抗蚀层的薄膜化装置制造方法及图纸

抗蚀层的薄膜化装置，胶束除去处理单元具有pH传感器及酸性溶液添加用泵，该pH传感器设置于能监视胶束除去液的pH的位置，酸性溶液添加用泵设置在能在胶束除去液的pH上升时将酸性溶液添加到胶束除去液中的位置，酸性溶液添加用泵在胶束除去液的实际pH值pH‑M为pH‑A以上时将酸性溶液添加到胶束除去液中，pH‑M时的酸性溶液添加用泵的实际输出OP‑M由pH‑A时的酸性溶液添加用泵的输出OP‑A与胶束除去液的pH的控制目标pH‑B时的酸性溶液添加用泵的输出OP‑B之间的比例控制确定，OP‑M相对于酸性溶液添加用泵的最大输出OP‑X为10%以上50%以下，pH‑A<pH‑B，OP‑A≤OP‑M≤OP‑B。

【技术实现步骤摘要】
抗蚀层的薄膜化装置
本专利技术涉及抗蚀层的薄膜化装置。
技术介绍
伴随着电器以及电子部件的小型化、轻量化、多功能化，对于电路形成用的以干膜抗蚀剂、焊料抗蚀剂为首的感光性树脂（感光性材料），为了对应印刷配线板的高密度化，要求高分辨率。借助这些感光性树脂进行的图像形成通过将感光性树脂曝光后显影而进行。为了与印刷配线板的小型化、高功能化对应，存在感光性树脂被薄膜化的倾向。在感光性树脂中，有涂布液体而使用的类型的液状抗蚀剂和干膜类型的干膜抗蚀剂。最近，厚度为15μm以下的干膜抗蚀剂被开发，商品化也在发展。但是，这样的薄的干膜抗蚀剂与以往的厚度的抗蚀剂相比，密接性以及向凹凸的追从性变得不足，存在会发生剥离、空隙等的问题。为了解决这些问题，提出了能一边使用厚的感光性树脂一边实现高分辨率的技术方案。例如，在借助消减法制作导电图案的方法中，公开有如下所述的导电图案的形成方法（例如，参照参考文献1），其特征在于，在绝缘层的单面或者两面上设置金属层而形成层叠基板，在该层叠基板上接合蚀刻抗蚀剂用的干膜抗蚀剂而形成抗蚀层，之后，进行抗蚀层的薄膜化工序，接着进行电路图案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序。另外，在形成焊料抗蚀剂图案的方法中，公开有如下所述的焊料抗蚀剂图案的形成方法（例如，参照专利文献2以及专利文献3），其特征在于，在具有导电性图案的电路基板上形成由焊料抗蚀剂形成的抗蚀层，之后进行抗蚀层的薄膜化工序，接着进行图案曝光工序，再一次进行抗蚀层的薄膜化工序。另外，在专利文献4中，公开有至少包括下述四个处理单元的抗蚀层的薄膜化装置：薄膜化处理单元，其将形成有抗蚀层的基板浸渍（浸泡，dip）在高浓度的碱性水溶液（薄膜化处理液）中，使抗蚀层的成分的胶束（micelle）暂时不溶解化，令其在处理液中不容易溶解扩散；胶束除去处理单元，借助胶束除去液喷雾将胶束一举溶解除去；水洗处理单元，将表面用水洗净；干燥处理单元，将水洗用水除去。关于专利文献4公开的薄膜化装置的一部分，使用图13表示的概略剖视图进行说明。在薄膜化处理单元11中，从投入口7投入形成有抗蚀层的基板3。基板3被从浸泡槽的入口辊对（有时简写为“入口辊对”）4向浸泡槽2中运送，在浸泡于薄膜化处理液1中的状态下被运送至浸泡槽2内，进行抗蚀层的薄膜化处理。其后，基板3被运送至胶束除去处理单元12。在胶束除去处理单元12中，对于被胶束除去处理单元的运送辊29运送来的基板3，通过胶束除去液供给管20从胶束除去液用喷嘴21供给胶束除去液喷雾22。基板3的抗蚀层在薄膜化处理单元11内部的浸泡槽2中，借助作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液1，使抗蚀层成分的胶束相对于薄膜化处理液1暂时不溶解化。此后，借助胶束除去液喷雾22除去胶束，由此抗蚀层被薄膜化。胶束除去液的pH比薄膜化处理液的pH更低。并且，通过使胶束除去液的pH维持在5.0~10.0的范围能够保持抗蚀层向胶束除去液的溶解扩散性为一定，稳定的连续薄膜化成为可能（例如，参照专利文献3）。但是，薄膜化处理液是高浓度的碱性水溶液，因此相对于抗蚀层表面被薄膜化处理液的液膜覆盖的状态的基板，若供给胶束除去液喷雾，则薄膜化处理液与胶束除去液混合，因此胶束除去液的pH会上升。为了使上升的胶束除去液的pH下降，向胶束除去液添加酸性溶液。每单位时间薄膜化处理液向胶束除去液的混入量根据抗蚀层表面的薄膜化处理液的覆盖量以及基板表面的薄膜化处理液的附着量、薄膜化处理的频度（投入数、投入间隔等）等而不同，仅用简单的方法添加酸性溶液时难以将胶束除去液的pH维持在所希望的范围内。特别地，在胶束除去液具有缓冲作用的情况下，仅与胶束除去液的pH相应地添加酸性溶液时无法控制胶束除去液的pH。通常，与胶束除去液的pH的上升相应地添加酸性溶液，与pH的下降相应地停止酸性溶液的添加，但在具有相对于薄膜化处理液的混入而胶束除去液的pH被保持为一定这样的缓冲作用时，即使pH不上升，酸性溶液也被持续添加。进一步地，在缓冲作用发挥作用的状态下，即使在薄膜化处理结束而没有薄膜化处理液的混入的情况下，胶束除去液的pH也不会立刻下降，在该pH变动的时间滞后期间，多余地添加酸性溶液。