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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:3206937
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通过蚀刻,形成穿过由多孔硅氧化膜构成的第二绝缘层(13)和第三绝缘层(14)而成为连接孔(21)的一部分的孔。另外,采用第二阻挡膜(20),通过蚀刻,在第三绝缘层(14)上形成第二槽(23)。另外,在连接孔(21)和第二槽(23)的侧壁上,...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。
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