等离子体的持续蚀刻作用下，将使蚀刻上电极板而溅飞的粒子污染真空腔。综合以上所述，如何能够保护上电极板的气体入口附近免于受等离子体蚀刻，进而避免尖端放电以及粒子污染的问题，为干蚀刻相关设备的设计者、使用者与制造者所共同企盼。鉴于上述的专利技术背景中，由于传统的干蚀刻装置中的高压电场所产生的等离子体，在蚀刻工艺的同时亦蚀刻上电极板，特别是气体入口附近。此将造成气体入口尖端放电以及真空腔内粒子污染等问题。
技术实现思路
因此本专利技术的目的就是在提供一种气孔装置，安装于干蚀刻设备中，此气孔装置利用树脂材料所制成的气孔本体来保护干蚀刻设备的气体入口免受蚀刻的影响。本专利技术的另一目的是在提供一种干蚀刻装置，其具有树脂层安装于气体入口，用以保护气体入口免于遭受蚀刻，进而避免于气体入口处产生尖端放电的问题。本专利技术的又一目的是在提供一种干蚀刻装置，其具有树脂层安装于气体入口，用以保护气体入口免于遭受蚀刻，进而避免真空腔内产生粒子污染的问题。根据本专利技术的上述目的，提出一种干蚀刻装置，其利用等离子体进行薄膜蚀刻。此干蚀刻装置由真空腔、上电极板、下电极板、等离子体真空放电区、电源以及气体出口所组成。其中，上电极板安装于真空腔内，且具有气体入口，此气体入口用以导入工艺气体。下电极板亦安装于真空腔内，且等离子体真空放电区介于上电极板与下电极板之间。电源电连接上电极板与下电极板，用以提供等离子体真空放电区所需的电位差。气体出口连接真空腔与真空系统，用以维持真空腔内的等离子体状态。而上述的气体入口还具有一树脂层，用以保护气体入口免于被蚀刻影响。依照本专利技术一优选实施例，上述的树脂层由聚酰亚胺(Polyimide)所制成。此外，气体入口还可具有一凹缘，位于气体入口与真空腔邻接的一端。而树脂层亦可具有一凸缘，此凸缘与上述的凹缘相互配合，用以使树脂层安装于气体入口。本专利技术的干蚀刻装置，其利用了安装于气体入口的树脂层来保护气体入口免于蚀刻的影响。此外，由于气体入口未遭受蚀刻，故于气体入口的尖端放电以及真空腔内的粒子污染等问题也因此而减轻。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的详细说明如下图1为绘示依照本专利技术一优选实施例的干蚀刻装置的一种示意图。图2为绘示依照本专利技术一优选实施例的气体入口的一种示意图。简单符号说明100干蚀刻装置110真空腔120上电极板 122气体入口124凹缘 130下电极板140等离子体真空放电区150电源160气体出口 210树脂层212凸缘 214通气口具体实施方式本专利技术的干蚀刻装置能避免气体入口附近遭受等离子体蚀刻，使得尖端放电以及粒子污染等问题能有效下降。以下将以图标及详细说明清楚说明本专利技术的精神，如本领域技术人员在了解本专利技术的优选实施例后，当可由本专利技术所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本专利技术的精神与范围。参照图1，其绘示依照本专利技术一优选实施例的干蚀刻装置的示意图。如图中所示，此干蚀刻装置100由真空腔110、上电极板120、下电极板130、等离子体真空放电区140、电源150以及气体出口160所组成。其中，上电极板120安装于真空腔110内，且具有至少一气体入口122，此气体入口122用以导入工艺气体。其中，上电极板120一般由铝或其它金属材料制成。此上电极板120上还可镀上一层阳极膜，以避免尖端放电的现象产生。而上述的工艺气体可为氯化氢或氢气。然而工艺气体并不限于此，此工艺气体亦可随着工艺需要而选用适合的气体。下电极板130亦安装于真空腔110内，而等离子体真空放电区140介于上电极板120与下电极板130之间。电源150电连接上电极板120与下电极板130，用以提供等离子体真空放电区140所需的电位差。气体出口160连接真空腔110与真空系统(未图标)，用以维持真空腔110内的等离子体状态。参照图2，其绘示依照本专利技术一优选实施例的气体入口的示意图。在图2中，气体入口122还具有一树脂层210，用以保护气体入口122免于被蚀刻影响。在本实施例中，树脂层210由聚酰亚胺所制成。然此树脂层210亦可为其它树脂材料。其中，气体入口122还可具有一凹缘124，此凹缘124位于气体入口122与真空腔110邻接的一端。而树脂层210亦可具有一凸缘212，此凸缘212与凹缘124相互配合，使树脂层210以拴塞的方式固定于气体入口122。然只要不违背本专利技术的精神，使用其它形式的固定方式亦可，如螺栓、螺钉、粘着剂或其它类似的方式。如图2所示，树脂层210还可具有一通气口214。此通气口214连接气体入口122与真空腔110，用以导入工艺气体。由上述本专利技术优选实施例可知，应用本专利技术具有下列优点。(1)由于本专利技术的干蚀刻装置利用了树脂层来保护上电极板的气体入口免受蚀刻的影响，进而使上电极板的气体入口附近的尖端放电问题得以减缓。(2)由于本专利技术的干蚀刻装置利用了树脂层来保护上电极板的气体入口免受蚀刻的影响，进而使真空腔内的粒子污染问题得以减缓。虽然本专利技术以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本专利技术，本领域的技术人员在不脱离本专利技术的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本专利技术的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。权利要求1.一种干蚀刻装置，其利用等离子体进行薄膜蚀刻，该干蚀刻装置至少包含一真空腔；一上电极板，安装于该真空腔内，该上电极板包含至少一气体入口，用以导入一工艺气体；一下电极板，安装于该真空腔内；一等离子体真空放电区，位于该真空腔内，且介于该上电极板与该下电极板之间；一电源，电连接该上电极板与该下电极板，用以提供该等离子体真空放电区一电位差；以及至少一气体出口，连接该真空腔与一真空系统，用以保持该真空腔内的等离子体状态；其中，该至少一气体入口还包括一树脂层，该树脂层安装于该至少一气体入口。2.如权利要求1所述的干蚀刻装置，其中本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种干蚀刻装置，其利用等离子体进行薄膜蚀刻，该干蚀刻装置至少包含：一真空腔；一上电极板，安装于该真空腔内，该上电极板包含至少一气体入口，用以导入一工艺气体；一下电极板，安装于该真空腔内；一等离子体真空放电区， 位于该真空腔内，且介于该上电极板与该下电极板之间；一电源，电连接该上电极板与该下电极板，用以提供该等离子体真空放电区一电位差；以及至少一气体出口，连接该真空腔与一真空系统，用以保持该真空腔内的等离子体状态；其中，该至 少一气体入口还包括一树脂层，该树脂层安装于该至少一气体入口。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：江泓庆，张奕锟，洪国展，侯建州，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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