半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

通过蚀刻，形成穿过由多孔硅氧化膜构成的第二绝缘层（１３）和第三绝缘层（１４）而成为连接孔（２１）的一部分的孔。另外，采用第二阻挡膜（２０），通过蚀刻，在第三绝缘层（１４）上形成第二槽（２３）。另外，在连接孔（２１）和第二槽（２３）的侧壁上，采用ＲＬＳＡ型的等离子体处理装置，进行硅氧化膜的直接氮化处理，形成由ＳｉＮ膜构成的屏障层（２５）。在这里，第二阻挡膜（２０）也通过与屏障层（２５）相同的直接氮化处理而形成。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可靠性高的。
技术介绍
为了提高大规模集成电路(LSI)的性能，必须进一步提高信号处理的速度。信号处理的速度提高可通过对电路进行细微处理，减小布线的信号延迟而实现。近年，细微处理进展，LSI的设计标准达到0.1微米，在这样的LSI的场合，布线延迟的降低是特别重要的。为了减小上述的布线延迟，布线电阻的减小是有效的措施。为了减小布线电阻，代替在过去一般使用的铝，而可采用电迁移耐性优良、低电阻的铜。在采用铜布线的场合，由于难于进行过去的蚀刻工艺的加工，故作为不对铜进行蚀刻，实现多层布线的方法，采用所谓的双镶嵌法。下面参照图7(a)～(d)，对采用双镶嵌法制造具有多个布线层的半导体装置201的工序进行描述。首先，在埋入有布线层202的，由氧化硅等形成的第一绝缘层203上，形成由氮化硅等形成的罩层204。布线层202由通过铜形成的导体层205，与屏障层206构成，该屏障层206包围导体层205，由氮化钽等形成。接着，在罩层204上，形成由氧化硅等构成的第二绝缘层207。此外，在第二绝缘层207上，形成由氮化硅等构成的阻挡膜208，在其上，叠置由氧化硅等形成的第三绝缘层209。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置（１１）的制造方法，其特征在于，该方法包括下述工序：形成绝缘层（１３、１４）的工序，在该绝缘层（１３、１４）的一面侧具有槽（２３），并且具有从所述槽（２３）的底部贯穿到另一面侧的孔（２１），该绝缘层以硅为主成分而构成；屏障层形成工序，即，将所述槽（２３）和所述孔（２１）的内壁的表面曝露于含有氮的气体的等离子体中，在所述槽（２３）和所述孔（２１）的内壁的表面区域，形成由硅氮化膜形成的屏障层（２５）；和将由导体材料形成的布线层（２４）经所述屏障层（２５）埋入所述槽（２３）和所述孔（２１）的内侧的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：村川惠美，松下实，尾﨑成则，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]