抗蚀剂图案形成方法、抗蚀剂潜像形成装置、抗蚀剂图案形成装置和抗蚀剂材料制造方法及图纸

本发明专利技术的抗蚀剂图案形成方法含有：抗蚀剂层形成步骤(S101)，在基板(11)上形成抗蚀剂层(12)；活性化步骤(S103)，通过活性能量束的照射将所述抗蚀剂层活性化；衰减抑制步骤(S105)，对所述抗蚀剂层的活性衰减进行抑制；图案潜像形成步骤(S107)，通过潜像形成能量束的照射，在所述活性化了的抗蚀剂层上形成图案潜像；以及显影步骤(S110)，对所述抗蚀剂层进行显影。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及抗蚀剂图案形成方法、抗蚀剂潜像形成装置、抗蚀剂图案形成装置和 抗蚀剂材料。
技术介绍
在半导体器件的曝光工序中，随着电路高集成化和高速化，需要更微细的图案。作 为图案微细化的方法，主要是需要曝光源的短波长化，例如，极紫外光（EUV，波长：13. 5nm) 作为制造下一代半导体器件的有前景的技术正在被积极地开发。不过，难以开发具有适用 于批量生产的必要高输出（100W)的光源装置，现状是停留在IOW级别，用于形成图案潜像 的曝光比较耗费时间。还有，对于使用电子束（EB)的电子束直接绘制法，由于光束直径小， 所以能够以高尺寸精度形成微细的图案，但是相反地，图案越复杂面积越大的话，绘制越耗 费时间。因此，对于使用极紫外光或电子束的曝光技术，虽然能够形成微细的图案，但存在 生产效率低的问题。 为了解决这样的问题，正在推进抗蚀剂材料的高感光度化，从而尽量缩短曝光时 间。例如，在专利文献1中公开的抗蚀剂组合物中，通过含有特定的树脂和化合物的组合， 实现感光度和解析度的提高。 〔专利文献〕 专利文献1 :日本特开2002-174894号公报【专利技术内容】 然而，抗蚀剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂图案形成方法，含有：抗蚀剂层形成步骤，在基板上形成抗蚀剂层；活性化步骤，通过活性能量束的照射将所述抗蚀剂层活性化；衰减抑制步骤，对所述抗蚀剂层的活性衰减进行抑制；图案潜像形成步骤，通过潜像形成能量束的照射，在所述活性化了的抗蚀剂层上形成图案潜像；以及显影步骤，对所述抗蚀剂层进行显影。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田川精一，大岛明博，
申请(专利权)人：国立大学法人大阪大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP