干蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种干蚀刻装置，其能够在基板表面上形成均匀的图案，用于通过利用等离子体蚀刻至少一个基板的干蚀刻装置，包括：放置于腔室内部的托盘上的至少一个基板；基座，设置在腔室内部同时对着至少一个基板，用于提供高频电能从而形成等离子体；接地部件，设置在基座的下面但不与基座接触；以及，绝缘部件，设置在基座和接地部件之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种干蚀刻装置，尤其是， 一种能够在基板表面上形成均匀 图案的干蚀刻装置。
技术介绍
具有半导体特性的太阳能电池可将光能转化为电能。下面对根据现有技术的太阳能电池的构造和原理进行简要介绍。太阳能 电池以P型半导体与N型半导体结合在一起的PN结的构造形成。当太阳光 线照射在具有PN结构造的太阳能电池上的时^f夷，由于太阳光线的能量而在 该半导体上生成空穴(+ )和电子(-)。由于在PN结的区域产生了电场， 空穴(+ )向P型半导体漂移，电子(-)向N型半导体漂移，因此随着电 势的出现而形成电能。太阳能电池主要分为晶片太阳能电池和薄膜型太阳能电池。晶片太阳能电池使用诸如硅等半导体材料制成的晶片。同时，薄膜型太 阳能电池是通过在玻璃基板上以薄膜的形式形成半导体而制成。晶片太阳能电池的缺点是，与薄膜型太阳能电池相比，晶片太阳能电池 丰支厚并且其通过利用昂贵的材料而制成。然而，在效率上，晶片太阳能电池 优于薄膜型太阳能电池。为了最大化晶片太阳能电池中太阳光线的吸收，在晶片太阳能电池的基 4反表面上形成不平整结构(或凹凸图案)。如果使用单晶硅基板，将进行诸如碱蚀刻的湿蚀刻以便在单晶硅基板表 面上形成不平整结构(或图案)。同时，如果4吏用多晶硅基板，晶体分子被布置为不同取向方向，因此难以通过碱蚀刻在多晶硅基板的表面上形成不平 整结构(或图案)。另外，如果通过湿蚀刻形成不平整结构(或图案)，基板的厚度减小。 在这方面，当进行湿蚀刻时，必须使用厚基寿反。使用厚基板导致太阳能电池 的生产成本增加。因此，需要提出一种用于在基板表面均匀地形成不平整结构的新方法， 而不需考虑晶体分子的取向。当基板被通过用于制造半导体器件或平板显示器的工艺的湿蚀刻蚀刻 时，使用厚基板导致生产成本增加。另外，难以在基板上实现均匀的图案。最终，对于当制造太阳能电池、半导体器件或平板显示器时在基板上形 成均匀图案的方法的需求正在增加。
技术实现思路
因此，本专利技术提出一种干蚀刻装置，基本避免了由于现有技术的限制和 缺点而产生的一个或多个问题。本专利技术的一个方面是提供一种干蚀刻装置，其能够在基板表面上形成均 匀的图案。本专利技术其它的特点和方面将在下面的i兌明中部分地阐明，并且部分地， 对于本领域的技术人员，通过查阅下文而变^寻明显，或者可以从实践本专利技术 而了解。本专利技术的目的和其它优点可以通过在书面说明书及其权利要求和附 图中特别指出的结构而实现和获得。为了达到这些和其它优点并与本专利技术的目的一致，如在此具体地和概括 地描述的， 一种用于通过利用等离子体蚀刻至少一个基板的干蚀刻装置，包括放置于腔室内部的托盘上的至少一个基板；基座，设置在腔室内部同时 对着至少一个基板，用于提供高频电能从而形成等离子体；接地部件，设置 在基座的下面但是不与基座接触；以及，绝^彖部件，设置在基座和接地部件 之间。接地部件形成为矩形或圆形的、具有中心孔的平板。 并且，接地部4牛包括网孔部分。 接地部件包^以网格布局排列的多个开口 。 接地部件形成为矩形或圆形框架。绝缘部件由陶瓷或特氟隆(Teflon)材料形成。绝缘部件包括对着基座中心部分的第一绝》彖体；以及与第一绝^彖体结合的多个第二绝缘体，其中第二绝缘体是弯曲的从而对着基座的侧面和基座 除中心部分外的其余部分。各个阶梯形表面形成在用于使第一绝缘体和第二绝缘体彼此结合的部分 上，以及使相邻的第二绝缘体彼此结合的部分上，并且，其中第一和第二绝 缘体通过阶梯形表面结合。另夕卜，干蚀刻装置还包括设置在绝缘部件与基座之间的第一密封构件； 以及设置在绝缘部件与接地部件之间的第二密封构件。并且，干蚀刻装置包括基座支承构件，用于通过升高接地部件^f吏基座 与基板的后表面电连接；以及用于向基座提供高频电能的电极棒，所述电极 棒穿过基座支承构件。基座支承构件包括通过穿过腔室、接地部件和绝缘部件而与基座连接 的第一支承件；通过穿过腔室与接地部件连接的第二支承件；以及与第一和 第二支承件连接的板。并且，通过升高基座使用于支承至少一个基板的托盘与基座电连接。 另外，干蚀刻装置包括设置在腔室和板之间的弹簧。 干蚀刻装置进一步包括设置在腔室底面和接地部件之间的弹簧。 接地部件通过弹簧接地。应该理解，本专利技术的上述的概括描述和下述的详细描述都是举例和i兌明 性的，并且意在提供所主张的本专利技术的进一步解释。