【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在硅半导体上形成氧化膜、氮化膜、氮氧化硅膜等的半导体器件及其形成方法。
技术介绍
在MIS(金属/绝缘膜/硅)晶体管的栅极绝缘膜中，要求低漏电流特性、低界面能级密度、高耐压性、热载流子的高抗性、均匀阈值电压特性等各种高性能电特性和高可靠性。作为满足这些要求的栅极绝缘膜形成技术，以往使用约在800℃以上利用氧分子或水分子的热氧化技术。以往，通过作为其前工序的清洗工序，除去有机物、金属、微粒等表面附着的污物之后，再进行热氧化工序。在以往的清洗工序中，在其最后使用稀氢氟酸和加氢水等进行清洗，通过氢对硅表面的硅悬挂键(silicon dangling-bond)以进行封端，抑制在硅表面形成自然氧化膜，将具有清洁表面的硅衬底导入到后续的热氧化工序中。在热氧化工序中，在氩(Ar)等惰性气体环境中对硅衬底进行升温，并且在此升温过程中，约在600℃以上的温度时使该表面的封端氢脱离。并且在其后约800℃以上时在导入氧分子或水分子的环境下进行硅表面的氧化。以往，使用这种热氧化技术，在硅表面上形成氧化硅膜时，只有在使用表面以(100)面方位取向的硅场合，才能获得良好的...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括形成于硅表面上的硅化合物层，其特征在于，所述硅化合物层至少包含规定的惰性气体，氢含量按面密度换算时在１０↑［１１］／ｃｍ↑［２］以下。
【技术特征摘要】
JP 2000-12-28 402834/00;JP 2001-3-28 94245/011.一种半导体器件，包括形成于硅表面上的硅化合物层，其特征在于，所述硅化合物层至少包含规定的惰性气体，氢含量按面密度换算时在1011/cm2以下。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述惰性气体至少是氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)中的一种。3.一种半导体器件，是在共用衬底上具有晶体管和电容的半导体存储器件，其中，所述晶体管，具有通过第一硅化合物层在硅表面上形成的多晶硅膜，所述电容，包含在多晶硅表面形成的第二硅化合物层，其特征在于，所述第一和第二硅化合物层分别至少包含规定的惰性气体，氢含量按面密度换算时在1011/cm2以下。4.一种半导体器件，将形成于衬底上的多晶硅层或非晶硅层作为活性层，其特征在于，在所述硅层的表面上，形成至少包含规定的惰性气体、氢含量按面密度换算时在1011/cm2以下的硅化合物层；所述半导体器件驱动形成于所述衬底上的显示元件。5.一种半导体器件的制造方法，用于在硅表面上制造半导体器件，其特征在于，该方法包括将所述硅表面暴露在由第一惰性气体产生的第一等离子体中，除去预先至少存在于部分硅表面的氢的工序；以及由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生第二等离子体，并在所述第二等离子体下，在所述硅表面上形成至少包含一部分构成所述气体分子的元素的硅化合物层的工序。6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述除氢工序之前，包含用含有氢的媒体来处理所述硅表面的工序。7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述媒体是添加氢的水。8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述媒体是稀氢氟酸。9.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅表面是单晶硅表面。10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅表面由(100)面构成。11.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅表面由(111)面构成。12.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅表面有多个不同的结晶面。13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多个不同的结晶面构成元件分离沟。14.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅表面是多晶硅表面。15.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述硅表面是非晶硅表面。16.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一惰性气体和所述第二惰性气体都是从氩(Ar)气、氪(Kr)气、氙(Xe)气构成的组中选择的至少一种气体。17.如权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一惰性气体和所述第二惰性气体相同。18.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二惰性气体由氪(Kr)气体构成，所述气体分子由氧(O2)分子构成，形成氧化硅膜作为所述硅化合物层。19.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二惰性气体是氩(Ar)气体、或氪(Kr)气体、或氩和氪的混合气...
【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，须川成利，平山昌树，白井泰雪，
申请(专利权)人：大见忠弘，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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