一种半导体单元的分离方法技术

本发明专利技术提供一种半导体单元的分离方法，先于半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；然后将所述半导体原件粘附于一贴膜或基板上；接着依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以形成由多个切割孔组成的切割阵列；然后通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕；最后进行扩膜，以完成分离。本发明专利技术不需要裂片机便可实现半导体单元的分离，可以大幅降低生产成本；方法过程简单，有效缩短生产的时间，可以有效地提高产能；进行背镀等制程后通过声波、震动或其组合的方法形成穿透所述半导体衬底的裂痕，不需要后续的裂片工艺便可实现半导体单元的分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，特别是涉及。
技术介绍
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管是由II1-1V族化合物，如GaAs (砷化镓)、GaP (磷化镓)、GaAsP (磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的1-N特性，即正向导通， 反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子 (多子)复合而发光。近年来，制造高集成、高性能的半导体产品的半导体工业相继发展半导体薄片加工技术。为了提高生产效率，各处的半导体产品使用半导体薄片加工技术把几个到几千万个半导体仪器集成到一块称为“晶片”的高纯度衬底上。一块几英寸晶片上要制造的芯片数目达几千片，在封装前要把它们分割成单个电路单元。隐形切割技术使现有的被广泛应用的一种半导体的切割方式，其一般步骤是从半导体衬底背面发送激光脉冲形成多个切割孔，然后通过裂片机进行劈裂获得分离的半导体单元。 然而，这种切割方式具有以下缺点1)必须要购买价格昂贵的裂片机，且裂片操作需要大量的时间来进行，大大地提高了生产的成本;2) —般大功率的器件需要在半导体背面制作背镀层， 如0DR，背镀金属制作完成后因光线无法穿透，看不清隐形切割的切割道，导致裂片困难。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供，用于解决现有技术中裂片时间长、成本高、或对于含背镀层的半导体裂片难度高等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供，至少包括以下步骤I)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；2)将所述半导体原件粘附 于一贴膜；或将所述半导体原件粘附于一基板上；3)依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内形成由多个切割孔组成的切割阵列；4)通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕；5)对所述贴膜进行扩膜；或将粘附于所述基板上的半导体原件转移至一贴膜后对该贴膜进行扩膜，以使各该半导体单元分离。作为本专利技术的半导体单元的分离方法的一种优选方案，所述半导体衬底为蓝宝石衬底、GaAs衬底、GaP衬底、GaAsP衬底、SiC衬底、Si衬底及SOI衬底的一种。作为本专利技术的半导体单元的分离方法的一种优选方案，所述半导体单元为发光二极管、激光二极管、MOS器件及双极型器件的一种或其任意组合。作为本专利技术的半导体单元的分离方法的一种优选方案，所述贴膜为包括红膜、绿膜、蓝膜、白膜或黄膜的PE泡棉胶带。作为本专利技术的半导体单元的分离方法的一种优选方案，步骤4)包括于所述半导体衬底背面制作背镀层的步骤。如上所述，本专利技术提供，先于半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；然后将所述半导体原件粘附于一贴膜或基板上；接着依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内形成由多个切割孔组成的切割阵列；然后通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕；最后对半导体所在贴膜进行扩膜，以使各该半导体单元分离。本专利技术不需要裂片机便可实现半导体单元的分离，可以大幅降低生产成本；方法过程简单，有效缩短生产的时间，可以有效地提高产能；进行背镀等制程后通过声波、震动或其组合的方法形成穿透所述半导体衬底的裂痕，不需要后续的裂片工艺便可实现半导体单元的分离。附图说明图广图2显示为本专利技术的半导体单元的分离方法步骤I)所呈现的结构示意图。图3显示为本专利技术的半导体单元的分离方法步骤2)所呈现的结构示意图。图Γ图5显示为本专利技术的半导体单元的分离方法步骤3)所呈现的结构示意图。图6显示为本专利技术的半导体单元的分离方法步骤4)所呈现的结构示意图。图疒图9显示为本专利技术的半导体单元的分离方法步骤5)所呈现的结构示意图。元件标号说明101半导体衬底102N-GaN层103量子阱层104P-GaN层105透明导电层106N电极107P电极 108贴膜109切割孔110裂痕111背镀层具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图f图9。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例1如图广图9所示，本实施例提供，至少包括以下步骤如图f图2所示，首先进行步骤1)，提供一半导体衬底101，于所述半导体衬底 101的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件。如图1所示，所述半导体衬底101为蓝宝石衬底、GaAs衬底、GaP衬底、GaAsP衬底、SiC衬底、Si衬底及SOI衬底的一种。在本实施例中，所述半导体衬底101为蓝宝石衬底。当然，在其它的实施例中，并不限定为此处所列举的类型，也可以是其它可预期的半导体衬底101类型。如图2所示，于所述半导体衬底101的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件，所述半导体单元为发光二极管、激光二极管、MOS器件及双极型器件的一种或其任意组合。当然，在其它的实施例中，所述半导体单元并不完全限定于此处列举的半导体单元， 也可以是如IGBT、CM0S图像传感器等器件。在本实施例中，所述半导体单元为发光二极管。具体地，所述发光二极管的制备步骤为步骤一，提供一蓝宝石衬底，于所述蓝宝石衬底表面依次形成N-GaN层102、量子阱层103、P-GaN层104及透明导电层105 ；步骤二，定义出多个发光外延单元，并于刻蚀各该发光外延单元至所述N-GaN层 102形成N电极制备区域；步骤三，于所述透明导电层105上制备P电极107，并于所述N电极制备区域上制备N电极106。当然，在其它的实施例中，所述半导体单元也可以是其他预期的器件。如图3所示，然后进行步骤2)，将所述半导体原件粘附于一贴膜108上。所述贴膜108具有粘附性能好，破裂强度高等特点，可以保证所述半导体原件中的各该半导体单元全部稳定地粘附于其上，且不容易脱落。在本实施例中，所述贴膜108为包括红膜、绿膜、蓝膜、白膜或黄膜的PE泡棉胶带。当然，在其它的实施例中，所述贴膜108 也可以是黑膜或适合用于半导体粘附的其它类型的贴膜。如图Γ图5所示， 接着进行步骤3)，依据各该半导体单元从背面对所述半导体衬底101进行隐形切割，以在所述半导体衬底101内形成由多个切割孔109组成的切割阵列。具体地，依据各该半导体单元从背面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体单元的分离方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；2）将所述半导体原件粘附于一贴膜；或将所述半导体原件粘附于一基板上；3）依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内形成由多个切割孔组成的切割阵列；4）通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕；5）对所述贴膜进行扩膜；或将粘附于所述基板上的半导体原件转移至一贴膜后对该贴膜进行扩膜，以使各该半导体单元分离。

【技术特征摘要】
1.一种半导体单元的分离方法，其特征在于，至少包括以下步骤 1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件； 2)将所述半导体原件粘附于一贴膜；或将所述半导体原件粘附于一基板上； 3)依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内形成由多个切割孔组成的切割阵列； 4)通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕； 5)对所述贴膜进行扩膜；或将粘附于所述基板上的半导体原件转移至一贴膜后对该贴膜进行扩膜，以使各该半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：单立伟，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：