胶束除去液的缓冲作用的程度根据混合的薄膜化处理液的成分而不同，通常胶束除去液是含有将弱酸与共轭盐基混合的碱性化合物的水溶液，能得到显著的缓冲作用。若像这样地酸性溶液被添加需要量以上，则存在pH会过度下降，胶束除去性能产生偏差，抗蚀层的薄膜化处理量变得不均匀的情况。并且，若存在比薄膜化后的抗蚀层更薄的部分，则在消减法下的导电图案形成中成为电路断线的原因，在焊料抗蚀剂的图案形成中成为耐气候性下降的原因，不论哪一个都存在导致生产中的成品率的下降的问题。另外，若胶束除去液的pH过度下降，则存在抗蚀层的成分凝集而变成不溶解性的淤渣而附着在薄膜化后的抗蚀层表面的问题。专利文献1：日本特许第5339626号。专利文献2：日本特许第5444050号。专利文献3：国际公开第2012/043201号手册。专利文献4：日本特许2012-27299号公报。
技术实现思路
本专利技术的课题在于提供一种抗蚀层的薄膜化装置，其用于如下所述地进行的抗蚀层的薄膜化处理方法：借助作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液使抗蚀层中的成分胶束化的同时使其暂时不溶解化，之后由胶束除去液喷雾除去胶束，其中，即使在每单位时间的薄膜化处理液向胶束除去液的混入量会变化的情况下、在胶束除去液具有缓冲作用而存在薄膜化处理结束时的胶束除去液的pH变动的时间滞后的情况下，也能将胶束除去液的pH维持在所希望的范围内，能够解决抗蚀层的薄膜化处理量变得不均匀的问题、抗蚀层的成分凝集而变成不溶解性淤渣而附着在薄膜化后的抗蚀层表面的问题。本专利技术人发现借助下述专利技术能够解决这些课题。一种抗蚀层的薄膜化装置，该抗蚀层的薄膜化装置具备：薄膜化处理单元，借助薄膜化处理液使形成于基板上的抗蚀层中的成分胶束化；胶束除去处理单元，借助胶束除去液除去胶束；其特征在于，胶束除去处理单元具有pH传感器以及酸性溶液添加用泵，该pH传感器被设置于能监控胶束除去液的pH的位置，酸性溶液添加用泵被设置在下述位置：在胶束除去液的pH上升时能向胶束除去液添加酸性溶液的位置，酸性溶液添加用泵在胶束除去液的实际pH值pH-M为pH-A以上的情况下，将酸性溶液添加到胶束除去液中，pH-M时的酸性溶液添加用泵的实际输出OP-M由pH-A时的酸性溶液添加用泵的输出OP-A与胶束除去液的pH的控制目标值pH-B时的酸性溶液添加用泵的输出OP-B之间的比例控制确定，并且，OP-M相对于酸性溶液添加用泵的最大输出OP-X为10%以上50%以下（其中，pH-A<pH-B，OP-A≤OP-M≤OP-B）。根据本专利技术的抗蚀层的薄膜化装置，能够提供如下所述的抗蚀层的薄膜化装置：即使在每单位时间的薄膜化处理液向胶束除去液的混入量变化的情况下、在胶束除去液具有缓冲作用而存在薄膜化处理结束时的胶束除去液的pH变动的时间滞后的情况下，也能将胶束除去液的pH维持在所希望的范围内，能够解决抗蚀层的薄膜化处理量变得不均匀的问题、抗蚀层的成分凝集而变成不溶解性淤渣而附着在薄膜化后的抗蚀层表面的问题。附图说明图1是表示现有技术的胶束除去液的pH-M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀层的薄膜化装置，该抗蚀层的薄膜化装置具备：薄膜化处理单元，借助薄膜化处理液使形成于基板上的抗蚀层中的成分胶束化；胶束除去处理单元，借助胶束除去液除去胶束；所述抗蚀层的薄膜化装置的特征在于，胶束除去处理单元具有pH传感器以及酸性溶液添加用泵，该pH传感器被设置于能监视胶束除去液的pH的位置，酸性溶液添加用泵被设置于在胶束除去液的pH上升时能将酸性溶液添加到胶束除去液中的位置，酸性溶液添加用泵在胶束除去液的实际pH值pH‑M为pH‑A以上时将酸性溶液添加到胶束除去液中，pH‑M时的酸性溶液添加用泵的实际输出OP‑M由pH‑A时的酸性溶液添加用泵的输出OP‑A与胶束除去液的pH的控制目标值pH‑B时的酸性溶液添加用泵的输出OP‑B之间的比例控制确定，并且，OP‑M相对于酸性溶液添加用泵的最大输出OP‑X为10%以上50%以下，其中，pH‑A<pH‑B，OP‑A≤OP‑M≤OP‑B。

【技术特征摘要】
2015.10.08 JP 2015-2002681.一种抗蚀层的薄膜化装置，该抗蚀层的薄膜化装置具备：薄膜化处理单元，借助薄膜化处理液使形成于基板上的抗蚀层中的成分胶束化；胶束除去处理单元，借助胶束除去液除去胶束；所述抗蚀层的薄膜化装置的特征在于，胶束除去处理单元具有pH传感器以及酸性溶液添加用泵，该pH传感器被设置于能监视胶束除去液的pH的位置，酸性溶液添加用泵被设置于在胶束除去液的pH上升时能...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰田裕二，后闲宽彦，中川邦弘，
申请(专利权)人：三菱制纸株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP