将半导体晶片与支承件分离的方法以及使用该方法的装置制造方法及图纸

一种工件由来自支承件的表面侧的上部吸附台吸附保持，被向上移动到预定高度，并被加热到双面粘合片的厚度方向不被限制的状态，且切割带被冷却。在预定的加热时间流逝之后，工件与粘合强度被削弱的双面粘合片分离，并落到下部吸附台上。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
专利
本专利技术涉及半导体晶片分离方法以及用于该方法的分离装置，该方法用于将切割带(dicing tape)接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，将该产物固定到切割框架上，以及整体地使半导体晶片和切割框架与支承件分离。相关技术的描述近些年，随着应用的快速发展，需要半导体晶片的厚度降低到100μm到50μm，在某些场合中甚至到25μm。这种薄半导体晶片是易碎的并易于变形且其处理是极其困难的。结果，通过经由双面粘合片被接合到具有一定强度的支承件的表面侧上来保持半导体晶片，该支承件诸如玻璃板。在通过如上所述用支承件支持而加强半导体晶片后，在半导体晶片的背面上执行背面研磨过程，且将半导体晶片与支承件分离。至今，用于分离通过经由双面粘合片接合到支承件上而被保持的半导体晶片的装置如下操作。使用紫外线固化类型的双面粘合片，其粘合强度通过紫外线辐射而被削弱。首先，通过用紫外线辐射，初步降低粘合强度。在后续过程中，半导体晶片由上下两个工作台夹住并在真空状态下被加热从而收缩变形，由此减少双面粘合片和半导体晶片之间的接触面积，且半导体晶片被浮动。在完成双面粘合片的收缩和分离后，取消上工作台的吸附并上工作台被收回到上侧。此后，在半导体晶片被吸附固定在下工作台上的状态下，通过传送臂吸附和移动保持部件，从而使半导体晶片与双面粘合片分离。这种装置被提出和实施(例如，参见JP-A2001-7179)。作为所使用的双面粘合片，可以使用紫外线固化类型的双面粘合片以及具有加热可分离性的双面粘合片，后者在被加热时起泡并降低其粘合强度。常规的装置具有以下问题。在双面粘合片具有加热可分离性从而在被加热时该片起泡且其粘合强度消失的情况下，如果通过上下两个工作台来约束半导体晶片，则会干扰双面粘合片的起泡(膨胀)且不能充分地降低粘合强度。结果，问题产生，从而半导体晶片不能平滑地与支承件分离。例如，当粘合强度未消失的双面粘合片与支承件一起与半导体晶片分离时，就可能有局部分离应力作用于半导体晶片上并产生卷曲或损坏。还存在一个问题，即粘合剂残留在半导体晶片的表面上。专利技术概述本专利技术考虑了上述情况，其目的在于提供用于将半导体晶片与支承件分离的方法和装置，它能平滑地使半导体晶片与切割框架一起与支承件分离而没有应力。为了实现以上目的，本专利技术采用以下配置一种方法，它用于将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，将产物固定到切割框架上，并将半导体晶片与切割框架一起整体地与支承件分离，该方法包括以下步骤在削弱双面粘合片的粘合强度而不在厚度方向上限制该双面粘合片的同时，将半导体晶片与切割框架一起整体地与支承件分离。根据该方法，在不限制双面粘合片的厚度方向的状态下削弱粘合强度，从而在削弱粘合强度的过程中，不会将诸如边缘压力的应力施加到双面粘合片上。因此，可以有效地削弱双面粘合片的粘合强度，且可以充分地降低粘合强度。结果，可以整体地平滑地将半导体晶片和切割框架与支承件分离而没有应力。在根据本专利技术的方法中，通过将支承件保持成支承件的表面朝上的姿势，经由支承件将半导体晶片和切割框架提起，以及通过在这种状态下削弱双面粘合片的粘合强度，通过半导体晶片和切割框架的自重使得半导体晶片和切割框架整体地与支承件分离。根据该方法，通过削弱双面粘合片的粘合强度，粘合强度变得比半导体晶片和切割框架的自重更弱，且已被提起的半导体晶片和切割框架被整体地与支承件分离。因此，可以较佳地实施根据本专利技术第一方面的方法。在根据本专利技术的方法中，支承件被保持成其表面朝上的姿势，吸附装置以非接触方式置于靠近半导体晶片和切割框架的背面侧，以及通过削弱双面粘合片的粘合强度和吸附与半导体晶片接合的切割框架，可以将半导体晶片和切割框架整体地与支承件分离。