半导体处理用的成膜方法技术

半导体处理用的成膜方法包括：在将被处理基板（Ｗ）搬入处理室中之前，利用预涂敷被覆载置台（３２）的预涂敷工序；在预涂敷工序后，将被处理基板（Ｗ）搬入处理室（２１）中，在被处理基板（Ｗ）上形成主膜的成膜工序。预涂敷工序通过多次重复第１和第２工序，叠加多个弧形膜，形成预涂敷。在第１工序中，将第１和第２处理气体向处理室（２１）中提供，在载置台（３２）上形成包含金属元素的弧形膜。在第２工序中，将不包含金属元素的第２处理气体提供给处理室（２１）中，将在第１工序中生成的形成弧形膜成分之外的副生成物，通过排气从处理室（２１）中除去。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种通过CVD(化学气相沉积)在半导体晶片等的被处理基板上形成包含金属元素的膜的方法。而且，这里，半导体处理的意思是通过在半导体晶片或者LCD基板等被处理基板上以规定图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，在该被处理基板上进行用于制造半导体元件或者包含与半导体元件连接的布线、电极等的构造物的各种处理。
技术介绍
形成多层布线构造的半导体元件通过例如在硅基板等的半导体晶片的表面上成膜，进行反复图案蚀刻来制造。例如，在硅基板和其上的布线层的连接部位，或者在上下布线层的连接部位，为了防止下层剥离，或者抑制上下之间的材料的相互扩散，而形成屏蔽层。作为该屏蔽层，例如使用由热CVD形成的TiN膜。作为TiN膜的底膜，具有通过等离子CVD形成薄的Ti膜的情况和不形成的情况。图11是表示用于形成屏蔽层的现有的CVD装置的概略图。例如，该装置具有由铝形成的真空处理室1。在处理室1的底面上形成排气口11。在处理室1的内部，设置用于将半导体晶片W水平载置的载置台13。载置台13由例如氮化铝构成，内置加热器12。配设供给处理气体用的喷头15，使得与载置台13相对。在喷头15的下面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体处理用的成膜方法，用于在载置于气密的处理室中的载置台上的被处理基板上，形成包含金属元素的膜，其特征在于，包括：　　　　（ａ）在将所述被处理基板搬入到所述处理室中之前，利用预涂敷来覆盖所述载置台的预涂敷工序；　　　　（ｂ）在所述预涂敷工序后，将所述被处理基板搬入到所述处理室中，在所述被处理基板上形成主膜的成膜工序，　　　　所述预涂敷工序包括：　　　　第１工序，在加热所述载置台的同时一边将所述处理室中排气，一边将含有包括所述金属元素的原料气体的第１处理气体供给至所述处理室中，在所述载置台上形成包含所述金属元素的弧形膜；　　　　第２工序，在加热所述载置台的同时一边将所述处理室中排气，一边将...

【技术特征摘要】
JP 2002-7-12 204138/2002;JP 2003-1-7 001254/20031.一种半导体处理用的成膜方法，用于在载置于气密的处理室中的载置台上的被处理基板上，形成包含金属元素的膜，其特征在于，包括(a)在将所述被处理基板搬入到所述处理室中之前，利用预涂敷来覆盖所述载置台的预涂敷工序；(b)在所述预涂敷工序后，将所述被处理基板搬入到所述处理室中，在所述被处理基板上形成主膜的成膜工序，所述预涂敷工序包括第1工序，在加热所述载置台的同时一边将所述处理室中排气，一边将含有包括所述金属元素的原料气体的第1处理气体供给至所述处理室中，在所述载置台上形成包含所述金属元素的弧形膜；第2工序，在加热所述载置台的同时一边将所述处理室中排气，一边将不含有包括金属元素的原料气体的第2处理气体供给到所述处理室中，通过排气，将在所述第1工序中产生的、除了形成所述弧形膜的成分之外的副产生物从所述处理室中除去；以及通过多次重复所述第1和第2工序，层叠多层弧形膜，形成所述预涂敷的工序，所述成膜工序包括将所述被处理基板搬入所述处理室中，载置到所述载置台上的工序；在加热所述载置台的同时一边将所述处理室中排气，一边将所述第1和第2处理气体供给至所述处理室中，在所述被处理基板上形成包含所述金属元素的所述主膜的工序。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用所述第1和第2工序中实质上通用的处理温度和处理压力，所述副生成物在处理温度和处理压力下升华。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第1处理气体包含所述金属元素和卤素的化合物，所述第2处理气体包含氮原子和氢原子中的至少一种。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第2处理气体包含选自氨、N2、H2中的至少一种。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第1处理气体包含四氯化钛，所述第2处理气体包含氨，所述主膜实质上由氮化钛构成。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第1处理气体包含四氯化钛和氢，所述第2处理气体包含氢，所述主膜实质上由钛膜构成。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第2工序中，停止所述第1处理气体，另一方面，将所述第2处理气体向所述处理室中供给，将由所述第1处理气体的分解或者反应生成的中间体与所述第2处理气体反应而生成的副生成物，利用排气除去。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第1处理气体包含所述金属元素的醇盐，所述第2处理气体包含氧化气体。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第1处理气体包含五乙氧基钽，所述主膜实质上由氧化钽膜构成。10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第2工序停止所述第1和第2处理气体，另一方面，还具有对所述处理室中排气的净化期间。11.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：横井裕明，善光哲，芦泽宏明，桥本毅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]