【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备；更具体涉及制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备，其中，顶和线圈有分别改进的形状，以使处理室内的等离子体密度保持均匀。而且，本专利技术涉及制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备，其中，发光极尖有露在处理室内部空间的弯曲端。而且，本专利技术涉及制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备，其中，能使处理室内的等离子体密度保持均匀。而且，本专利技术涉及制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备，其中，安装有4个抽头至8个抽头螺旋线圈中的一个螺旋线圈，并按1X(X至少是6)的比例加电源功率或偏置电功率。
技术介绍
刻蚀是半导体器件制造工艺中用化学溶液或气体从半导体晶片除去不需要的部分的工艺。而且，在相同的等离子体条件下，不同薄膜的刻蚀速度之比叫做“刻蚀选择率”。通常主要用进行化学刻蚀的湿刻蚀，可以使电路图形变得更精细的干刻蚀得到越来越广泛的使用。干刻蚀不用化学溶液而用腐蚀性气体或等离子体。湿刻蚀中，用强酸的化学反应进行各向同性刻蚀，即使被掩模覆盖的部分也可以被刻蚀。相反，干刻蚀用反应离子刻蚀，其中，用例如等离子态的卤素的腐...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的等离子体刻蚀设备，该等离子体刻蚀设备包括处理室，内装要刻蚀的晶片；第一顶，密封处理室的上端；线圈，绕在处理室顶上，产生引入处理室的电场；至少一个发光极尖，它穿过顶的预定部分设置，向晶片发光和接收由晶片反射的光；多个喷嘴，每个喷嘴设置在发光极尖周围并穿过顶的预定部分，以给处理室供气；和多个阀门，每个阀门设置在每个喷嘴处，以调节供给处理室的气体量，其中，第一顶有平的外表面和面向处理室内部空间的弯曲的内表面，弯曲的内表面的中心部分比边缘部分更向处理室内部空间突出。2.按权利要求1的等离子体刻蚀设备，其中，设备还包括第二顶，它连接到第一顶的外表面上，其介电常数与第一顶的介电常数不同。3.按权利要求2的等离子体刻蚀设备，其中，第一顶的介电常数小于第二顶介电常数。4.按权利要求1的等离子体刻蚀设备，其中，线圈具有4抽头到8抽头螺旋形中的一个形状。5.按权利要求1的等离子体刻蚀设备，其中，发光极尖有凹形下端以防止发光极尖突出超过顶的下表面。6.按权利要求1的等离子体刻蚀设备，其中，发光极尖设置成穿过顶的中心部分。7.按权利要求1的等离子体刻蚀设备，其中，发光极尖设置成不仅穿过顶的中心部分而且还穿过顶的至少一个边缘部分。8，按权利要求1的等离子体刻蚀设备，还包括偏置电功率供给部件，它给处理室的底部加偏置电功率。9.一种制造半导体器件的等离子体刻蚀设备，等离子体刻蚀设备包括处理室，内装要刻蚀的晶片；第一顶，密封处理室的上端；线圈，绕在处理室顶上，产生引入处理室的电场；至少一个发光极尖，它穿过顶的预定部分设置，向晶片发光和接收由晶片反射的光；多个喷嘴，每个喷嘴设置在发光极尖周围并穿过顶的预定部分，以给处理室供气；和多个阀门，每个阀门设置在每个喷嘴处，以调节供给处理室的气体量，和至少一个状态控制部件，包括光分量提取部件，比例值计量部件，比较部件，和控制部件，光分量提取部件从通过发光极尖接收到的光中提取预定的光分量和获得提取的光分量的强度，比例值计量部件计量提取的光分量的强度之间的比例值，比较部件对比计量的比例值与参考值，控制部件按对比结果控制阀门的操作。10.按权利要求9的等离子体刻蚀设备，其中，第一顶有平的外表面和面向处理室内部空间的弯曲的内表面，弯曲的内表面的中心部分比其边缘部分更突出11.按权利要求9的等离子体刻蚀设备，其中，设备还包括第二顶，它连接到第一顶的外表面上，其介电常数与第一顶的介电常数不同。12.按权利要求11的等离子体刻蚀设备，其中，第一顶...
【专利技术属性】
技术研发人员：金南宪，
申请(专利权)人：自适应等离子体技术株式会社，
类型：发明
国别省市：
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