根据该方法，在双面粘合片的粘合强度被削弱的状态下，半导体晶片和切割框架由以非接触方式靠近半导体晶片和切割框架的吸附装置吸附，从而半导体晶片和切割框架被积极地与支承件分离。因此，半导体晶片和切割框架更有效地被整体与支承件分离。在根据本专利技术的方法中，保持切割框架，以及在削弱双面粘合片的粘合强度时，支承件通过以非接触方式置于靠近支承件的吸附装置被吸附并被分离，从而将半导体晶片和切割框架整体地与支承件分离。根据这种方法，在保持半导体晶片和切割框架的背面侧的状态下，削弱双面粘合片的粘合强度并通过吸附装置以非接触方式吸附支承件。这样，由于取消了双面粘合片的厚度方向上的限制，除去了诸如对双面粘合片的压力的应力。同时保持该状态，分离支承件。因此，可以更有效地将半导体晶片和切割框架与支承件分离。作为双面粘合片，优选使用以下的一种粘合强度通过加热或冷却而削弱的双面粘合片；以及一种双面粘合片，其中粘合层具有加热可分离性，在被加热时它起泡和膨胀并失去粘合强度，该粘合层形成于片基底材料的一个面上，而紫外线固化粘合层形成于片基底材料的另一个面上。在双面粘合片是粘合强度通过加热削弱的双面粘合片的情况下，优选加热双面粘合片，以及冷却切割带。根据该方法，通过加热双面粘合片以及冷却切割带，可以避免由于加热双面粘合片引起的热量和气体生成造成的切割带变形。因此，可以避免切割带的变形和气体生成引起的双面粘合片的边缘压力施加，且可以更平滑地整体地将半导体晶片和切割框架与支承件分离。为了实现以上目的，本专利技术还采用以下配置一种装置，它用于将半导体晶片和工件的切割框架整体地与支承件分离，该工件是通过将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，以及通过将产物固定到切割框架上而获得的，该装置包括双面粘合片，其粘合强度通过加热而被削弱；第一保持装置，工件被安装和保持在该第一保持装置上；第二保持装置，用于以支承件的表面朝上的姿势保持第一保持装置上安装和保持的工件的支承件；驱动装置，用于在垂直方向上移动第一和第二保持装置中的至少一个；以及加热装置，用于加热由第二保持装置保持的工件的双面粘合片，其中在工件由第二保持装置保持的状态下，通过驱动装置使第一和第二保持装置相互移动，以使工件离开第一保持装置，并通过在这种状态下削弱双面粘合片的粘合强度，使半导体晶片和切割框架通过其自重整体地与支承件分离。根据该装置，使用一种双面粘合片，其粘合强度通过加热而被削弱。在该装置中，安装和保持在第一保持装置上的工件以支承件朝上的姿势由第二保持装置保持。在这种状态下，通过驱动装置相对地移动第一和第二保持装置，且工件离开第一保持装置。换句话说，工件的背面侧是开放的且双面粘合片的厚度方向不被限制。在这种状态下通过加热装置加热双面粘合片。因此，被加热的双面粘合片的粘合强度被削弱，半导体晶片和切割框架通过其自重整体地与支承件分离，并由第一保持装置保持。以这种方式，可以较佳地实现根据本专利技术第一方面的方法。较佳地，根据本专利技术的装置进一步包括吸附装置，它用于在加热双面粘合片的时候从下面吸附由第二保持装置保持的工件。根据该装置，通过提供吸附装置用于吸附工件，在双面粘合片的粘合强度被削弱的状态下，可以整体且积极地分离半导体晶片和切割框架。较佳地，根据本专利技术的装置进一步包括用于冷却切割带的冷却装置。具体地，通过加热双面粘合片和冷却切割带，可以避免由于加热双面粘合片时的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，它用于将切割带接合到半导体晶片上，其中支承件经由双面粘合片接合到该半导体晶片上，将产物固定到切割框架上，并将半导体晶片与切割框架一起整体地与支承件分离，其特征在于，该方法包括以下步骤：在削弱双面粘合片的粘合强度而不在厚度方 向上限制该双面粘合片的同时，将半导体晶片与切割框架一起整体地与支承件分离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：宫本三郎，长谷幸敏，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]