用于增加可用平面表面积的半导体晶片处理方法技术

本发明专利技术提供了一种用于增加具有大致平坦表面而且其厚度方向与所述大致平坦表面成直角的半导体晶片的可用表面积的方法。该方法包括步骤：选择带厚度，以将晶片分割为多个带；选择一种用于与大致平坦表面成某个角度，将晶片切割为带的技术，其中带厚度与通过进行切割所切掉的晶片的宽度之和小于晶片的厚度；利用选择的技术，将晶片切割为带；以及将所述带互相分离。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体处理方法，具体地说，本专利技术涉及用于处理半导体晶片以增加可用平面表面积的方法、用于制造太阳能电池的方法以及用于降低半导体表面的反射率的方法
技术介绍
在半导体处理方法的大多数领域，与最终、被处理晶片的价值相比，起始衬底晶片的成本低。然而，并非总是如此。例如，光电太阳能电池行业对于成本极敏感，而且起始硅晶片的成本通常接近处理的晶片价值的一半。因此，在该行业，尽可能有效使用硅衬底极端重要。这些衬底是通过从直径通常为6英寸(约15cm)的结晶硅圆柱形毛坯上切割薄切片生产的。可以切割的最薄切片是由硅的机械性能决定的，对于目前这一代的6英寸晶片，最薄切片通常为300-400μm，但是计划下一代晶片的最薄切片为200μm。然而，切割6英寸晶片的切口损失约为250μm，这意味着，许多毛坯最后变成粉末。因此，需要一种对于给定单位体积的半导体，增加半导体的可用表面积，或者至少是当前半导体处理方法的一种有效替换方法的方法。
技术实现思路
根据本专利技术的目的第一实施例，提供了一种用于增加具有大致平坦表面而且其厚度方向与所述大致平坦表面成直角的半导体晶片的可用表面积的方法，所述方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于增加具有大致平坦表面而且其厚度方向与所述大致平坦表面成直角的半导体晶片的可用表面积的方法，所述方法包括步骤：选择带厚度，以将晶片分割为多个带；选择一种用于与所述大致平坦表面成某个角度，将晶片切割为所述带的技术，其中带厚度与通过进行切割所切掉的晶片的宽度之和小于晶片的厚度；利用选择的技术，将晶片切割为带；以及将所述带互相分离。

【技术特征摘要】
AU 2000-11-29 PR17481.一种用于增加具有大致平坦表面而且其厚度方向与所述大致平坦表面成直角的半导体晶片的可用表面积的方法，所述方法包括步骤选择带厚度，以将晶片分割为多个带；选择一种用于与所述大致平坦表面成某个角度，将晶片切割为所述带的技术，其中带厚度与通过进行切割所切掉的晶片的宽度之和小于晶片的厚度；利用选择的技术，将晶片切割为带；以及将所述带互相分离。2.一种用于处理具有大致平坦表面的半导体晶片，以增加所述晶片的可用平坦表面积的方法，该方法包括步骤至少部分通过所述晶片，产生多个平行细长沟槽，使得所述沟槽宽度与所述沟槽之间的宽度之和小于所述晶片的厚度，以产生一系列半导体带；将所述带互相分离；以及确定所述带的方向，以露出其事先与所述大致平坦表面成一角度的表面，从而形成新平坦表面。3.一种用于生产硅太阳能电池的方法，所述方法包括步骤在硅衬底上成型多个平行沟槽，所述沟槽至少部分通过所述衬底延伸以产生一系列硅带；将所述带互相分离；以及利用所述带制造太阳能电池。4.根据权利要求1至3之任一所述的方法，其中留下晶片外围周围的区域不进行切割，以形成边框，所述带临时保持在所述边框内，然后从边框切下。5.根据权利要求1至3之任一所述的方法，其中利用激光在所述晶片上成型所述沟槽。6.根据权利要求1至3之任一所述的方法，其中利用湿式各向异性蚀刻的(110)取向晶片成型所述沟槽。7.根据权利要求1至3之任一所述的方法，其中利用切割锯在所述晶片上成型所述沟槽。8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：克劳斯卓安纳斯卫博，安卓威康姆布莱克斯，
申请(专利权)人：源太阳能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：AU[澳大利亚]