附图说明包括的附图，用于提供本专利技术的进一步理解，并且包括在说明书中构成 本申请的一部分，阐明本专利技术的实施例并与说明书一起用来解释本专利技术的原 理。在附图中图1图示了根据本专利技术一个实施例的干蚀刻装置；图2图示了用于说明根据本专利技术一个实施例的干蚀刻装置中的绝缘部件 的透^f见图3图示了用于说明根据本专利技术第一实施例的接地部件的透视图； 图4图示了用于说明根据本专利技术第 一实施例的另 一接地部件的透视图；蚀刻装置；图6图示了用于说明根据本专利技术第二实施例的接地部件的透视图7图示了用于说明根据本专利技术第三实施例的接地部件的透视图8图示了用于说明根据本专利技术第四实施例的接地部件的透视图；以及图9A和图9B图示了4艮据本专利技术的干蚀刻装置的操作。具体实施例方式现在将详细i并述本专利技术的优选实施例，其例子在附图中i兌明。在所有可 能的情况下，在全部附图中使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。在下文中，将参照附图描述根据本专利技术的干蚀刻装置及其才喿作方法。图1图示了根据本专利技术一个实施例的干蚀刻装置。参照图1，才艮据本专利技术一个实施例的干蚀刻装置100包括腔室110;置 于腔室110内部的至少一个基板130;用于形成等离子体以^便蚀刻基板130 表面的基座160;用于防止基座160下面发生反常》文电的接地部件162,所述 接地部件162 i殳置在基座160的下面；用于使基座160和接J也部件162彼此 绝缘的绝缘部件164，所述绝缘部件164设置在基座160和4妾地部件162之 间；以及，用于向基座160提供用于产生等离子体的高频电能的电极棒180, 所述电极棒180通过穿过接地部件162和绝缘部件164与基座160电连接。腔室110为干蚀刻工艺(例如，反应离子蚀刻工艺)提供反应室。在腔 室110的前面，安装有喷淋头120,以^f更向反应室提供用于形成等离子体的 处理气体。为了向腔室110内部均匀的提供处理气体，喷淋头120可设置有 多个扩散构件。例如，喷淋头120可包括用于使从反应室外部提供的处理 气体第一次扩散的第一扩散构件(未示出)；以及，第二扩散构件(未示出)， 包括多个喷孔用以将由第 一扩散构件第 一次扩散后的处理气体第二次扩散到 反应室内部。这时，第一扩散构件和第二扩散构件中至少有一个可被旋转。 处理气体可以是Cl2 (氯气)、SF6 (六氟化硫)、NF3 (三氟化氮)、HBr (溴化氢)或其混合物。如有需要，可以将Ar (氩气)、02 (氧气)、N2 (氮气)、He (氦气)或它们的混合物添加到处理气体中。至少一个基4反130可以以其对着基座160的方式放置于喷淋头120和基 座160之间的反应室中。在这种情况下，至少一个基板130可以是用于制造 太阳能电池的基^1或晶片，用于制造半导体器件的基板或晶片，或者用于制造平板显示器的基板或玻璃基板中的任何一个。至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于通过利用等离子体蚀刻至少一个基板的干蚀刻装置，包括：　放置于腔室内部的托盘上的至少一个基板；　基座，设置在所述腔室内部同时对着至少一个基板，用于提供高频电能从而形成所述等离子体；　接地部件，设置在所述基座的下面但不 与所述基座接触；以及　绝缘部件，设置在所述基座和所述接地部件之间。

【技术特征摘要】
KR 2008-7-3 10-2008-0064236;KR 2009-6-4 10-2009-001.一种用于通过利用等离子体蚀刻至少一个基板的干蚀刻装置，包括放置于腔室内部的托盘上的至少一个基板；基座，设置在所述腔室内部同时对着至少一个基板，用于提供高频电能从而形成所述等离子体；接地部件，设置在所述基座的下面但不与所述基座接触；以及绝缘部件，设置在所述基座和所述接地部件之间。2. 如权利要求1所述的干蚀刻装置，其中，所述接地部件形成为矩形或 圆形的、具有中心孔的平;f反；3. 如权利要求1或2所述的干蚀刻装置，其中所述接地部件包括网孔部分。4. 如权利要求1或2所述的干蚀刻装置，其中所述接地部件包4舌以网格 布局排列的多个开口。5. 如权利要求1所述的干蚀刻装置，其中，所述接地部件形成为矩形或 圆形框架。6. 如权利要求1所述的干蚀刻装置，其中，所述绝缘部件由陶瓷或特氟 隆形成。7. 如权利要求1或6所述的干蚀刻装置，其中，所迷绝缘部件包4舌 对着所述基座中心部分的第一绝缘体；以及与所述第一绝缘体结合的多个第二绝缘体，其中，所述第二绝^彖体是弯 曲的从而对着所述基座的侧面和所述基座除所述中心部分外的其余部分。8. 如权利要求7所述的干蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔钟龙，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]