分离和组装半导体细长条制造技术

公开了用于从晶片（４００）分离出细长半导体条（６３０）的一种方法和设备。真空（５００）抽吸形成晶片（４００）边缘或邻接边缘的每条半导体长条的面。使晶片（４００）和真空（５００）的源位移以便从晶片（４００）分离出各条细长半导体条（６３０）。而且，公开了用于把从半导体材料的晶片（４００）分离出的细长半导体条（６３０）组装成细长条（６３０）阵列的一种方法和设备。再进一步，还公开了用于在衬底上组装细长半导体条（６３０）阵列的一些方法、设备和系统。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体工艺，更具体地涉及组装半导体细长条阵列。
技术介绍
就太阳能电池产生电压的效率和生产太阳能电池的成本而论，太 阳能光电池业易受高成本的影响。因为只有太阳能电池总厚度的中很 少部分用来产生电压，所以最大程度减少太阳能电池的厚度和一片硅 片产出更多个太阳能电池是格外重要的。在2002年7月6日发表的Internation( PCT publication No. WO 02/45143 ( PCT/AU01/01546 )并给于名称"增大可用平面表面积的半 导体晶片工艺"描述"细长条"太阳能电池和制作像这样细长条太阳 能电池的方法以便增加半导体晶片的可用表面面积。晶片具有基本上 是平面的表面以及与基本上是平面的表面成直角处的一个厚度尺寸， 而晶片 一般是单晶硅或者是多晶硅。在Internation Publication No. WO 02/45143的方法中，为了把晶 片刻划成一 些长条或细条而选择长条或者细条厚度。为了把晶片切割 成与基本上是平面的表面成一角度的细长条而选择一种技术方法。在 切割期间切削过的晶片中结合在一起的细长条的厚度和宽度小于晶片 厚度。用所选择的技术方法把晶片切割成细长条并且这些细长条是互 相分离的。通过切割晶片和使细长条互相分离，预先与晶片表面成一角度的细长条面成为曝露的细长条面。图1 (a)举例说明通过一般的晶体生长和晶片技术而制作的硅晶 片3。晶片3可以至少为0.5mm厚而一般为大约lmm厚，并且能够 是单晶晶片或者多晶晶片。在International Publication No. WO 02/45143的方法中，在晶片3内形成一连串平行的凹缝或狭槽2。这 些狭槽一般为0.05mm宽，而狭槽的坡度一般为O.lmm。用这种的方 式形成一些薄的约0.05mm宽硅平行细长条。因为狭槽2自始至终没 有延伸到晶片3的边缘，所以没切割掉硅的框架5把一些细长条1固 定在原来的位置。框架5各边一般为5mm宽。可以用一些技术方法 其中任一种技术方法来制作狭槽2，包含在International Publication No. WO 02/45143中涉及的方法。图1 (b)是沿线A-A穿过晶片3的放大垂直剖面，在剖面图中 表示细长条1和间距2。图2举例说明与太阳能电池20并联连接和电池之间间隙的情况一 样组合细长条或狭条的一种排列。如所示的那样在村底21上排列电池 20。例如，可以制作导电印刷线16,以便使所有P极性接点32—起 电连接在电池的一末端上而N极性接点33 —起电连接在电池的另一 末端上。由于半导体细长条或狭条在从晶片分离时容易扭曲和弯曲而同时又非常脆的，因此细长条缺点是会破碎或者被损坏。进一步，所有细 长条的面都必须构形成和图2中电池20所示的面一样的面，否则会出 现极性上的差异。更进一步，细长条缺点是可能堆叠在一起。所以，有一种从晶片分离半导体材料长条或狭条和组装这些已分 离的细长条或狭条的需求。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供有从半导体材料的晶片分割细长半 导体条的一种方法。提供在晶片内以基本上互相平行的方式形成的多 个细长半导体条。晶片具有基本上是平面的表面和在与基本上是平面的表面成直角处的厚度尺寸。晶片还具有位于半导体细长条两端的框 架部分把细长条连接到晶片。半导体细长条各具有至少基本上等于晶 片厚度的宽度和长条厚度尺寸小于该宽度。 一些细长半导体细长条中 至少一条半导体细长条沿长度方向上形成晶片的边缘或者最靠近相邻 的边缘。真空抽吸形成边缘或者邻接边缘的细长半导体条。使这样的 细长半导体条往下吸到真空源。把晶片移离真空源，留下无晶片的细长半导体条并且仍被吸持在真空源上。