【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，特别涉及受应变的半导体元件。
技术介绍
半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料，而所谓半导体元件就是以半导体材料所特有的特性所制造出来的电子元件，因为半导体元件属于固态元件(Solid State Device)，其体积可以缩小到很小的尺寸。近来，称为金属氧化半导体(Metal-Oxide-Semiconductor；MOS)的晶体管，因为具有耗电量少并且适合高集成度等优点，在半导体元件中具有广泛的应用。MOS晶体管的基本结构除了具备由金属层、氧化层与半导体层所构成的电容器外，还包含两个位于MOS电容器两旁，其电性与硅基材相反的半导体区源极(Source)与漏极(Drain)。MOS可分为n型金属氧化半导体(NMOS)和p型金属氧化半导体(PMOS)，其中NMOS以电子来传输，PMOS以空穴来传输，由于电子在电场下的迁移率比空穴高，所以在同样的设计下，NMOS元件的速度将比PMOS的速度快，因此为了提高元件的操作速度，早期的MOS元件都是以NMOS晶体管为主来设计。由于半导体元件尺寸的不断缩微(Scaled Down)，使得超...
【技术保护点】
一种半导体结构，至少包括：至少一第一半导体材料层；以及至少一第二半导体材料层位于该第一半导体材料层上，其中该第一半导体材料层与该第二半导体材料层具有不同性质的应力，并且该第一半导体材料层与该第二半导体材料层相互堆栈，借以在该 第一半导体材料层与该第二半导体材料层分别压缩与伸张或伸张与压缩的情况下，互相牵制造成应变。
【技术特征摘要】
US 2003-4-3 10/407,7611.一种半导体结构，至少包括至少一第一半导体材料层；以及至少一第二半导体材料层位于该第一半导体材料层上，其中该第一半导体材料层与该第二半导体材料层具有不同性质的应力，并且该第一半导体材料层与该第二半导体材料层相互堆栈，借以在该第一半导体材料层与该第二半导体材料层分别压缩与伸张或伸张与压缩的情况下，互相牵制造成应变。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述的第一半导体材料层由合金半导体所构成，并且该第一半导体材料层的材料选自于由锗化硅、碳锗化硅与碳化硅所组成的一族群。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述的第二半导体材料层由合金半导体所构成，并且该第二半导体材料层的材料选自于由锗化硅、碳锗化硅与碳化硅所组成的一族群。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述的第一半导体材料层由元素半导体所构成，并且该第一半导体材料层的材料选自于由硅与锗所组成的一族群。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中上述的第二半导体材料层由元素半导体所构成，并且该第二半导体材料层的材料选自于由硅与锗所组成的一族群。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述的第一半导体材料层由化合物半导体所构成，并且该第一半导体材料层的材料选自于由砷化镓、砷铝化镓与磷化铟等IIIV族与IIVI族化合物所组成的一族群。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，上述的第二半导体材料层由化合物半导体所构成，且该第二半导体材料层的材选自于由砷化镓、砷铝化镓与磷化铟等IIIV族与IIVI族化合物所组成的一族群。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括数个绝缘区域。9.根据权利要求8所述的半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛崇祜，王昭雄，黄健朝，李文钦，胡正明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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