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一种制造半导体器件的等离子体刻蚀设备，该等离子体刻蚀设备包括：　　　　处理室，内装要刻蚀的晶片；　　　　第一顶，密封处理室的上端；　　　　线圈，绕在处理室顶上，产生引入处理室的电场；　　　　至少一个发光极尖，它穿过顶的预定部分设置，向晶片发...
该专利属于自适应等离子体技术株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过自适应等离子体技术株式会社授权不得商用。

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