根据本专利技术的另 一个方面，能够在多个晶片上同时进行所述的操 作，因而同时分离多个细长半导体条。根据本专利技术的又一个方面，提供有一种把从半导体材料的晶片分 离出的多个细长半导体条组装成细长条阵列的一种方法。在至少一条 传送带中的预定位置上接收沿长度方向横跨传送带取向的多个细长半 导体条其中的一条。使传送带在给定的方向上移动一段大于细长半导体条宽度的预定距离。重复接收和移动细长条步骤直到处理完所有的 细长半导体条。根据本专利技术另外的方面，提供有在衬底上组装细长半导体条阵列 的一种方法。以预定的方式在衬底上沉积粘合材料。真空抽吸每一条 细长半导体条以使细长条保持在阵列内。该阵列是一种预定的细长条 排列。把细长半导体条阵列传送到衬底，并且使各条细长半导体条的 面与 一部分粘合材料接触。降低或者中断抽吸各条细长半导体条的真半导体条阵列:"、.、、，一 、，一根据本专利技术的又一个方面，提供有在衬底上组装细长半导体条阵 列的一种方法。在晶片内以基本上互相平行的方式形成多个细长半导 体条。晶片具有基本上是平面的表面和在与基本上是平面的表面的表 面成直角处的厚度尺寸。晶片具有位于半导体细长条两端的框架部分 使细长条连接到晶片。用真空抽吸晶片中形成边缘或者邻接边缘的细 长半导体条的方法从晶片分离出 一条细长半导体条。晶片从相对的真 空源位移 一段预定距离。在至少 一 条第 一传送带上接收沿长度方向横跨传送带取向的这条细长半导体条。使至少一条第一传送带在给定的 方向上移动一段大于细长半导体条宽度的预定距离。重复前面的步骤 直至处理完所有的细长半导体条为止。在本专利技术的另一个方面，提供有一种器件，包括衬底、细长半导 体条阵列、粘合材料和导电材料。从半导体材料的晶片分离出多个细 长半导体条，并且每条细长半导体条具有基本上等于晶片厚度的宽度 和小于宽度的长条厚度尺寸。粘合材料沉积在衬底和每条细长半导体 条的面之间，把衬底和每条细长半导体条粘合在一起。面含细长半导 体条的宽度作为其尺寸中的一个尺寸。导电材料沉积在衬底上，把至 少二条细长半导体条连接在一起。根据本专利技术另外的方面，提供有用于实现根据本专利技术前面的诸多 方面的方法的设备和系统。在下文陈述本专利技术的这些方面和其他一些 方面。根据本专利技术的另一个方面，提供一种从半导体材料的晶片分离出细长半导体条的方法，上述方法包括以下步骤构成在晶片内以基本 上互相平行方式形成的多个细长半导体条，上述晶片具有基本上是平面的表面、在与基本上是平面的表面成直角处的厚度尺寸和在上述半 导体细长条两端上使上述细长条与上述晶片连接的框架部分，上述半 导体细长条各具有至少基本上等于晶片厚度的宽度且细长条的厚度尺 寸小于上述宽度，其中至少一条细长半导体条在长度方向上的面形成 上述晶片的边缘或者紧靠上述边缘；真空抽吸形成上述边缘或邻接上 述边缘的上述细长半导体条；和使上述晶片和上述真空的源互相相对 位移一段预定的距离，从上述晶片分离出使用真空抽吸的上述细长半 导体条。优选地，进一步包括以下步骤至少降低抽吸上述已分离的细长 半导体条的真空；和使上述已分离的细长半导体条和上述真空的上述 源互相相对位移。优选地，其中至少降低上述真空的步骤包括中断上述真空。 优选地，进一步包括以下步骤移动上述晶片以使上述细长半导体条处于紧靠着上述真空的上述源。优选地，进一步包括以下步骤相对于上述晶片移动上述真空的 上述源以使上述真空的上述源处于紧靠着上述细长半导体条。优选地，其中重复进行上述各步骤以致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种把从半导体材料的晶片分离出的多个细长半导体条组装成上述细长条的阵列的方法，上述方法包括以下步骤：　在至少一条传送带的预定位置上接收一条沿长度方向横跨上述传送带取向的上述细长半导体条；　使上述传送带在给定的方向上移动一段大于上 述细长半导体条宽度的预定距离；和　重复上述接收和移动步骤直到处理完所有的上述细长半导体条为止。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：保罗C王，瑞兹米克艾博努斯，韦尔尼A埃弗雷特，马克J克尔，
申请(专利权)人：源太阳能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：AU[澳大利亚]