氧化膜形成方法技术

一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在由例如硅等形成的晶片的表面上形成氧化膜的。
技术介绍
在半导体装置的制造中，对由硅等形成的半导体晶片进行各种处理，其中之一是在晶片的表面上形成氧化膜的氧化处理，例如，可用于晶体管元件中发挥栅极(gate)绝缘膜作用的氧化膜的形成上。近年来，人们要求该栅极绝缘膜的厚度薄、且长期具有良好的可靠性。在晶片上形成氧化膜的处理是这样进行的，即，通常是在常压或减压条件下的氧气氛中，在例如750～1100℃那样的高温下对配置在反应容器中的晶片进行加热处理。尤其是减压条件下的，由于氧浓度低，故氧化膜的生成速度小，因此，即使所形成的氧化膜的厚度薄，也具有容易以较大的自由度进行控制的优点。但是，在这样的高温、低氧气氛的氧化膜形成工序中，从晶片被导入反应容器内开始直至实际上开始形成氧化膜的期间，即在反应容器内或晶片表面的温度达到规定的氧化处理温度的升温过程期间，因晶片被腐蚀而在表面产生粗糙现象，和由于形成低氧浓度气氛用的氮气而在晶片表面产生氮化等原因，存在着在实际的氧化膜形成工序中所得到的氧化膜的可靠性低的问题。具体地说，在晶片采用大直径晶片的现在，难以在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化膜形成方法，是在晶片的表面上形成氧化膜的氧化膜形成方法，其特征在于，它包括下述工序：　　　　在减压条件下，对配置在反应容器内的晶片进行利用活性氧化晶种的氧化处理、或利用含有活性氧化晶种气氛的氧化处理，从而在该晶片的表面上形成氧化膜的前处理工序；　　　　在减压条件下，以规定的温度对在该前处理工序中所得到的具有保护氧化膜的晶片进行氧化处理，从而在该晶片的表面上形成氧化膜的氧化膜形成工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2001-2-28 55281/20011.一种氧化膜形成方法，是在晶片的表面上形成氧化膜的氧化膜形成方法，其特征在于，它包括下述工序在减压条件下，对配置在反应容器内的晶片进行利用活性氧化晶种的氧化处理、或利用含有活性氧化晶种气氛的氧化处理，从而在该晶片的表面上形成氧化膜的前处理工序；在减压条件下，以规定的温度对在该前处理工序中所得到的具有保护氧化膜的晶片进行氧化处理，从而在该晶片的表面上形成氧化膜的氧化膜形成工序。2.根据权利要求1所述的氧化膜形成方法，其特征在于，氧化膜形成工序是在进行前处理工序的该反应容器内、和该前处理工序连续进行的。3.根据权利要求1或2所述的氧化膜形成方法，其特征在于，前处理工序是在比氧化膜形成工序低的温度下进行的。4.根据权利要求1～3任一项所述的氧化膜形成方法，其特征在于，前处理工序是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行的。5.根据权利要求1～4任一项所述的氧化膜形成方法，其特征在于，前处理工序中的氧化处理是在13.3～101080Pa(0.1～760托)的减压条件下、以25～600℃的温度条件进行的。6.根据权利要求1～5任一项所述的氧化膜形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：菱屋晋吾，秋山浩二，古泽纯和，青木公也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]